【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率模块及其制造方法
本实施方式涉及功率模块及其制造方法。
技术介绍
目前,很多的研究机构正在进行碳化硅(SiC:SiliconCarbide)元件的研究和开发。与Si功率器件相比,SiC功率器件具有更优异的低导通电阻、高速开关以及高温动作特性。在SiC功率模块中,SiC器件的损失相对较小,所以能够导通大电流,并且高温动作变得容易,但用于允许这些动作的功率模块的设计是必须的。SiC功率器件通过转移模具被树脂密封而构成功率模块。由于功率模块在高温下动作,所以要求更高的可靠性。为了提高树脂密封的功率模块的可靠性,也公开了保持密封树脂的紧贴性的例子。另外,以往也公开了防止功率模块的变形的例子。此外,还公开在高温的情况下,也防止功率模块的翘曲变形,并改进热疲劳寿命的例子。另外,在现有技术中,也公开将功率模块的热量从两面散热的例子。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第WO2013/136895号专利文献2:日本特开2007-311441号公报专利文献3:日本特开2008-41752号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本实施方式提供能够实现小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。另外,本实施方式提供能够实现极薄型并且小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。用于解决课题的手段根据本实施方式的一方式,提供了一种功率模块,具备:第1绝缘基板,其具备第1导电层;第1半导体器件,其配置在上述第1导电层上,且主电极的一方与上述第1导电层连接;第2绝缘基板,其在上述第1绝缘基板上方与上述第1半导体器件对置地配置,且在表面以及背面具备第2导电层以及第3导电层;第1柱状电极,其 ...
【技术保护点】
1.一种功率模块,其特征在于,具备:第1绝缘基板,其具备第1导电层;第1半导体器件,其配置在上述第1导电层上,且主电极的一方与上述第1导电层连接;第2绝缘基板,其在上述第1绝缘基板上方与上述第1半导体器件对置地配置,且在表面以及背面具备第2导电层以及第3导电层;第1柱状电极,其连接上述第1导电层与上述第2导电层;以及第2柱状电极,其连接上述第1半导体器件的主电极的另一方与上述第3导电层,上述第2导电层连接于向上述第1半导体器件供给电源的正极图案和负极图案的任意一方,上述第3导电层连接于另一方。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.04 JP 2016-075161;2016.04.27 JP 2016-089101.一种功率模块,其特征在于,具备:第1绝缘基板,其具备第1导电层;第1半导体器件,其配置在上述第1导电层上,且主电极的一方与上述第1导电层连接;第2绝缘基板,其在上述第1绝缘基板上方与上述第1半导体器件对置地配置,且在表面以及背面具备第2导电层以及第3导电层;第1柱状电极,其连接上述第1导电层与上述第2导电层;以及第2柱状电极,其连接上述第1半导体器件的主电极的另一方与上述第3导电层,上述第2导电层连接于向上述第1半导体器件供给电源的正极图案和负极图案的任意一方,上述第3导电层连接于另一方。2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,上述正极图案配置于上述第2导电层以及上述第3导电层的任意一方,上述负极图案配置于另一方。3.根据权利要求1或2所述的功率模块,其特征在于,上述第1导电层具备第1共用电极图案,该第1共用电极图案与多个上述第1半导体器件的同一种类的主电极连接。4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,上述功率模块具备:第2共用电极图案,其与上述第1导电层的上述第1共用电极图案不同;第2半导体器件,其配置在上述第2共用电极图案上;以及引线部件,其连接上述第1共用电极图案与上述第2半导体器件的主电极的一方。5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,上述半导体器件的主电极以及上述第1共用电极图案和上述第2共用电极图案的任意一方通过上述第1柱状电极与上述第2绝缘基板的上述第3导电层连接,上述第1共用电极图案和上述第2共用电极图案的另一方经由上述第2柱状电极和贯通上述第2绝缘基板的导通孔与上述第2导电层连接。6.根据权利要求1~5中任一项所述的功率模块,其特征在于,上述第2导电层具备多个电极图案,上述正极图案和上述负极图案交替地配置在上述第2绝缘基板的两面的每一面。7.根据权利要求5或6所述的功率模块,其特征在于,上述导通孔在上述第2绝缘基板上被配置成列状,上述第2柱状电极被配置成与上述导通孔的列并行。8.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于,上述导通孔的列中,交替地配置正极的导通孔和负极的导通孔。9.根据权利要求1~8中任一项所述的功率模块,其特征在于,上述第1绝缘基板具备输出端子,上述第2绝缘基板具备电源端子。10.一种功率模块,其特征在于,具备:第1绝缘基板;第2绝缘基板,其配置在上述第1绝缘基板的上方;以及第1半导体器件,其配置在上述第1绝缘基板上,且在表面具有第1主电极和第1控制电极,上述第1主电极配置在上述第1绝缘基板与上述第2绝缘基板的重叠部,上述第1控制电极配置在上述第1绝缘基板与上述第2绝缘基板的非重叠部。11.根据权利要求10所述的功率模块,其特征在于,上述功率模块具备第2半导体器件,该第2半导体器件配置在上述第2绝缘基板上,且在表面具有第2主电极和第2控制电极,上述第2控制电极配置在上述非重叠部。12.根据权利要求11所述的功率模块,其特征在于,在平面视图中,错开位置地配置上述重叠部以及上述非重叠部,以便上述第1主电极以及上述第2主电极与所对置的基板重叠,并且,上述第1控制电极以及上述第2控制电极分别不与所对置的基板重叠。13.根据权利要求11或12所述的功率模块,其特征在于,上述功率模块具备:第1非重叠部;以及第2非重叠部,在平面视图中,上述第1控制电极配置在上述第1非重叠部,上述第2控制电极配置在上述第2非重叠部。14.一种功率模块,其特征在于,具备:第1绝缘基板,其具备第1导电层;第2绝缘基板,其被配置成至少一部分与上述第1绝缘基板对置,并且具备与上述第1导电层对置的第2导电层;第1半导体器件,其第1主电极与上述第1导电层连接;第2半导体器件,其第...
【专利技术属性】
技术研发人员:岩桥清太,济藤匡男,
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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