半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在封装主体的底面包括突起部的半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体封装件包括半导体芯片，该半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在封装主体的底面露出；以及突起部，其从封装主体的底面相对于多个电极突出，突起部以在与多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体封装件、半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，已知有在具有半导体芯片的半导体封装件设置突起部而成的半导体装置(例如，参照专利文献1-3)。专利文献1：日本特开平7-249707号公报专利文献2：日本特开2006-210956号公报专利文献3：日本特开平3-147353号公报
技术实现思路
技术问题然而，在以往的半导体装置中，通过流焊工序将半导体封装件安装于基板的表面时，具有焊锡未良好地进入半导体封装件和安装基板之间而焊接不合格的情况。技术方案本专利技术的第一形态中提供一种半导体封装件，其包括半导体芯片，该半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在封装主体的底面露出；以及突起部，其从封装主体的底面相对于多个电极突出。突起部可以以在与多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置。半导体封装件可以具备多个突起部。多个突起部可以以在第二方向上与两个电极不重叠的方式进行配置。多个电极可以具有：第一电极，其在第二方向上与突起部重叠；以及第二电极，其露出面积比第一电极的露出面积小，且在第二方向上与突起部不重叠。突起部可以具有：第一突起部，其配置在封装主体的底面的角部；以及第二突起部，其配置在第一电极与第二电极之间。半导体封装件可以具备沿第一方向排列的多个第二电极。第二突起部的在第一方向上的宽度与多个第二电极的在第一方向上的间隔可以相同。第二突起部的在第一方向上的宽度可以比第一突起部的在第一方向上的宽度宽。第二突起部的在第二方向上的宽度可以比第二突起部的在第一方向上的宽度宽。第一电极与第二突起部之间的在第二方向上的距离L1可以比第二电极与第二突起部之间的在第二方向上的距离L2小。第一电极与第二突起部之间的在第二方向上的距离L1可以比第二电极与第二突起部之间的在第二方向上的距离L2大。突起部的前端可以具有圆角。突起部的平面形状可以具有圆角。本专利技术的第二形态提供一种半导体装置，该半导体装置具备：安装有半导体封装件的安装基板；以及设置于安装基板与半导体封装件之间的焊锡。本专利技术的第三形态提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备半导体封装件的步骤，该半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在封装主体的底面露出；和突起部，其以在与多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置，并相对于多个电极突出；将半导体封装件与安装基板预固定的步骤；以及使焊锡流到半导体封装件与安装基板之间的步骤。在使焊锡流动的步骤中，半导体封装件可以沿第二方向移动。需要说明的是，上述的专利技术概要，并没有列举出本专利技术的特征的全部。另外，这些特征组合的子组合也能够构成本专利技术。附图说明图1是用于说明实施例1的半导体装置100的图。图2是实施例1的半导体装置100的截面图的一例。图3示出实施例2的半导体封装件10的构成的一例。图4示出实施例3的半导体封装件10的构成的一例。图5示出实施例4的半导体封装件10的构成的一例。图6示出实施例5的半导体封装件10的构成的一例。图7示出实施例6的半导体封装件10的构成的一例。图8是示出半导体装置100的制造方法的一例的流程图。图9是用于说明比较例1的半导体装置500的图。符号说明10…半导体封装件15…封装主体20…安装基板31…第一电极32…第二电极40…突起部41…第一突起部42…第二突起部50…粘接剂60…焊锡100…半导体装置500…半导体装置510…半导体封装件515…封装主体520…安装基板530…电极550…粘接剂560…焊锡具体实施方式以下，通过专利技术的实施方式说明本专利技术，但权利要求书的范围所涉及的专利技术并不限定于以下的实施方式。另外，在实施方式中说明的特征的组合的全部并不是专利技术的技术方案所必需的。[实施例1]图1是用于说明实施例1的半导体装置100的图。半导体装置100具备半导体封装件10和安装基板20。图1示出用于将半导体封装件10和安装基板20焊接的流焊工序。半导体封装件10包括MOSFET、IGBT等半导体芯片，并用树脂等进行封装。在一例中，半导体封装件10为无引线型表面安装封装件。半导体封装件10具备封装主体15、第一电极31、第二电极32和突起部40。半导体封装件10可以分别具备多个第一电极31和第二电极32。另外，封装主体15在底面具有突起部40。封装主体15的底面是指封装主体15被安装到安装基板20一侧的面。在本说明书中，将Z轴方向的负侧作为封装主体15的底面侧。安装基板20是用于安装半导体封装件10的基板。在安装基板20利用粘接剂50预固定半导体封装件10之后，利用焊锡60安装半导体封装件10。例如，第一电极31和第二电极32以与安装基板20的预先确定位置对置的方式被预固定，利用焊锡60连接于安装基板20。第一电极31在封装主体15的底面露出而设置。第一电极31也可以从半导体封装件10的底面突出。第一电极31形成于半导体封装件10的Y轴方向的正侧的端部。本例的第一电极31在半导体封装件10设置为一个。例如，第一电极31为漏电极。第二电极32在封装主体15的底面露出而设置。第二电极32也可以从半导体封装件10的底面突出。第二电极32形成于半导体封装件10的Y轴方向的负侧的端部。本例的第二电极32在半导体封装件10设置为多个。例如，第二电极32是栅电极和源电极。突起部40设置于封装主体15的底面。突起部40从封装主体15的底面相对于第一电极31和第二电极32突出而设置。突起部40确保半导体封装件10与安装基板20之间的空隙。据此，焊锡60容易流入到半导体封装件10与安装基板20之间。半导体封装件10优选为具有多个突起部40。多个突起部40以在半导体封装件10与安装基板20之间确保均匀的空隙的方式配置。在此，突起部40可以以与半导体封装件10的树脂相同的材料形成。在流焊工序中，焊锡60以熔融的状态流入到半导体封装件10与安装基板20之间。例如，通过使半导体装置100沿焊锡60的喷射方向移动，从而焊锡60流入到半导体封装件10与安装基板20之间。本例的半导体装置100沿Y轴方向移动。即，半导体装置100的流焊方向为Y轴方向。焊锡60在半导体封装件10与安装基板20之间可以设置为与突起部40的厚度相同的厚度。焊锡60通过流焊工序选择性地润湿扩展到第一电极31和第二电极32。据此，第一电极31和第二电极32与安装于安装基板20的电路连接。需要说明的是，半导体装置100可以从Y轴方向的正侧一直移动到负侧，也可以从Y轴方向的负侧一直移动到正侧。图2是实施例1的半导体装置100的截面图的一例。图2中从Y轴方向的正侧观察这点与图1不同。即，图2是半导体装置100的从流焊方向观察到的截面图。第一电极31设置于半导体封装件10的中央。突起部40设置为在流焊方向上与第一电极31不重叠。在流焊方向上不重叠是指，各部件在X轴方向上被设置在不同的位置。在流焊方向上第一电极31和突起部40重叠的情况下，具有焊锡60未良好地流入半导体封装件10与安装基板20之间的情况。另外，突起部40优选配置为在流焊方向上与第二电极32也不重叠。据此，焊锡60不会被突起部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括半导体芯片，且所述半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在所述封装主体的底面露出；以及突起部，其从所述封装主体的底面相对于所述多个电极突出；所述突起部以在与所述多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置。

【技术特征摘要】
2017.06.05 JP 2017-1112141.一种半导体封装件，其特征在于，包括半导体芯片，且所述半导体封装件具备：封装主体；多个电极，其在所述封装主体的底面露出；以及突起部，其从所述封装主体的底面相对于所述多个电极突出；所述突起部以在与所述多个电极中间隔最狭窄的两个电极排列的第一方向不同的第二方向上与该两个电极不重叠的方式进行配置。2.如权利要求1所记载的半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件具备多个所述突起部，多个所述突起部以在所述第二方向上与所述两个电极不重叠的方式进行配置。3.如权利要求1或2所记载的半导体封装件，其特征在于，所述多个电极具有：第一电极，其在所述第二方向上与所述突起部重叠；以及第二电极，其露出面积比所述第一电极的露出面积小，且在所述第二方向上与所述突起部不重叠。4.如权利要求3所记载的半导体封装件，其特征在于，所述突起部具有：第一突起部，其配置在所述封装主体的底面的角部；以及第二突起部，其配置在所述第一电极与所述第二电极之间。5.如权利要求4所记载的半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件具备沿所述第一方向排列的多个所述第二电极，所述第二突起部的在所述第一方向上的宽度与多个所述第二电极的在所述第一方向上的间隔相同。6.如权利要求4或5所记载的半导体封装件，其特征在于，所述第二突起部的在所述第一方向上的宽度比所述第一突起部的在所述第一方向上的宽度宽。7.如权利要求4～6任一项所记载的半导体封装件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛藤贵行，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP