薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板技术

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。该薄膜晶体管包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。遮光部可以对射向有源层的光线进行遮挡，提高薄膜晶体管的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板
本公开至少一个实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管的有源层受到光照后会产生大量的光生载流子，由此可能产生漏电流，对薄膜晶体管的电学性能以及包括该薄膜晶体管的电子产品的性能产生不良影响。例如，在薄膜晶体管应用于电子显示产品作为像素单元的开关元件的情形，薄膜晶体管的有源层在受到光的照射后，薄膜晶体管在关态下的漏电流增加，导致电子显示产品产生残像、串扰等不良。
技术实现思路
本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管，包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述遮光部为绝缘层。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述遮光部由与所述栅电极同材料的膜层进行局部氧化获得。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在垂直于所述衬底所在面的方向上，所述遮光部的厚度小于所述栅电极的厚度。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在平行于所述衬底所在面且沿着所述源电极至所述漏电极的方向上，所述遮光部的宽度为所述栅电极的宽度的1/4～1/2。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极包括金属材料，所述遮光部包括所述金属材料对应的氧化物。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述栅电极包括铜或铜合金、银或银合金，所述氧化物包括氧化铜、氧化银。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两端的导体化区，所述源电极和所述漏电极与所述导体化区电连接，并且所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。例如，本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述衬底之间的遮光层，所述有源层的沟道区在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层，所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影重合。本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括上述任一实施例中的薄膜晶体管。本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底并在所述衬底上形成有源层；在所述有源层的远离所述衬底的一侧形成栅电极和遮光部；以及形成分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极形成在所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部形成在所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，所述遮光部的材料为绝缘材料。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，所述栅电极和所述遮光部由同一膜层进行遮光性处理获得。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，形成所述栅电极和所述遮光部包括：在所述衬底上沉积导电材料薄膜和在所述导电材料薄膜上形成光刻胶；对所述光刻胶进行构图以形成第一光刻胶图案，以所述第一光刻胶图案为掩模构图所述导电材料薄膜以形成第一导电层；去除部分所述第一光刻胶图案以形成第二光刻胶图案，并暴露所述第一导电层的侧边部分；对所述第一导电层进行氧化处理，所述第一导电层的未被所述第二光刻胶图案覆盖的所述侧边部分被氧化以形成所述遮光部，所述第一导电层的未被氧化部分形成栅电极；以及去除所述第二光刻胶图案。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，形成所述栅电极和所述遮光部还包括：利用半色调掩模板处理所述光刻胶，使得所述第一光刻胶图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分厚度小于所述第二部分的厚度；以及对所述第一光刻胶图案进行减薄工艺以去除部分所述第一光刻胶图案，其中，去除所述第一部分并使得第一导电层中与所述第一部分重叠的部分被减薄和暴露，所述第二部分形成为所述第二光刻胶图案。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法中，形成所述第一导电层的材料包括金属材料，对所述第一导电层进行氧化处理包括：利用氧离子注入或者通入氧气，使得所述第一导电层的未被所述第二光刻胶图案覆盖的部分被氧化以形成为金属氧化物。例如，在本公开至少一个实施例提供的制造方法还包括：在沉积所述导电材料薄膜之前，在所述有源层的远离所述衬底的一侧沉积绝缘材料薄膜；以所述第一光刻胶图案和所述第一导电层为掩模对所述绝缘材料薄膜进行构图以形成所述栅绝缘层；其中，所述第一导电层在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影重合。在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板中，遮光部可以对射向有源层的光线进行遮挡，从而减少或者阻止光线对有源层的照射，显著提高薄膜晶体管的电学性能。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1A为本公开一实施例提供的一种薄膜晶体管的平面图；图1B为图1A所示的薄膜晶体管沿A-B的截面图；图2为本公开一实施例提供的另一种薄膜晶体管的截面图；图3为本公开一实施例提供的一种阵列基板的截面图；以及图4A～图4H为本公开一实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法的过程图。附图标记：100-衬底；110-缓冲层；120-栅绝缘层；130-层间介质层；131-过孔；140-钝化层；200-有源层；210-沟道区；220-导体化区；310-源电极；320-漏电极；400-栅电极；410-第一导电层；500-遮光部；600-遮光层；700-像素电极；800-光刻胶；810-第一光刻胶图案；811-第一部分；812-第二部分；820-第二光刻胶图案。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。例如，在包括薄膜晶体管作为像素单元的开关元件的电子显示装置(例如液晶显示装置或有机发光二极管显示装置)中，通常设置有大量的信号线等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底以及位于所述衬底上的有源层；分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；以及栅电极和遮光部，位于所述有源层的远离所述衬底的一侧；其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底以及位于所述衬底上的有源层；分别与所述有源层电连接的源电极和漏电极；以及栅电极和遮光部，位于所述有源层的远离所述衬底的一侧；其中，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述遮光部为绝缘层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述遮光部由与所述栅电极同材料的膜层进行局部氧化获得。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，在垂直于所述衬底所在面的方向上，所述遮光部的厚度小于所述栅电极的厚度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在平行于所述衬底所在面且沿着所述源电极至所述漏电极的方向上，所述遮光部的宽度为所述栅电极的宽度的1/4～1/2。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极包括金属材料，所述遮光部包括所述金属材料对应的氧化物。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极包括铜或铜合金、银或银合金，所述氧化物包括氧化铜、氧化银。8.根据权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两端的导体化区，所述源电极和所述漏电极与所述导体化区电连接，并且所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，还包括位于所述有源层和所述衬底之间的遮光层，所述有源层的沟道区在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠。10.根据权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管，还包括位于所述有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层，所述栅电极和所述遮光部在所述衬底上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影重合。11.一种阵列基板，包括权利要求1-10中任一项所述的薄膜晶体管。12.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底并在所述衬底上形成有源层；在所述有源层的远离所述衬底的一侧形成栅电极和遮光部；以及形成分别与所述有源层电连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，周斌，苏同上，宋威，李伟，罗标，郝朝威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11