【技术实现步骤摘要】
一种多铁性Ni/PMN-PT异质结的制备方法
本专利技术涉及一种多铁性Ni/PMN-PT异质结的制备方法。
技术介绍
多铁性异质结同时具有铁电有序和磁有序两种有序结构，两种有序间的耦合作用可产生丰富的物理现象。利用铁磁/铁电间的耦合作用实现电场对磁性的调控，有望尽早实现超低能耗、高密度信息存储等应用。目前，异质结的制备技术主要有脉冲激光沉积法（PLD）、分子束外延法（MBE）、磁控溅射法、溶胶-凝胶旋涂法等。其中PLD、MBE制备法对薄膜的生长参数要求都比较严格，且两种方法都存在着设备昂贵，日常维护花销高昂等弊端;溶胶-凝胶制备法虽成本低、设备简单，但由于有机溶剂的挥发易使生长的薄膜表面形成孔洞；而磁控溅射法在较低工作气压下即可快速、均匀镀膜，且具有操作简单，条件易控制等优势。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多铁性Ni/PMN-PT异质结的制备方法。本专利技术通过下面技术方案实现：一种多铁性Ni/PMN-PT异质结的制备方法，包括如下步骤：采用磁控溅射法生长Ni铁磁薄膜，将尺寸为4mm×3mm×0.2mm的PMN-PT(110)单晶基片清洗，氮气枪吹干后用导电银浆固定在样品托盘上，加热60-70℃烘干后送入磁控设备的沉积腔内；抽真空，使腔内真空度高达10-7Torr，溅射功率为65-75W，生长温度为185-195℃，生长15-25min，温度降至室温即得；各原料均为重量份。优选地，所述的制备方法中，加热65℃烘干后送入磁控设备的沉积腔内。优选地，所述的制备方法中，溅射功率为70W。优选地，所述的制备方法中，生长温度为190℃。优选地，所述的制备方...
【技术保护点】
1.一种多铁性Ni/PMN‑PT异质结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：采用磁控溅射法生长Ni铁磁薄膜，将尺寸为4mm×3mm×0.2mm的PMN‑PT(110)单晶基片清洗，氮气枪吹干后用导电银浆固定在样品托盘上，加热60‑70℃烘干后送入磁控设备的沉积腔内；抽真空，使腔内真空度高达10‑7Torr，溅射功率为65‑75W，生长温度为185‑195℃，生长15‑25min，温度降至室温即得；各原料均为重量份。
【技术特征摘要】
1.一种多铁性Ni/PMN-PT异质结的制备方法，其特征在于包括如下步骤：采用磁控溅射法生长Ni铁磁薄膜，将尺寸为4mm×3mm×0.2mm的PMN-PT(110)单晶基片清洗，氮气枪吹干后用导电银浆固定在样品托盘上，加热60-70℃烘干后送入磁控设备的沉积腔内；抽真空，使腔内真空度高达10-7Torr，溅射功率为65-75W，生长温度为185...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：启东创潞新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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