显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置。所述显示装置包括基底、位于基底上的第一晶体管和第二晶体管、连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者的第一电极、面对第一电极的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光构件，其中，第一晶体管包括：第一沟道，包括位于基底上的多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，位于第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖第一栅电极，第二晶体管包括：第二栅电极，位于第一绝缘栅上；第二沟道，包括位于第二栅电极上的氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，位于第二沟道上；以及外部光阻挡构件，位于第二源电极和第二漏电极上并与第二沟道叠置。

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2017年6月5日提交的第10-2017-0069782号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
专利技术的示例性实施例涉及一种显示装置。
技术介绍
通常，作为显示装置，使用诸如液晶显示(“LCD”)装置和有机发光装置(也称为有机发光二极管(“OLED”)显示装置)等的显示装置。具体地，OLED显示装置包括两个电极和置于其间的有机发光层。从作为电极的阴极注入的电子和从作为另一电极的阳极注入的空穴在有机发光层中彼此结合以形成激子。当激子释放能量时发射光。OLED显示装置包括含有OLED的多个像素，所述OLED包括阴极、阳极和有机发光层。在每个像素中设置用于驱动OLED的多个薄膜晶体管(“TFT”)和电容器。TFT包括栅电极、源电极、漏电极和半导体。半导体是决定TFT特性的重要因素。半导体主要包括硅(Si)。根据结晶类型将硅分为非晶硅和多晶硅，其中，非晶硅具有简单的制造工艺但具有低电荷迁移率，使得制造高性能TFT存在限制，多晶硅具有高电荷迁移率，但是要求使硅结晶化的工艺，使得制造成本增加并且工艺复杂。近来，对使用具有比非晶硅高的导通/截止比和载流子迁移率以及比多晶硅低的成本和高的均匀性的氧化物半导体的TFT的研究已经取得进展。
技术实现思路
通常，包括氧化物半导体的晶体管具有底栅结构。然而，由于氧化物半导体在底栅结构中被暴露在外部，所以容易由于外部光而产生泄漏电流。示例性实施例涉及一种使泄漏电流最小化的显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上并彼此分开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者；第二电极，面对第一电极；以及发光构件，设置在第一电极和第二电极之间，其中，第一晶体管包括：第一沟道，设置在基底上并包括多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，设置在第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖第一栅电极，而第二晶体管包括：第二栅电极，设置在第一绝缘栅上；第二沟道，设置在第二栅电极上并包括氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，设置在第二沟道上；以及外部光阻挡构件，设置在第二源电极和第二漏电极上并与第二沟道叠置。在示例性实施例中，还可以包括向发光构件传输驱动电压的驱动电压线，其中，驱动电压线可以包括在第一方向上延伸的第一驱动电压线和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二驱动电压线，并且外部光阻挡构件可以与第一驱动电压线设置在同一层中。在示例性实施例中，外部光阻挡构件可以连接到第一驱动电压线。在示例性实施例中，还可以包括位于第二源电极和第二漏电极与外部光阻挡构件之间的第二绝缘层，并且第二绝缘层可以包括有机材料。在示例性实施例中，还可以包括：第一扫描线，设置在基底上并传输第一扫描信号；第二扫描线，设置在基底上并传输与第一扫描信号相反的第二扫描信号；以及数据线，与第一扫描线和第二扫描线交叉并传输数据电压，第一晶体管还可以包括：开关晶体管，连接到第一扫描线和数据线；以及驱动晶体管，连接到开关晶体管，第二晶体管还可以包括由第二扫描信号导通的补偿晶体管，补偿晶体管可以包括与第二扫描线叠置的第一氧化物半导体构件，第二沟道可以包括设置在第一氧化物半导体构件中的补偿沟道，并且补偿沟道可以在平面图中与外部光阻挡构件叠置。在示例性实施例中，还可以包括：第三扫描线，平行于第一扫描线延伸并传输第三扫描信号；以及初始化电压线，传输使驱动晶体管初始化的初始化电压，第二晶体管还可以包括根据第三扫描信号而导通以向驱动晶体管的驱动栅电极传输初始化电压的初始化晶体管，初始化晶体管可以包括与第三扫描线叠置的第二氧化物半导体构件，第二沟道还可以包括设置在第二氧化物半导体构件中的初始化沟道，并且初始化沟道可以与外部光阻挡构件叠置。在示例性实施例中，还可以包括传输旁路控制信号的旁路控制线，第二晶体管还可以包括根据旁路控制信号而导通以旁通由驱动晶体管传输的驱动电流的一部分的旁路晶体管，旁路晶体管可以包括与旁路控制线叠置的第三氧化物半导体构件，第二沟道还可以包括设置在第三氧化物半导体构件中的旁路沟道，并且旁路沟道可以与外部光阻挡构件叠置。在示例性实施例中，数据线和第一驱动电压线可以设置在彼此不同的层中。在示例性实施例中，第一扫描线和初始化电压线可以设置在彼此相同的层中，并且第二扫描线、第三扫描线和旁路控制线可以设置在彼此相同的层中。在示例性实施例中，补偿沟道、初始化沟道和旁路沟道可以被设置为彼此分开。在示例性实施例中，第二栅电极可以包括：补偿栅电极，作为第二扫描线的一部分并与补偿沟道叠置；初始化栅电极，作为第三扫描线的一部分并与初始化沟道叠置；以及旁路栅电极，作为旁路控制线的一部分并与旁路沟道叠置。在示例性实施例中，第二源电极可以包括：补偿源电极，与数据线设置在同一层中并与第一氧化物半导体构件部分地叠置；初始化源电极，与数据线设置在同一层中并与第二氧化物半导体构件部分地叠置；以及旁路源电极，与数据线设置在同一层中并与第三氧化物半导体构件部分地叠置。在示例性实施例中，第二漏电极可以包括：补偿漏电极，与数据线设置在同一层中并与第一氧化物半导体构件部分地叠置；初始化漏电极，与数据线设置在同一层中并与第二氧化物半导体构件部分地叠置；以及旁路漏电极，与数据线设置在同一层中并与第三氧化物半导体构件部分地叠置。在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到驱动栅电极的第一连接构件，并且，驱动栅电极可以与第二驱动电压线叠置，第一连接构件可以包括补偿漏电极和初始化漏电极。在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到第一晶体管的一部分的第二连接构件，并且第二连接构件可以包括补偿源电极。在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到初始化电压线的第三连接构件，并且第三连接构件可以包括初始化源电极和旁路漏电极。在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中的第四连接构件，并且第四连接构件可以包括旁路源电极。在示例性实施例中，还可以包括与数据线设置在同一层中并连接到第二驱动电压线的第五连接构件。在示例性实施例中，还可以包括与第一驱动电压线设置在同一层中并连接到第四连接构件的第六连接构件。在示例性实施例中，外部光阻挡构件可以包括第一边界线和第二边界线，并且第一边界线与第二沟道在宽度方向上的平面的第一间隔大于第二边界线与第二沟道在长度方向上的平面的第二间隔。此外，根据示例性实施例的显示装置可以包括：基底；第一扫描线，设置在基底上并传输第一扫描信号；数据线，与第一扫描线交叉并传输数据电压；包括多晶半导体构件的第一晶体管和包括氧化物半导体构件的第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管设置在基底上并彼此分开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一者；第二电极，面对第一电极；发光构件，设置在第一电极和第二电极之间；以及驱动电压线，向发光构件传输驱动电压，其中，驱动电压线与数据线设置在不同的层上，并且从驱动电压线延伸的外部光阻挡构件与氧化物半导体构件叠置并且设置在氧化物半导体构件上。根据示例性实施例，可以在没有添加掩模的情况下，使由于外部光引起的泄漏电流最小化。此外，可以使反射率最小化并且可以制造具有高分辨率的显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一晶体管，设置在所述基底上，并且包括：第一沟道，设置在所述基底上并包括多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，设置在所述第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与所述第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖所述第一栅电极，第二晶体管，设置在所述基底上，与所述第一晶体管分开，并且包括：第二栅电极，设置在所述第一绝缘层上；第二沟道，设置在所述第二栅电极上并包括氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，设置在所述第二沟道上；以及外部光阻挡构件，设置在所述第二源电极和所述第二漏电极上并与所述第二沟道叠置，第一电极，连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一者；第二电极，面对所述第一电极；以及发光构件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。

【技术特征摘要】
2017.06.05 KR 10-2017-00697821.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一晶体管，设置在所述基底上，并且包括：第一沟道，设置在所述基底上并包括多晶半导体构件；第一源电极和第一漏电极，设置在所述第一沟道的相应的相对侧；第一栅电极，与所述第一沟道叠置；以及第一绝缘层，覆盖所述第一栅电极，第二晶体管，设置在所述基底上，与所述第一晶体管分开，并且包括：第二栅电极，设置在所述第一绝缘层上；第二沟道，设置在所述第二栅电极上并包括氧化物半导体构件；第二源电极和第二漏电极，设置在所述第二沟道上；以及外部光阻挡构件，设置在所述第二源电极和所述第二漏电极上并与所述第二沟道叠置，第一电极，连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一者；第二电极，面对所述第一电极；以及发光构件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：驱动电压线，向所述发光构件传输驱动电压，其中，所述驱动电压线包括在第一方向上延伸的第一驱动电压线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二驱动电压线，并且所述外部光阻挡构件与所述第一驱动电压线设置在同一层中。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述外部光阻挡构件连接到所述第一驱动电压线。4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二绝缘层，位于所述第二源电极和所述第二漏电极与所述外部光阻挡构件之间，并且所述第二绝缘层包括有机材料。5.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一扫描线，设置在所述基底上并传输第一扫描信号；第二扫描线，设置在所述基底上并传输与所述第一扫描信号相反的第二扫描信号；以及数据线，与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉并传输数据电压，所述第一晶体管还包括：开关晶体管，连接到所述第一扫描线和所述数据线；以及驱动晶体管，连接到所述开关晶体管，所述第二晶体管还包括：补偿晶体管，由所述第二扫描信号导通，所述补偿晶体管包括与所述第二扫描线叠置的第一氧化物半导体构件，所述第二沟道包括设置在所述第一氧化物半导体构件中的补偿沟道，并且所述补偿沟道在平面图中与所述外部光阻挡构件叠置。6.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：第三扫描线，平行于所述第一扫描线延伸并传输第三扫描信号；以及初始化电压线，传输使所述驱动晶体管初始化的初始化电压，所述第二晶体管还包括根据所述第三扫描信号而导通并向所述驱动晶体管的驱动栅电极传输所述初始化电压的初始化晶体管，所述初始化晶体管包括与所述第三扫描线叠置的第二氧化物半导体构件，所述第二沟道还包括设置在所述第二氧化物半导体构件中的初始化沟道，所述初始化沟道与所述外部光阻挡构件叠置。7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：旁路控制线，传输旁路控制信号，所述第二晶体管还包括根据所述旁路控制信号而导通并旁通由所述驱动晶体管传输的驱动电流的一部分的旁路晶体管，所述旁路晶体管包括与所述旁路控制线叠置的第三氧化物半导体构件，所述第二沟道还包括设置在所述第三氧化物半导体构件中的旁路沟道，并且所述旁路沟道与所述外部光阻挡构件叠置。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述数据线和所述第一驱动电压线设置在彼此不同的层中。9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一扫描线和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金智善，姜章美，李仙花，田武泾，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR