电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备制造技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。提供即使当CB用于导电层时，也能够实现高耐泄漏性和由于重复使用而引起的暗部电位和亮部电位的变动的减少两者的电子照相感光构件。一种电子照相感光构件，其依次地包括：支承体、导电层、和感光层，其中导电层含有粘结剂树脂和炭黑，炭黑的数均一次粒径为200nm以上且500nm以下，炭黑的平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，颗粒间距离的变动系数为1.2以下，以及炭黑的SF‑1为150以下。

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及电子照相感光构件，以及包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
技术介绍
近来，已经积极地进行使用有机光导电性材料的电子照相感光构件(有机电子照相感光构件)的研究和开发。电子照相感光构件基本上包括支承体和在支承体上形成的感光层。然而，在当前状态下，存在其中为了遮盖支承体的表面缺陷、保护感光层免受电击穿、改善带电性、以及改善从支承体至感光层的电荷注入稳定性的目的，在支承体和感光层之间设置各种层的许多种情况。在支承体和感光层之间设置的层中，导电层遮盖了支承体的表面缺陷，由此扩大了支承体的表面缺陷的容许范围。结果，支承体的使用容许范围大大地扩大，因此存在可以改善电子照相感光构件的生产性的优点。另外，导电层中的炭黑(以下在一些情况下简称为CB)可以容易地形成为具有导电层的低电阻，因此几乎不发生图像形成期间的残余电位的增加，并且几乎不发生暗部电位和亮部电位的变动。日本专利申请特开No.2002-311629公开了在导电层中含有CB的电子照相感光构件。另外，近年来，通过电子照相法的输出图像的高清晰度正在进行中。已知的是，输出图像的高清晰度通过使感光层的薄膜化或增加感光层的带电电位(Vd电位)的绝对值(高Vd电位)的高对比度是有效的。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面的电子照相感光构件依次地包括：支承体、导电层和感光层，其中，导电层含有粘结剂树脂和炭黑，炭黑的数均一次粒径为200nm以上且500nm以下，炭黑的平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，颗粒间距离的变动系数为1.2以下，并且炭黑的SF-1为150以下。另外，本专利技术涉及可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，处理盒包括一体化支承的电子照相感光构件以及选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元。另外，本专利技术涉及包括电子照相感光构件、充电单元、曝光单元、显影单元和转印单元的电子照相设备。参照附图从以下示例性实施方案的描述，本专利技术的其它特征将变得显而易见。附图说明图1为示意性地示出静置泄漏试验(staticleaktest)设备的图。图2为示出包括具有根据本专利技术的实施方案的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造的实例的图。图3为用于说明导电层的体积电阻率的测量方法的俯视图。图4为用于说明导电层的体积电阻率的测量方法的截面图。图5A为用于说明当在连接颗粒间的线段上存在其它颗粒时导电层中炭黑(CB)的颗粒间距离的计算方法的图。图5B为用于说明当连接颗粒间的线段与其它颗粒彼此连接的另一条线段相交时导电层中CB的颗粒间距离的计算方法的图。具体实施方式现在将根据附图详细描述本专利技术的优选实施方案。根据本专利技术人的研究，日本专利申请特开No.2002-311629中公开的电子照相感光构件在抑制由于重复使用引起的暗部电位和亮部电位的变动方面优异，但是存在相对于感光层的薄膜化或高Vd电位导致感光层的绝缘击穿的泄漏问题。本专利技术的一方面在于提供能够实现高耐泄漏性和由于重复使用而引起的暗部电位和亮部电位的变动的减少两者的电子照相感光构件。在下文中，参照优选实施方案详细描述本专利技术。作为由本专利技术人进行的研究的结果，发现日本专利申请特开No.2002-311629中描述的技术不能形成具有适合的电阻的导电层并且具有低的耐泄漏性。可以理解，在日本专利申请特开No.2002-311629中描述的技术的构成中，直至达到泄漏的时间短，并且在静置泄漏试验中的耐泄漏时间和通过真机的泄漏频率的趋势很好地匹配。将耐泄漏时间定义为施加电压后直至达到泄漏的时间。为了解决在上述日本专利申请特开No.2002-311629中描述的技术的问题，本专利技术人在专注于用于导电层的CB，特别是CB的形状和分散程度的同时进行了研究。作为上述研究的结果，可以理解上述问题可以通过使用如下电子照相感光构件来解决，其中炭黑(CB)的数均一次粒径为200nm以上且500nm以下，导电层中CB的平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，CB的颗粒间距离的变动系数为1.2以下，并且炭黑的SF-1为150以下。此处，SF-1通过以下等式(1)来定义。[等式1]等式(1)中的L是CB截面的最大长度。换言之，SF-1表示CB截面的最大长度L作为直径的圆面积与CB截面积的以百分比计的比例，并且是表示圆形度的形状系数。随着形状越接近正圆，SF-1的值越接近100，并且随着形状越细和越长值越大，因此换言之，SF-1的值表示CB的长径/短径之间的差(形变)。当SF-1的值为150以下时，这意味着导电层的截面中的CB的形状为接近圆的基本球形。认为为何通过上述构成大大地改善耐泄漏性的原因是由于以下所示的推定机制。作为由本专利技术人进行的研究的结果，可以理解当在上述静置泄漏试验中导电层相同时，耐泄漏时间相对于施加至感光层的电场强度指数地减小。此外，认为施加至感光层的电压超过绝缘击穿电压，导致感光层的泄漏。即，当将预定水平以上的电场强度施加至感光层时，感光层劣化(降低绝缘击穿电压)以达到泄漏，其中认为感光层的劣化程度相对于施加至感光层的电场强度指数地增加。电子照相感光构件的导电层通过将导电性颗粒分散在绝缘性树脂中来确保导电性，并且通过电子导电机构来显示导电性。电子导电机构是其中如通常在渗流模型(percolationmodel)中所说明的，分散在绝缘性树脂中的导电性颗粒形成导电路径以使电流动的机构。当CB用作导电性颗粒时，由于CB的体积电阻值低，因此预期存在其中鉴于宏观方面作为导电层体积电阻值是适合的，但是鉴于微观方面，体积电阻值非常低的局部部位。因此，认为上述感光层在局部部位具有劣化的电场强度，因此耐泄漏性低。因此，认为特别地当使用如CB等的具有低体积电阻率的导电剂时，需要构成为使得电场甚至不局部地集中。即，认为分散数均一次粒径为200nm以上且500nm以下的CB，以使得平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，CB的颗粒间距离的变动系数为1.2以下，并且CB的SF-1为150以下是重要的。根据本专利技术的实施方案的CB的特征在于如上所述的SF-1为150以下。在导电层的截面中确定SF-1，并且通过其中SF-1在上述范围内即接近圆形的形状，使得不存在电场集中于本身具有低体积电阻值的CB的点，并且因此使电场强度不会局部地增加。然而，当具有低体积电阻值的CB聚集时，可以认为其是一个导电体。因此，当确定SF-1时，不是通过使用CB的一次颗粒来确定，而是需要通过使用聚集体作为一个导电体来确定SF-1。此外，为了准确地评价由导电体的形状引起的电场集中，认为需要进行三维分析。即，当确认导电层的截面上的CB的聚集体时，即使CB实际上是三维聚集，也存在一些根据截面的截取方法观察CB好像CB作为一次颗粒存在的情况。然而，由于为了SF-1的确定而计算在截面上可以确认的多个CB的平均值，因此认为即使一部分聚集体显示为CB的一次颗粒，也几乎不影响SF-1的值。另外，即使截面上的所有CB都显示为一次颗粒，也存在一些在三维中混合聚集的CB的情况。同样在该情况下，从由大量的CB计算SF-1的观点，在截面上不能观察到的聚集的数量对泄漏具有小的影响，因此从截面的评价实际上是充分的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子照相感光构件，其依次地包括：支承体、导电层、和感光层，其特征在于，所述导电层含有粘结剂树脂和炭黑，所述炭黑的数均一次粒径为200nm以上且500nm以下，所述炭黑的平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，颗粒间距离的变动系数为1.2以下，以及所述炭黑的SF‑1为150以下。

【技术特征摘要】
2017.06.06 JP 2017-1116641.一种电子照相感光构件，其依次地包括：支承体、导电层、和感光层，其特征在于，所述导电层含有粘结剂树脂和炭黑，所述炭黑的数均一次粒径为200nm以上且500nm以下，所述炭黑的平均颗粒间距离为200nm以上且600nm以下，颗粒间距离的变动系数为1.2以下，以及所述炭黑的SF-1为150以下。2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述导电层具有105Ω·cm以上且1012Ω·cm以下的体积电阻率。3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述导电层中所述炭黑的含量相对于所述导电层的总体积为15体积％以上且35体积％以下。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤太一，久野纯平，加来贤一，姉崎隆志，藤井淳史，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP