一种显示屏及移动终端制造技术

本实用新型专利技术提供了一种显示屏及移动终端，解决现有技术对整个TFT进行遮挡以削弱光线对TFT的照射，容易降低显示屏的透光度的问题。本实用新型专利技术的显示屏包括：像素单元，像素单元包括至少一个亚像素，一个所述亚像素包括至少一个TFT以及位于TFT上的有机发光单元；位于光源和像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层；预定TFT的半导体区域是指预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。本实用新型专利技术实施例一方面通过该遮光层能够遮挡光源发出的光对TFT半导体区域的照射，另一方面，该遮光层仅仅是对预定TFT的半导体区域进行遮挡，而不是对所有TFT进行遮挡，在削弱光线对预定TFT照射的前提下，提高了显示屏的透光度。

【技术实现步骤摘要】
一种显示屏及移动终端
本技术涉及电子应用的
，尤其涉及一种显示屏及移动终端。
技术介绍
目前手机屏幕从非全面屏进入到全面屏，在非全面屏手机中，手机上的发光灯，摄像头，发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)灯等都是设置在屏幕周边，而全面屏手机中，屏幕占据了手机正面的绝大部分面积，手机上的发光灯、LED灯、摄像头等设置在了屏幕的下方。屏幕下方的灯发出的包括可见光在内的各波段的光需要穿过屏幕发射出去，另外外面的光线需要穿过屏幕被摄像头、光学传感器等设备接收到。光线包括可见光、红外光、X光等穿过有源矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，简称AMOLED)像素。AMOLED像素设计包括低温多晶硅型TFT(LTPSTFT)像素驱动电路部分，以及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED部分。光线通过的路径主要为：1.通过像素中没有金属走线遮光的缝隙区域；2.有机发光二极管具有一定的透光性，穿透发光二极管区域。现有设计及工艺过程制造的AMOLED屏幕，当包括可见光在内的光线从屏下穿过屏幕时，将会发生以下问题：某些波段的光被TFT吸收发热，引起TFT功能退化，从而出现显示不均等问题，一般通过对整个TFT进行遮挡的方案，来削弱光线对TFT的照射，但对整个TFT进行遮挡，往往会降低显示屏的透光度，导致显示效果不佳。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种显示屏及移动终端，用以解决现有技术对整个TFT进行遮挡以削弱光线对TFT的照射，容易降低显示屏的透光度的问题。为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：第一方面，本技术实施例提供了一种显示屏，包括：像素单元，所述像素单元包括至少一个亚像素，一个所述亚像素包括至少一个薄膜晶体管TFT以及位于TFT上的有机发光单元；位于光源和所述像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层；所述预定TFT的半导体区域是指所述预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。第二方面，本技术实施例还提供了一种移动终端，包括如上所述的显示屏。在本技术实施例中，在光源和预定TFT的半导体区域之间设置遮光层，一方面通过该遮光层能够遮挡光源发出的光对TFT半导体区域的照射，能够有效防止TFT功能退化，进而改善光照下AMOLED屏幕显示不均的情况，另一方面，该遮光层仅仅是对预定TFT的半导体区域进行遮挡，而不是对所有TFT进行遮挡，在削弱光线对预定TFT照射的前提下，提高了显示屏的透光度。附图说明图1为本技术实施例的显示屏的第一结构示意图；图2为本技术实施例的显示屏的第二结构示意图；图3为本技术实施例中的一种像素电路原理图；图4为本技术实施例中的另一种像素电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完成地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供了一种显示屏，该显示屏包括：像素单元，所述像素单元包括至少一个亚像素，一个所述亚像素包括至少一个薄膜晶体管TFT以及位于TFT上的有机发光单元；位于光源和所述像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层；所述预定TFT的半导体区域是指所述预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。本技术实施例中，有机发光单元具体包括：阳极区域、位于所述阳极区域上方的有机发光层以及位于所述有机发光层上的阴极区域。上述光源具体为LED，上述TFT的半导体区域在通电时形成TFT的沟道；上述亚像素为红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素中的至少一种。上述遮光层的材质可以是吸光材料，例如石墨烯，石墨层碳材料层等吸收光线的材料。亚像素的具体结构如图1所示，包括：基板1、缓冲层2、多晶硅层3、第一栅极绝缘层4、第一栅极电极层5、第二栅极绝缘层6、第二栅极电极层7、层间绝缘层8、M2源漏电极层9、平坦化有机膜层10、阳极区域11、有机发光层12、阴极区域13、像素定义层14及支撑柱15，此时可将上述遮光层16设置在基板1上，该遮光层16能够有效遮挡光线对TFT的半导体区域31的照射。如图2所示，上述遮光层16在所述预定TFT的半导体区域31上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于所述预定TFT的半导体区域31的覆盖范围。由于遮光层16在预定TFT的半导体区域31上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于TFT的半导体区域31的覆盖范围，因此，该遮光层16能够有效遮挡光源所发出的光对预定TFT的半导体区域31的照射。这里，在沟道下面设置遮光层，遮住光线对沟道的照射，避免光照下LTPSTFT电学特性变化而引起显示不良。由于某些波段的光例如红外光线等，被多晶硅层吸收，但是不被有机发光层吸收。在屏幕下方只设置发射某些波长光，例如红光的发光器件，通过在红色亚像素的TFT沟道下设置遮光层，避免光照影响TFT，同时让光线透过有机发光层区域，提高光透过率。或者，如图1所示，所述遮光层16在所述有机发光层12上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于有效有机发光层的覆盖范围；所述有效有机发光层为所述有机发光层12与所述阳极区域11接触的部分。具体的，遮光层16在所述有机发光层12上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于有效有机发光层的覆盖范围，该遮光层16能够有效遮挡光源发出的光对有机发光层12的照射，防止有机发光层功能退化，同时，由于本技术实施例中，TFT的半导体区域31在有机发光层12上的正投影区域的覆盖范围小于有机发光层的覆盖范围，因此，该遮光层16在对有机发光层12进行遮挡的同时，还能有效遮挡光源发出的光对TFT的半导体区域31的照射。具体的，本技术实施例中的亚像素包括：红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素中的至少一种。作为第一种可选的实现方式，所述像素单元包括：红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素，即分别在光源和红色亚像素的所述TFT的半导体区域之间，光源和绿色亚像素的所述TFT的半导体区域之间，光源和绿色亚像素的所述TFT的半导体区域之间设置遮光层。通过在红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素中分别遮挡TFT的半导体区域的遮光层，能够有效防止光线对每种亚像素中TFT的半导体区域的照射，进而能够防止TFT功能退化，有效改善像素单元的显示效果。另外，还可以在光源和红色亚像素的有机发光层之间设置遮光层、在光源和绿色亚像素的所述TFT的半导体区域之间设置遮光层，在光源和蓝色亚像素的所述TFT的半导体区域之间设置遮光层。其中，在光源和红色亚像素的有机发光层之间设置的遮光层，在红色亚像素的有机发光层上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于红色亚像素的有机发光层的覆盖范围；在光源和绿色亚像素的所述TFT的半导体区域之间设置的遮光层，在绿色亚像素的所述TFT的半导体区域上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于绿色亚像素的所述TFT的半导体区域的覆盖范围；在光源和蓝色亚像素的所述TFT的半导体区域之间设置遮光层，在蓝色亚像素的所述TFT的半导体区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示屏，其特征在于，包括：像素单元，所述像素单元包括至少一个亚像素，一个所述亚像素包括至少一个薄膜晶体管TFT以及位于TFT上的有机发光单元；位于光源和所述像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层；所述预定TFT的半导体区域是指所述预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。

【技术特征摘要】
1.一种显示屏，其特征在于，包括：像素单元，所述像素单元包括至少一个亚像素，一个所述亚像素包括至少一个薄膜晶体管TFT以及位于TFT上的有机发光单元；位于光源和所述像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层；所述预定TFT的半导体区域是指所述预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。2.根据权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述有机发光单元包括：阳极区域、位于所述阳极区域上方的有机发光层以及位于所述有机发光层上的阴极区域。3.根据权利要求2所述的显示屏，其特征在于，所述遮光层在所述预定TFT的半导体区域上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于所述预定TFT的半导体区域的覆盖范围；或者，所述遮光层在所述有机发光层上的正投影区域的覆盖范围大于或者等于有效有机发光层的覆盖范围；所述有效有机发光层为所述有机发光层与所述阳极区域接触的部分。4.根据权利要求2所述的显示屏，其特征在于，所述亚像素包括：红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素中的至少一种。5.根据权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述亚像素还...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44