一种定位场区域的边界的方法技术

本发明专利技术提供了一种定位场区域的边界的方法，所述定位场区域的边界的方法包括：提供基底，所述基底上形成有场区域；形成指示环，所述指示环于所述基底上且围绕所述场区域。在本发明专利技术提供的定位场区域的边界的方法中，通过形成围绕场区域的指示环达到快速准确定位场区域的边界的目的，由于指示环与场区域上膜层是同时形成，不需要额外的工艺或步骤，在不增加成本的情况下带来便利，在工艺过程中使得检测查找等更快速的场区域的实现定位，提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种定位场区域的边界的方法
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种定位场区域的边界的方法。
技术介绍
在集成电路设计中，位于晶圆中的小尺寸芯片器件通常设置在较大的场区域(field)内，因此在场区域中会形成数量众多且较窄的切割道(scribelane)。由于切割道的数量众多，在工艺需要以及进行检测时等情况下通常难以便捷定位场区域的边界，从而带来操作上的不便，增加了操作时长或发生人工定位错误等不利影响。因此，如何提供一种定位场区域的边界的方法是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种定位场区域的边界的方法，以达到便捷的定位场区域的边界的目的。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种定位场区域的边界的方法，所述定位场区域的边界的方法包括：提供基底，所述基底上形成有场区域；形成指示环，所述指示环于所述基底上且围绕所述场区域。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环的数量为多个，多个所述指示环在同一平面内等间距排列。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环的数量为2个，2个所述指示环在同一平面内的间距为2μm～5μm。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环的线宽在2μm以下。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环由多个线段环绕组成。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述线段的长度在10μm以上。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环形成在多个膜层中。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，还包括：形成套准测量图形和/或产品测试图形于所述指示环的内侧。可选的，在所述定位场区域的边界的方法中，所述指示环的材料包括铜、铝和/或氮化硅。综上所述，在本专利技术提供的定位场区域的边界的方法中，通过形成围绕场区域的指示环达到快速准确定位场区域的边界的目的，由于指示环与场区域上膜层是同时形成，不需要额外的工艺或步骤，在不增加成本的情况下带来便利，在工艺过程中使得检测查找等更快速的场区域的实现定位，提高工作效率。附图说明图1是本专利技术实施例的一种定位场区域的边界的方法的流程图；图2是本专利技术一实施例的场区域以及指示环的结构示意图；图3是本专利技术另一实施例的场区域以及指示环的结构示意图；图4是本专利技术还一实施例的场区域以及指示环的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。本专利技术的核心思想在于为场区域(field)提供更佳的定位寻找方式，通过围绕场区域的指示环来便捷的定位场区域，并且指示环的形成与场区域上形成的膜层是同时形成，从而不需要增加额外的工艺或步骤就达到形成指示环的目的，没有增加成本而通过指示环带来定位的便利，专利技术人在工作中的积累对此付出了创造性的劳动。参考如图1至4所示，本专利技术提供一种定位场区域的边界的方法，所述定位场区域的边界的方法包括：提供基底，所述基底上形成有场区域(field)10，场区域指在光罩下图形成像时设定于晶圆(wafer)上的一区域大小，曝光工作台将晶圆不断移动各个场区域的位置进行曝光，直到覆盖整片晶圆，根据不同晶圆的尺寸大小，基底上通常具有众多场区域，每个场区域内可具有多个芯片(chip)结构，为了方便描述，在本实施例中仅以单个场区域下的实施方式，由此可沿及整个晶圆；形成指示环20，所述指示环20位于所述基底上且围绕所述场区域10，所述指示环20在所述场区域10上形成膜层时同时形成，也就是指示环的形成不需要增加额外的工艺或步骤，可在设置掩膜版时增加指示环的图形，当在场区域中形成器件需要的膜层时即在场区域的外围形成指示环的实体结构。参考图2所示，为了更佳的达到辨识的效果，所述指示环20的数量为多个，多个所述指示环在同一平面内等间距排列，当在观测范围内时，即可较快的被辨认出。继续参考图2所示，所述指示环20的数量为2个，2个所述指示环20在同一平面内的间距为2μm～5μm，间距可为2μm、3μm、4μm或5μm，通过2个指示环以及合适的间距达到较佳的效果。原则上，数量越多越显著，但由此会增加占用的面积。在本实施例中，所述指示环20的线宽在2μm以下，由于指示环位于切割道(scribelane)上，当指示环的线宽太大时将会占用晶圆上较大面积，可根据产品的实际需要以及观测精度等来合理设置1μm或2μm以及其它宽度范围。如图3所示，所述指示环由20多个线段环绕组成，也就是采用线段的方式，增加辨认特点。在本实施例中，指示环的形状结构是常规的规则的条块状，在此形状基础上的结构变形依然是为了实现定位及区别场区域的边界的作用。可选的，所述线段的长度为10μm以上，可通过相同或不同长度的线段来组成指示环，线段之间的间距可以设定小于切割道的宽度或者小于芯片尺寸大小的宽度，当指示环出在观测范围内时，即可以较为快速的得到场区域的边界。在本实施例中，所述指示环20形成在多个膜层中，在场区域中的器件通常需要形成多个膜层，也就在多个膜层中都形成有一部分指示环的结构层，从而在不同的工艺后进行查找观测或在不同层间进行查找观测都可以找到对应的指示环的结构层，从而达到层间进行定位场区域的边界的目的，当然对于形成的层间介质层或膜层很薄的情况等，如果不容易发生不良现象或不需要进行观测的膜层等，也可以在对应的膜层中不形成指示环的结构层。当然，也可以采用额外的工艺步骤，形成特定的指示环，在场区域形成膜层时，可以对应膜层上形成独立的结构图形，由此可以形成区别于对应膜层的材料及结构组成。进一步的，所述定位场区域的边界的方法还包括：形成套准测量图形(photomarks)30和/或产品测试图形(WATkeys)30于所述指示环的内侧，也就是在靠近指示环的内侧形成其它标记图形如套准测量图形30或产品测试图形30，当定位到场区域的边界也就可以很方便的查找到其它的标记图形，从而提高工作效率。可选的，所述指示环20的材料包括铜、铝和/或氮化硅，也就是形成铜层、铝层或氮化硅层的结构，从而在光学电子显微镜下可以较佳的分辨出指示环来。此外，如果对于指示环的结构或外形上的变换，即形成其它的图形样式的指示环，均是起到定位场区域的边界的作用，也就属于本专利技术所述保护的范围内。在具体的实施方式中，如图4中所示，相临的指示环20之间可以进行重叠利用，以提高利用率，较佳的实现指示的目的并节约空间面积，还可以对指示环的数量、结构、尺寸和材料等形成多种组合方式，例如，在不同层之间的指示环可以具有不同的尺寸关系或形成不同长短的线段结构等，也可以形成于间隔的膜层上，在垂直方向上应将指环作为一个整体来定位场区域的边界，通过多种不同的组合方法来适应不同产品的需要，从而可以来于校准和显影后检测(ADI，AfterDevelopmentInspection)，尤其可辅助于尺寸测量工具的定位。综上所述，在本专利技术提供的定位场区域的边界的方法中，通过形成围绕场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种定位场区域的边界的方法，其特征在于，所述定位场区域的边界的方法包括：提供基底，所述基底上形成有场区域；形成指示环，所述指示环位于所述基底上且围绕所述场区域，所述指示环在所述场区域上形成膜层时同时形成。

【技术特征摘要】
1.一种定位场区域的边界的方法，其特征在于，所述定位场区域的边界的方法包括：提供基底，所述基底上形成有场区域；形成指示环，所述指示环位于所述基底上且围绕所述场区域，所述指示环在所述场区域上形成膜层时同时形成。2.根据权利要求1所述定位场区域的边界的方法，其特征在于，所述指示环的数量为多个，多个所述指示环在同一平面内等间距排列。3.根据权利要求2所述定位场区域的边界的方法，其特征在于，所述指示环的数量为2个，2个所述指示环在同一平面内的间距为2μm～5μm。4.根据权利要求1所述定位场区域的边界的方法，其特征在于，所述指示环的线宽在2μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾以理，李伟峰，沈惠平，刘夏英，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31