半导体用基板及其制造方法技术

技术编号:19749017 阅读:29 留言:0更新日期:2018-12-12 05:22
本发明专利技术提供即使在进行了成膜、高温加热处理的情况下也无变形或者变形小的半导体用基板及其制造方法。该半导体用基板具有:具有凸状的SORI的一面、和具有与该SORI相同程度的凹状的SORI的另一面,并且厚度偏差为3μm以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体用基板及其制造方法
本专利技术涉及半导体用基板及其制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路(LSI:LargeScaleIntegration)、TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器,ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)中,微细化、高速动作的要求高涨,在半导体用基板上所制作的膜逐渐变得更为致密。就多晶硅TFT用的基板而言,如果其平坦性受损,则在液晶显示装置制造工序中将玻璃晶片夹紧时、机器人搬运时,产生不吸附或不能把持等不利情形,或者在形成多晶硅TFT的过程的施以微细的图案的光刻工序中,产生图案的重合变差等不利情形。另外,对于液晶面板而言,如果2张透明玻璃体之间的平坦度相配,被夹持于其中的液晶的膜厚也难以变得均匀,产生色斑等,也产生品质上的不利情形。进而,在使用多晶硅薄膜制造TFT-LCD的情况下,由于处理温度到达1000℃以上,因此基板发生粘性变形,产生翘曲变形。为了解决这些问题,例如,在专利文献1中提出了如下方法:通过抑制羟基浓度和氯浓度的含量,从而提供耐热性优异并且由高纯度的石英玻璃材料构成的有源元件基板。另外,在专利文献2中提出了如下方法:通过在基板的正面和背面形成氮化硅膜,从而使氮化硅膜的应力在基板的正面和背面抵消,不发生基板的翘曲。进而,在专利文献3中公开了如下方法:通过使用使氟浓度在一定范围内并且基本上不含碱金属氧化物的石英玻璃,从而使由估计温度引起的密度变化变小,得到高温处理前后的尺寸稳定性优异的多晶硅TFT式LCD用石英玻璃基板。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平6-11705号公报专利文献2:日本特开平11-121760号公报专利文献3:日本特开2005-215319号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是,在专利文献1的方法中,即使提高了石英玻璃材料的平坦性,也不能抑制其后的多晶硅薄膜的膜应力引起的变形。另外,在专利文献2的方法中,只要不在基板的正面和背面形成相同的膜,就不能消除翘曲的发生,但TFT侧和滤色器侧的两面由相同的膜构成的情况不常见,因此即便是该方法也难以抑制变形。进而,即使是专利文献3的方法,虽然高温处理前后的尺寸稳定性优异,但也不能抑制膜应力引起的变形。本专利技术鉴于上述实际情况而完成,目的在于提供即使在进行了成膜、高温加热处理的情况下也无变形或者变形小的半导体用基板及其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术人为了实现上述目的锐意研究,结果发现:使用在半导体用基板的制造中通常使用的两面磨光装置、单面磨光装置、两面研磨装置或单面研磨装置这样的制造装置,能够低成本且再现性良好地制造任意地控制SORI、BOW并且厚度偏差小的半导体用基板;更具体地,通过采用上述装置,以半导体用基板由于膜应力、高温加热处理而变形为前提,预先考虑这些的变形量来有意地制作在与这些变形相反的方向上翘曲的形状的基板,从而得到即使在进行了成膜、高温加热处理的情况下也无变形或变形小的半导体用基板,完成了本专利技术。本专利技术提供:1.半导体用基板,其特征在于,具有:具有凸状的SORI的一面、和具有与所述SORI相同程度的凹状的SORI的另一面,并且厚度偏差为3μm以下;2.1所述的半导体用基板,其中,所述各面的SORI为50~600μm;3.1或2所述的半导体用基板,其中,所述具有凸状的SORI的一面的BOW为+25~+300;4.1~3中任一项所述的半导体用基板,其中,所述具有凹状的SORI的另一面的BOW为-25~-300;5.1~4中任一项所述的半导体用基板,其中,厚度为0.5~3mm;6.1~5中任一项所述的半导体用基板,其中,所述半导体用基板的形状俯视为直径100~450mm的圆形或对角线长100~450mm的矩形;7.1~6中任一项所述的半导体用基板,其为合成石英玻璃制;8.1~7中任一项所述的半导体用基板,其为多晶硅TFT用基板;9.半导体用基板的制造方法,其特征在于,具有:准备工序,其中,准备转印用原板,该转印用原板具有正面和背面,相对于通过将这些正面和背面的中心点连接的中心线上的中间点且与所述中心线正交的面,具有所述正面和背面对称地相向的SORI和厚度偏差;转印工序,其中,以夹持所述转印用原板的方式将2张原料基板设置于两面磨光装置,对所述各原料基板的与所述转印用原板不相接的面进行加工,从而制作分别在单面转印有所述转印用原板的形状的2张转印基板;磨光工序,通过对所述转印基板的两面进行磨光,或者通过只对在所述转印工序中未转印有所述转印用原板的形状的所述转印基板的面进行磨光,从而制作磨光加工基板;对所述磨光加工基板的两面或单面进行研磨;10.半导体用基板的制造方法,其特征在于,具有:准备工序,其中,准备转印用原板,该转印用原板具有正面和背面,相对于通过将这些正面和背面的中心点连接的中心线上的中间点且与所述中心线正交的面,所述正面和背面中的任一个面为平行,并且所述正面和背面中与原料基板相接的另一面相对于所述中心线正交且相对于所述中心线对称;转印工序,其中,以与所述转印用原板的所述另一面相接的方式将原料基板设置于单面磨光装置,对所述原料基板的与所述转印用原板不相接的面进行加工,制作在单面转印有所述转印用原板的形状的转印基板;磨光工序,通过对所述转印基板的两面进行磨光,或者通过只对在所述转印工序中未转印有所述转印用原板的形状的所述转印基板的面进行磨光,从而制作磨光加工基板;对所述磨光加工基板的两面或单面进行研磨。专利技术的效果根据本专利技术,能够提供预先考虑了膜应力、高温加热处理产生的半导体用基板的变形的具有规定的SORI和厚度偏差的半导体用基板。因此,即使在其后进行了成膜、高温加热处理的情况下,也得到所期望的形状的半导体用基板。另外,就本专利技术的半导体用基板而言,能够使用半导体用基板的制造中通常使用的两面磨光装置、单面磨光装置、或者两面研磨装置、单面研磨装置以低成本、再现性良好地制造。附图说明图1表示本专利技术的半导体用基板的SORI的形态,(A)表示中心对称地翘曲为凸状的状态,(B)表示凸状的顶点从中心在Y轴方向上偏移的翘曲为凸状的状态,(C)表示翘曲为线对称的凸状的状态。应予说明,面上内部的曲线是表示高度的等高线。图2为本专利技术的半导体用基板的SORI的说明图,s表示最小二乘平面,a表示面s与半导体用基板A的正面的距离的最小值,b表示面s与半导体用基板A的正面的距离的最大值。图3为本专利技术的半导体用基板的BOW的说明图,e表示正面和背面的中间面,S2表示由e得到的基准面,f表示基板中心线,就与f交叉的S2与e的距离而言,以如果e为S2的上侧则称为+d、如果为S2的下侧则称为-d的方式对d加上符号而得到的值定义为BOW。图4为表示本专利技术的半导体用基板的厚度偏差c的图。图5为表示使用了本专利技术的第1实施方式涉及的两面磨光装置的转印工序的概略图。图6为表示第1实施方式中使用的具有中心对称的SORI的转印用原板的侧面图。图7为表示使用了第1实施方式涉及的两面磨光装置的磨光工序的概略图。图8为表示使用了本专利技术的第2实施方式涉及的单面磨光装置的转印工序的概略图。图9为表示第2实施方式中使用的具有中心对称的SORI的转印用原板的侧面图。图10为表示使用了第2实施方式涉及的单面磨本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.半导体用基板,其特征在于,具有:具有凸状的SORI的一面、和具有与所述SORI相同程度的凹状的SORI的另一面,并且厚度偏差为3μm以下。

【技术特征摘要】
2017.06.02 JP 2017-109696;2018.05.07 JP 2018-089001.半导体用基板,其特征在于,具有:具有凸状的SORI的一面、和具有与所述SORI相同程度的凹状的SORI的另一面,并且厚度偏差为3μm以下。2.根据权利要求1所述的半导体用基板,其中,所述各面的SORI为50~600μm。3.根据权利要求1或2所述的半导体用基板,其中,所述具有凸状的SORI的一面的BOW为+25~+300。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体用基板,其中,所述具有凹状的SORI的另一面的BOW为-25~-300。5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体用基板,其中,厚度为0.5~3mm。6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体用基板,其中,所述半导体用基板的形状俯视为直径100~450mm的圆形或对角线长100~450mm的矩形。7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体用基板,其为合成石英玻璃制。8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体用基板,其为多晶硅TFT用基板。9.半导体用基板的制造方法,其特征在于,具有:准备工序,其中,准备转印用原板,该转印用原板具有正面和背面,相对于通过将这些正面和背面的中心点连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:上田修平竹内正树冈藤大雄
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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