阵列基板及阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括：阵列基板单元；覆盖阵列基板单元的薄膜封装单元，薄膜封装单元包括：第一阻隔层，覆盖阵列基板单元；第一缓冲单元层，包括：第一缓冲层，位于第一阻隔层远离阵列基板单元的一侧；第一交联层，位于第一缓冲层远离第一阻隔层的一侧；第二缓冲层，位于第一交联层远离第一缓冲层的一侧，本发明专利技术还公布了一种阵列基板的制作方法，通过上述方式，以增强阵列基板的柔韧性，保护膜层，提高封装效果。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及阵列基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。
技术介绍
在目前照明和显示领域中，由于有机电致发光(OLED)自身的特点，如低启动电压、轻薄、自发光等特点，越来越多的被广泛用于开发照明产品以及面板行业中，以满足低能耗、轻薄和面光源等需求。目前OLED柔性显示由于可挠、轻薄，且自发光的特点使其应用到越来越多的产品当中。如图1所示，目前的阵列基板是采用薄膜封装膜层2对阵列基板单元1进行封装，但是由于薄膜封装膜层2(包括第一阻隔层3、第二阻隔层5和缓冲层4)较薄，且存在膜层间的应力，因此，阻隔水氧的能力并没有达到需要的效果，水氧渗透率较高，且膜层较容易出现断裂导致封装失效。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法，以增强阵列基板的柔韧性，保护膜层，提高封装效果。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：阵列基板单元；覆盖所述阵列基板单元的薄膜封装单元，所述薄膜封装单元包括：第一阻隔层，覆盖所述阵列基板单元；第一缓冲单元层，包括：第一缓冲层，位于所述第一阻隔层远离所述阵列基板单元的一侧；第一交联层，位于所述第一缓冲层远离所述第一阻隔层的一侧；第二缓冲层，位于所述第一交联层远离所述第一缓冲层的一侧。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：提供阵列基板单元；形成覆盖所述阵列基板单元的第一阻隔层；在所述第一阻隔层上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成第一交联层；及在所述第一交联层上形成第二缓冲层。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过在阵列基板单元上覆盖薄膜封装单元形成阵列基板，所述薄膜封装单元包括：第一阻隔层，覆盖所述阵列基板单元；第一缓冲单元层，包括：第一缓冲层，第二缓冲层，通过第一交联层将所述第一缓冲层和所述第二缓冲层粘合，以增强阵列基板的柔韧性，保护膜层，提高封装效果。附图说明图1是现有技术阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术阵列基板第一实施例的结构示意图；图3是本专利技术阵列基板第二实施例的结构示意图；图4a-4f是本专利技术阵列基板的工艺流程图。图5是本专利技术阵列基板的制作方法第一实施例的流程示意图。图6是本专利技术阵列基板的制作方法第二实施例的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。请参阅图2，是本专利技术阵列基板第一实施例的结构示意图，所述阵列基板，包括：阵列基板单元10；覆盖所述阵列基板单元10的薄膜封装单元20，所述薄膜封装单元20包括：第一阻隔层21，覆盖所述阵列基板单元10；第一缓冲单元层22，包括：第一缓冲层221，位于所述第一阻隔层21远离所述阵列基板单元10的一侧；第一交联层222，位于所述第一缓冲层221远离所述第一阻隔层21的一侧；第二缓冲层223，位于所述第一交联层222远离所述第一缓冲层221的一侧。其中，所述阵列基板单元10包括：基板11；形成于所述基板11上的像素界定层12，所述像素界定层12上设置有像素区域13；及位于所述像素区域13的发光单元14。本专利技术中所述基板11为衬底基板，以及设置于所述衬底基板上其他功能层及元件的常规阵列基板结构，其余结构及功能与常规阵列基板一致，在此不再赘述。其中，所述第一阻隔层21材质为二氧化硅、氮化硅中的一种或两者组合；其中，所述第一交联层222材质为对二甲苯、二甲苯同系物及同族衍生物中的一种或多种。本实施例中，所述第一交联层222材质为聚对二甲苯，聚二甲苯具有很好的成膜致密性，同时，聚合物的分子链作用会使链段有一定的柔软性，从而提高封装薄膜层的柔韧性。所述第一阻隔层21厚度为1～10μm，所述第一交联层222厚度为1～10μm，所述第一及第二缓冲层221、223厚度分别为1～5μm。在本实施例中，所述阵列基板中的第一缓冲单元层22包括两缓冲层，即第一缓冲层221和第二缓冲层223，在所述第一缓冲层221和所述第二缓冲层223之间设置第一交联层222，所述第一交联层222材料经固化交联后变成聚合物，可以延长水氧渗透的路径，提高封装效果，同时所述第一交联层222材料的柔韧性提高了膜层的应力，使最终产品发生弯折时候，不易产生断裂而导致封装失效，并且所述第一缓冲层221和所述第二缓冲层223将所述第一交联层222聚合物包裹，起到了保护膜层的作用。请参阅图3，是本专利技术阵列基板第二实施例的结构示意图。所述阵列基板的第二实施例与所述阵列基板的第一实施例(图2)的区别之处在于：所述薄膜封装单元20还包括：第二阻隔层23，位于所述第二缓冲层223远离所述第一交联层222的一侧；及第二缓冲单元层24，包括：第三缓冲层241，位于所述第二阻隔层23远离所述第二缓冲层223的一侧；第二交联层242，位于所述第三缓冲层241远离所述第二阻隔层23的一侧；第四缓冲层243，位于所述第二交联层242远离所述第三缓冲层241的一侧。其中，所述第二阻隔层23材质为二氧化硅、氮化硅中的一种或两者组合；其中，所述第三缓冲层241和第四缓冲层243的厚度为1～5μm，在第一及第二实施例中，所述第一缓冲单元层22及第二缓冲单元层24均包括两缓冲层，所述第一缓冲单元层22包括第一缓冲层221和第二缓冲层223，所述第二缓冲单元层24包括第三缓冲层241和第四缓冲层243，所述第一缓冲层221和第二缓冲层223之间设置第一交联层222及所述第三缓冲层241和所述第四缓冲层243之间设置第二交联层242，以增加膜层柔韧性和提高封装效果，相较于本专利技术阵列基板第一实施例(图2)，本实施例阵列基板中的第二阻隔层23和第二缓冲单元层24进一步延长了水氧渗透的路径，使得所述阵列基板具有更好的封装效果。在其他实施例中，所述第一及第二缓冲单元层中可包括若干缓冲层(假设为N层缓冲层)，所述第一及第二缓冲单元层厚度(除交联层厚度)为1～10μm，则其每一所述缓冲层厚度为(1～10)/Nμm。在其他实施例中，所述薄膜封装单元20上依次还可包括第三阻隔层、第三缓冲单元层等，在此不再赘述，其中，所述薄膜封装单元20的总层数小于等于7，即所述阻隔层和所述缓冲单元层的总层数小于等于7层。请参阅图5，是本专利技术阵列基板制作方法第一实施例的流程示意图，所述方法包括：步骤S1：提供阵列基板单元10；其中，结合图4a～图4b，所述阵列基板单元10包括：基板11；形成于所述基板11上的像素界定层12，所述像素界定层12上设置有像素区域13；及位于所述像素区域13的发光单元14。其中，所述发光单元14采用蒸镀或打印的方式形成。本专利技术中所述基板11为不包括所述像素界定层12和所述发光单元14的常规阵列基板结构，其余结构、功能及制作方法与常规阵列基板一致，在此不再赘述。步骤S2：形成覆盖所述阵列基板单元10的第一阻隔层21。结合图4c，所述第一阻隔层21采用真空镀膜的方式形成，覆盖所述阵列基板单元10。其中，所述第一阻隔层21厚度为1～10μm。步骤S3：在所述第一阻隔层21上形成第一缓冲层221。结合图4d，在所述第一阻隔层21上形成第一缓冲层221，所述第一缓冲层221厚度为1～5μm。步骤S4：在所述第一缓冲层221上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：阵列基板单元；覆盖所述阵列基板单元的薄膜封装单元，所述薄膜封装单元包括：第一阻隔层，覆盖所述阵列基板单元；第一缓冲单元层，包括：第一缓冲层，位于所述第一阻隔层远离所述阵列基板单元的一侧；第一交联层，位于所述第一缓冲层远离所述第一阻隔层的一侧；第二缓冲层，位于所述第一交联层远离所述第一缓冲层的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：阵列基板单元；覆盖所述阵列基板单元的薄膜封装单元，所述薄膜封装单元包括：第一阻隔层，覆盖所述阵列基板单元；第一缓冲单元层，包括：第一缓冲层，位于所述第一阻隔层远离所述阵列基板单元的一侧；第一交联层，位于所述第一缓冲层远离所述第一阻隔层的一侧；第二缓冲层，位于所述第一交联层远离所述第一缓冲层的一侧。2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述薄膜封装单元还包括：第二阻隔层，位于所述第二缓冲层远离所述第一交联层的一侧；及第二缓冲单元层，包括：第三缓冲层，位于所述第二阻隔层远离所述第二缓冲层的一侧；第二交联层，位于所述第三缓冲层远离所述第二阻隔层的一侧；第四缓冲层，位于所述第二交联层远离所述第三缓冲层的一侧。3.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述阵列基板单元包括：基板；形成于所述基板上的像素界定层，所述像素界定层上设置有像素区域；及位于所述像素区域的发光单元。4.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一及第二阻隔层材质为二氧化硅、氮化硅中的一种或两者组合；所述第一及第二交联层材质为对二甲苯、二甲苯同系物及同族衍生物中的一种或多种。5.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一及第二阻隔层厚度分别为1～10μm，所述第一及...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44