包括上部圆顶的半导体工艺室制造技术

半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。

【技术实现步骤摘要】
包括上部圆顶的半导体工艺室
本公开的示例实施方式涉及工艺室，并且更具体地涉及包括上部圆顶的半导体工艺室。
技术介绍
随着半导体集成电路的集成变得更高，构成半导体集成电路的各个元件诸如晶体管变得更小。这样的晶体管可以包括通过外延工艺形成的源极/漏极。随着朝更高集成的趋势增加，源极/漏极的尺寸正在逐渐减小。由于利用常规半导体工艺室来进行形成尺寸减小的源极/漏极的外延工艺，工艺缺陷可能增加。
技术实现思路
根据专利技术构思的示例实施方式，半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、联接到基底板的上表面的上部夹环、联接到基底板的下表面的下部夹环、以及在基底板的内侧壁上的衬垫。工艺室还包括从基底板和下部夹环延伸并覆盖基座的下表面的下部圆顶以及从基底板和上部夹环延伸并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括联接在基底板和上部夹环之间的第一部分以及从第一部分延伸且比第一部分更透明的第二部分。第一部分包括设置在基底板与上部夹环之间的第一区域、从第一区域延伸并具有接触衬垫的上表面的下表面的第二区域、以及从第二区域延伸并在远离第二区域的方向上具有减小的厚度的第三区域。第二区域的下表面与第一区域的下表面共面。另外的实施方式提供一种半导体工艺室，其包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间并且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分以及从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。另外的示例实施方式提供一种半导体工艺室，包括基座、围绕基座的基底板、联接到基底板并设置在基座上方的上部圆顶、联接到基底板并设置在基座下方的下部圆顶、以及在基底板的位于上部圆顶与下部圆顶之间的内侧壁上的衬垫。该室还包括配置为通过上部圆顶朝向基座反射光的上部反射器、联接到上部反射器的上部灯、配置为通过下部圆顶朝向基座反射光的下部反射器、以及连接到下部反射器的下部灯。上部圆顶包括第一部分和从第一部分延伸的第二部分。第二部分比第一部分更透明并且包括位于比第一部分更高的水平处的部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域，从第一区域延伸超过基底板的第二区域以及从第二区域延伸并在远离第二区域的方向上具有减小的厚度从而接触第二部分的第三区域。附图说明图1是示出根据示例实施方式的半导体工艺室的概念截面图。图2A是示出根据示例实施方式的上部圆顶的平面图。图2B是沿图2A的线I-I'截取的截面图。图3A、3B、3C、3D和3E是示出根据示例实施方式的图1的半导体工艺室的一部分的概念截面图图4A、4B和4C是示出根据示例实施方式的上部圆顶的截面图。图5是示出使用根据示例实施方式的半导体工艺室的半导体处理方法的流程图。图6A和图6B是示出使用根据示例实施方式的半导体工艺室的半导体处理方法的截面图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述各种示例实施方式。贯穿本申请，相同的附图标记可指代相同的元件。图1是示出根据示例实施方式的半导体工艺室的概念截面图。参考图1，半导体工艺室1可以包括基座10、基底板组件20、上部圆顶30、下部圆顶40、衬垫组件50和处理空间PS。基座10可以包括围绕待放置在其上的半导体晶片100的侧壁的晶片保护部分10a。基底板组件20可以与基座10间隔开并可以包括围绕基座10的侧壁的部分。基底板组件20可以包括围绕基座10的基底板22、联接到基底板22的上表面的上部夹环24U以及联接到基底板22的下表面的下部夹环24L。上部圆顶30可以联接到基底板组件20并且可以设置在基座10上且与基座10垂直地间隔开。上部圆顶30可以设置在基底板22与上部夹环24U之间，并且可以从基底板22与上部夹环24U之间延伸以覆盖基座10的上表面。处理空间PS可以是上部圆顶30与基座10之间的空间。下部圆顶40可以设置在基座10下面并可以联接到基底板组件20。下部圆顶40可以包括在基底板22与下部夹环24L之间的不透明部分40b和从不透明部分40b延伸到基座10下面的透明部分40a。衬垫组件50可以设置在上部圆顶30和下部圆顶40之间的基底板组件20的内侧壁上。衬垫组件50可以设置在基底板22的内侧壁上。基底板22可以包括金属材料。衬垫组件50可以包括诸如石英的材料，其能够保护基底板22不受待引入到处理空间PS中的工艺气体的影响。衬垫组件50可以包括第一衬垫52U和第二衬垫52L。第一衬垫52U可以接触基底板22的内侧壁和上部圆顶30。第二衬垫52L可以接触基底板22的内侧壁和下部圆顶40。半导体工艺室1可以包括穿过基底板22和衬垫组件50以与处理空间PS连通的气体入口通道60a和气体出口通道60b。在一些实施方式中，气体入口通道60a和气体出口通道60b可以彼此相对地定位。气体入口通道60a可以连接到将工艺气体供应到处理空间PS的气体供应源160。气体出口通道60b可以连接到排出空气、工艺气体和/或工艺副产品的真空泵160b。半导体工艺室1可以包括设置在基座10与衬垫组件50之间并连接到衬垫组件50的预热环70。预热环70可以围绕基座10。预热环70可以联接到衬垫组件50的第二衬垫50L的一部分并可以与基座10间隔开。预热环70可以与基座10共面。半导体工艺室1可包括从下方支撑基座10的多个销16和设置在多个销16下面并联接到多个销16的轴结构14。半导体工艺室1可以还包括在下部圆顶40下方的下部反射器80L、联接到下部反射器80L的下部灯82L、在上部圆顶30上方的上部反射器80U以及联接到上部反射器80U的上部灯82U。上部反射器80U和下部反射器80L中的每一个可以包括朝向基座10敞开的内部空间。下部灯82L可以设置在下部反射器80L的内部空间中。上部灯82U可以设置在上部反射器80U的内部空间中。半导体工艺室1可以包括设置在其上部区域中的上部温度传感器90U和设置在其下部区域中的下部温度传感器90L。上部温度传感器90U可以朝向半导体晶片100设置以测量在处理空间PS中的半导体工艺期间半导体晶片100的温度。下部温度传感器90L可以朝向基座10设置以测量基座10的温度。上部灯82U和下部灯82L可以供应用于在半导体工艺室1中执行半导体工艺所需的热。例如，下部灯82L可以直接加热基座10的下表面和预热环70的下表面。在一些实施方式中，被下部反射器80L反射的光可以加热基座10的下表面和预热环70的下表面。由上部灯82U产生的加热光可以直接加热预热环70的上表面、基座10的上表面的一部分以及半导体晶片100。在一些实施方式中，由上部反射器80U反射的加热光可以加热预热环70的上表面、基座10的上表面以及半导体晶片100。基座10和预热环70可以包括能够被上部灯82U和下部灯82L产生的加热光加热的材料。基座10和预热环70可以包括例如不透明的碳化硅和/或包覆的石墨。基座10和预热环70可以吸收从上部灯82U和下部灯82L产生的热。吸收的热可以从基座10和预热环70辐射。因此，从气体入口通道60a被引入处理空间PS的工艺气体可以在被预热环70加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺室，包括：基座；围绕所述基座的基底板；联接到所述基底板的上表面的上部夹环；联接到所述基底板的下表面的下部夹环；在所述基底板的内侧壁上的衬垫；从所述基底板和所述下部夹环延伸并覆盖所述基座的下表面的下部圆顶；和从所述基底板和所述上部夹环延伸并且覆盖所述基座的上表面的上部圆顶，所述上部圆顶包括：第一部分，联接在所述基底板与所述上部夹环之间；和从所述第一部分延伸并且比所述第一部分更透明的第二部分，其中所述第一部分包括设置在所述基底板与所述上部夹环之间的第一区域、从所述第一区域延伸并具有接触所述衬垫的上表面的下表面的第二区域、以及从所述第二区域延伸并在远离所述第二区域的方向上具有减小的厚度的第三区域，其中所述第二区域的所述下表面与所述第一区域的下表面共面。

【技术特征摘要】
2017.06.07 KR 10-2017-00706591.一种半导体工艺室，包括：基座；围绕所述基座的基底板；联接到所述基底板的上表面的上部夹环；联接到所述基底板的下表面的下部夹环；在所述基底板的内侧壁上的衬垫；从所述基底板和所述下部夹环延伸并覆盖所述基座的下表面的下部圆顶；和从所述基底板和所述上部夹环延伸并且覆盖所述基座的上表面的上部圆顶，所述上部圆顶包括：第一部分，联接在所述基底板与所述上部夹环之间；和从所述第一部分延伸并且比所述第一部分更透明的第二部分，其中所述第一部分包括设置在所述基底板与所述上部夹环之间的第一区域、从所述第一区域延伸并具有接触所述衬垫的上表面的下表面的第二区域、以及从所述第二区域延伸并在远离所述第二区域的方向上具有减小的厚度的第三区域，其中所述第二区域的所述下表面与所述第一区域的下表面共面。2.根据权利要求1所述的半导体工艺室，还包括设置在所述基座与所述衬垫之间的预热环。3.根据权利要求2所述的半导体工艺室，其中所述第三区域的至少一部分交叠所述预热环。4.根据权利要求1所述的半导体工艺室，其中所述第二区域具有与所述第一区域相同的厚度，并且其中所述第二区域与所述第一区域接合。5.根据权利要求1所述的半导体工艺室，其中所述第二区域具有与所述第一区域相同的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体工艺室，其中所述上部圆顶的所述第二部分包括具有第一厚度的第一区域以及具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二区域，并且其中所述第二部分的所述第二区域比所述第二部分的所述第一区域更靠近所述上部圆顶的所述第一部分。7.根据权利要求1所述的半导体工艺室，其中所述上部圆顶的所述第二部分具有上表面和下表面，所述上表面具有第一曲率半径，所述下表面具有大于所述第一曲率半径的第二曲率半径。8.根据权利要求1所述的半导体工艺室，所述上部圆顶的所述第二部分的至少一部分具有平坦的下表面和凸起的上表面。9.根据权利要求1所述的半导体工艺室，其中所述上部圆顶的所述第二部分包括第一层、第二层以及在所述第一层与所述第二层之间的空间。10.根据权利要求1所述的半导体工艺室，还包括：在所述上部圆顶上方的上部反射器；联接到所述上部反射器的上部灯；在所述下部圆顶下方的下部反射器；和联接到所述下部反射器的下部灯。11.一种半导体工艺室，包括：基...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴金锡，金傔，金利桓，金善政，朴判贵，柳廷昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR