OLED面板及其制造方法、电子设备技术

本发明专利技术是关于一种OLED面板及其制造方法、电子设备，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：OLED面板制造方法，其包括：在基板上依次形成包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；其中在上述制层的过程中，通过在预设的一层上加载正向电压或负向电压，以及对应的给待蒸镀制层的材料施加正电荷或负电荷，使所述阴极层形成厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。解决了OLED面板的阴极层电阻过大而导致的IR压降的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
OLED面板及其制造方法、电子设备
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种OLED面板及其制造方法、电子设备。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。其中，OLED器件包括顶发射型OLED器件，顶发射型OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机电致发光材料层(EL层)、及设于EL层上的阴极。该顶发射型OLED的光从阴极电极层一侧出射，因而要求阴极电极层不仅要具有较佳的电子注入能力和较低的方块电阻，还要具有较佳的透过率。然而，现有的一种阴极电极层是采用低功函数金属和高功函数金属共蒸得到的共蒸膜层，例如，由镁(Mg)和银(Ag)共蒸得到的共蒸膜层，在该共蒸膜层中，为了得到较佳的电子注入能力，增加Mg和Ag的比例，但是透过率会降低，为了保证较佳的透过率，就必须将阴极做的很薄，但这样会导致方块电阻增加，驱动电压升高，且电压稳定性降低，导致阴极IR压降，最终导致OLED显示器的显示画面不均匀。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，提供一种新型结构的OLED面板及其制造方法、电子设备，使其能够解决阴极层电阻过大而导致IR压降的问题。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种OLED面板制造方法，其包括：在基板上依次形成包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；其中在上述制层的过程中，通过在预设的一层上加载正向电压或负向电压，以及对应的给待蒸镀制层的材料施加正电荷或负电荷，使所述阴极层形成厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中在基板上形成所述功能层的同时形成辅助阴极层；在蒸镀制造EL材料层时，对所述辅助阴极层加载正向电压或负向电压，以及对应的给EL材料施加正电荷或负电荷，使所述辅助阴极层的表面不镀制EL材料层，使所述阴极层直接与所述辅助阴极层连接；其中，所述阴极层与所述辅助阴极层的连接区域为所述第二区域。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中所述辅助阴极层加载的正向电压或负向电压的数值大于15伏。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中将所述辅助阴极层导出所述功能层区域外，连接一电连接端，通过所述电连接端为所述辅助阴极层加载电压。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中所述功能层还包括按照预设方式设置的栅极层、SD层；其中，所述辅助阴极层与所述阳极层、栅极层或SD层中任意一层同时沉积刻蚀形成；或，所述辅助阴极层与所述阳极层、栅极层或SD层中任意两层分别同时沉积刻蚀，并组合形成一体结构的所述辅助阴极层；或，所述辅助阴极层分别与所述阳极层、栅极层以及SD层时沉积刻蚀，并组合形成一体结构的所述辅助阴极层。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中在蒸镀制造所述阴极层时，对所述功能层中发光区加载正向电压或负向电压，以及给阴极材料施加正电荷或负电荷；其中，加载在所述发光区的电压值处于预设范围。可选的，前述的OLED面板制造方法，其中所述功能层中发光区加载的正向电压或负向电压的数值小于15伏。另外，本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种OLED面板，其包括：基板，所述基板上依次设置包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；所述阴极层包括厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。可选的，前述的OLED面板，其还包括：辅助阴极层，所述辅助阴极层设置在所述功能层的非发光区中，所述辅助阴极层的一表面与所述基板连接，所述辅助阴极层的另一表面与所述阴极层连接。另外，本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种电子设备，其包括：OLED面板；所述OLED面板包括：基板，所述基板上依次设置包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；所述阴极层包括厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。借由上述技术方案，本专利技术OLED面板及其制造方法、电子设备至少具有下列优点：本专利技术技术方案中，提供的制造OLED面板的方法，其在基板上依次形成阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层的过程中，通过在预设层上加载电压、并在待蒸镀制层的材料上施加同向的电荷的方式，使蒸镀制层的材料与预设层之间产生排斥力，进而使待蒸镀制层的材料在预设的区域不进行镀层或者镀制较薄的层。进而在不改变现有制造OLED制层顺序以及工艺的同时，能够将位于发光区对应的阴极层，制造的比非发光区对应的阴极层薄，即通过本专利技术提供的方法制造获得的阴极层，其通过较薄的第一区域和相对较厚的第二区域的组合，能够避免现有技术中整层均较薄的阴极层产生的较大的电阻的问题，以及解决阴极IR压降的问题，使最终制造获得的OLED显示器的显示画面均匀化。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1是本专利技术的实施例一提供的一种OLED面板制造过程中对辅助阴极层加载正向电压，给EL材料施加正电荷时的生产示意图；图2是本专利技术的实施例一提供对辅助阴极层加载正向电压，给EL材料施加正电荷后，制造出来的EL材料层与功能层结合的示意图；图3是使用本专利技术实施例提供的OLED面板制造方法制造的OLED面板结构示意图；图4是本专利技术的实施例一提供的一种OLED面板制造过程中功能层中发光区加载正向电压，给阴极材料施加正电荷时的生产示意图；图5是使用本专利技术实施例提供的另一种OLED面板制造方法制造的OLED面板结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的OLED面板及其制造方法、电子设备，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。实施例一如图1和图4所示，本专利技术的实施例一提出的一种OLED面板制造方法，其包括：在基板1上依次形成包含有阳极层的功能层2、EL材料层3以及阴极层4；其中在上述制层的过程中，通过在预设的一层上加载正向电压或负向电压，以及对应的给待蒸镀制层的材料施加正电荷或负电荷，使所述阴极层4形成厚度不同的第一区域41和第二区域42，所述第一区域41的厚度小于第二区域42的厚度，所述第一区域41对应于所述功能层2中发光区21，所述第二区域42对应所述功能层2中非发光区22。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板制造方法，其特征在于，其包括：在基板上依次形成包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；其中，在上述制层的过程中，通过在预设的一层上加载正向电压或负向电压，以及对应的给待蒸镀制层的材料施加正电荷或负电荷，使所述阴极层形成厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板制造方法，其特征在于，其包括：在基板上依次形成包含有阳极层的功能层、EL材料层以及阴极层；其中，在上述制层的过程中，通过在预设的一层上加载正向电压或负向电压，以及对应的给待蒸镀制层的材料施加正电荷或负电荷，使所述阴极层形成厚度不同的第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度小于第二区域的厚度，所述第一区域对应于所述功能层中发光区，所述第二区域对应所述功能层中非发光区。2.根据权利要求1所述的OLED面板制造方法，其特征在于，在基板上形成所述功能层的同时形成辅助阴极层；在蒸镀制造EL材料层时，对所述辅助阴极层加载正向电压或负向电压，以及对应的给EL材料施加正电荷或负电荷，使所述辅助阴极层的表面不镀制EL材料层，使所述阴极层直接与所述辅助阴极层连接；其中，所述阴极层与所述辅助阴极层的连接区域为所述第二区域。3.根据权利要求2所述的OLED面板制造方法，其特征在于，所述辅助阴极层加载的正向电压或负向电压的数值大于15伏。4.根据权利要求2所述的OLED面板制造方法，其特征在于，将所述辅助阴极层导出所述功能层区域外，连接一电连接端，通过所述电连接端为所述辅助阴极层加载电压。5.根据权利要求2所述的OLED面板制造方法，其特征在于，所述功能层还包括按照预设方式设置的栅极层、SD层；其中，所述辅助阴极层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙诗，谢学武，刘浩，刘博文，艾雨，孔玉宝，张阿猛，徐阳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11