电容器制造技术

本发明专利技术提供了一种电容器，所述电容器包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于电容形成部分中。单元包括：三个或更多个介电层，设置在电容形成部分中并在沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，该三个或更多个电极层与介于所述三个或更多个电极层之间的介电层顺序地堆叠，并且在沟道中延伸。至少第一电极层和第二电极层具有相反的极性并且均包括从电容形成部分延伸至边缘部分的引出电极。第一电极层的引出电极设置在设置于单元的中心部分的一侧的第一区域中，第二电极层的引出电极设置在设置于单元的中心部分的另一侧上的第二区域中。

【技术实现步骤摘要】
电容器本申请要求于2017年6月1日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0068466号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种具有沟道的电容器。
技术介绍
诸如智能电话、可穿戴装置等的便携式信息技术(IT)产品正发展为具有越来越薄的截面。作为这些发展的一部分，便携式IT产品中存在的无源元件自身正在变薄以减小整个封装件的厚度。为此，对于允许与多层陶瓷电容器相比较薄厚度的薄膜陶瓷电容器的需求也已经增加。薄膜电容器具有如下优点：薄膜电容器可以通过利用薄膜技术实现。另外，由于薄膜电容器具有如下优点：其具有低的等效串联电感(ESL)(不同于根据现有技术生产的多层陶瓷电容器)，因此，近来，已经考虑了将薄膜电容器作为去耦合电容器的应用。为了将薄膜电容器用作用于应用处理器(AP)的去耦合电容器，薄膜电容器已经被制造为具有焊盘侧电容器(land-sidecapacitor，LSC)的形式。然而，对于现有嵌入式电容器的情况，在电容器缺陷的情况下不可能将电容器返工，使得总损失成本明显增加。因此，需要以可返工的焊盘侧电容器(LSC)的形式实现薄膜陶瓷电容器。同时，由于LSC型薄膜电容器设置在焊球之间，因此薄膜电容器应该被设计为具有尽可能小的尺寸以明显减小焊球去除面积。同时，为了增加薄膜电容器的电容，已经进行了对应用能够增加表面积的沟道型结构的技术的研究，从而有助于实现薄膜电容器的高电容。
技术实现思路
本公开的一个方面可以提供一种电容器，所述电容器具有能够通过包括三个或更多个介电层和沟道来明显提高电容器的电容并且能够明显减少连接电极层的数量的结构。根据本公开的一个方面，电容器可以包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于电容形成部分中，所述多个沟道设置在基板中。每个单元包括：三个或更多个介电层，设置在所述电容形成部分中并在所述沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，设置在所述电容形成部分中，所述三个或更多个电极层与介于所述三个或更多个电极层之间的所述三个或更多个介电层中的相应介电层顺序地堆叠，并且在所述沟道中延伸。每个单元的所述三个或更多个电极层中的第一电极层和第二电极层具有相反的极性并且均包括从所述电容形成部分延伸至所述边缘部分的引出电极。基于每个相应的单元在第一方向上的中心部分，所述单独的单元的在所述第一方向上从所述中心部分延伸的一部分为第一区域，所述相应的单元的在与所述第一方向相反的方向上从所述中心部分延伸的另一部分为第二区域。所述第一电极层的所述引出电极设置在所述第一区域中，所述第二电极层的所述引出电极设置在所述第二区域中。根据本公开的另一方面，电容器可以包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于电容形成部分中，所述多个沟道设置在基板中。所述多个单元中的每个单元包括：三个或更多个介电层，设置在所述电容形成部分中并在所述沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，与介于所述三个或更多个电极层之间的所述三个或更多个介电层中的相应介电层顺序地堆叠，并在堆叠方向上被分配交替的第一极性和第二极性。所述三个或更多个电极层中的至少两个电极层包括从所述电容形成部分延伸至所述边缘部分的引出电极。在所述多个单元中，第一单元和第二单元彼此相邻，从所述第一单元的中心部分延伸至所述第二单元的中心部分的区域为第一区域，第一单元和第二单元的其余区域为第二区域。包括在所述第一单元和所述第二单元中的所述电极层中的所述第一极性的电极层的所述引出电极设置在所述第一区域中，包括在所述第一单元和所述第二单元中的所述电极层中的所述第二极性的电极层的所述引出电极设置在所述第二区域中。根据本公开的另一方面，电容器可以包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于电容形成部分中。每个单元包括多个电极层，所述多个电极层与介于所述多个电极层之间的介电层堆叠在一起，所述电极层和介电层设置在所述电容形成部分中并且延伸至所述多个沟道中。每个单元的所述多个电极层在所述多个电极层的堆叠方向中具有交替的第一极性和第二极性。每个单元的所述电极层具有从设置在所述电容形成部分中的所述电极层延伸至所述边缘部分的引出电极。一个单元的所述第一极性的电极层的引出电极在第一方向上从所述电极层延伸，所述一个单元的所述第二极性的电极层的引出电极在与所述第一方向相反的第二方向上从所述电极层延伸。附图说明通过下面结合附图的详细描述，将更加清楚地理解本公开的上述和其他的方面、特征和优点，在附图中：图1是示出根据示例性实施例的电容器的示意性透视图；图2是示出根据示例性实施例的电容器的示意性平面图；图3是示出图2的平面图中的一个单元的示意性放大平面图；图4是沿图3的I-I'线截取的示意性截面图；图5是沿图3的II-II'线截取的示意性截面图；图6A至图6D是示出第二电极层至第五电极层的示意性平面图；图7A和图7B是示出在第四电极层和第五电极层中的电流的示意图；图8是示出根据示例性实施例的形成在电容器中的多个单元上的第一连接电极层和第二连接电极层的示意性平面图；图9至图13是用于说明第一连接电极层和第二连接电极层与第一外电极和第二外电极彼此连接的结构的示意性平面图和示意性截面图；以及图14是示出根据另一示例性实施例的具有电容器的板的示意性截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。附图中示出的X方向、Y方向和Z方向可以分别指长度方向、宽度方向和厚度方向，或者依次分别由第一方向、第二方向和第三方向表示。图1是示出根据示例性实施例的电容器的示意性透视图，图2是示出根据示例性实施例的电容器的示意性平面图。图3是示出图2的平面图中的一个单元的示意性放大平面图，图4是沿图3的I-I'线截取的示意性截面图，图5是沿图3的II-II'线截取的示意性截面图。在下文中，将参照图1至图5描述本公开中的根据示例性实施例的电容器100。根据示例性实施例的电容器100可以包括主体101以及设置在主体的外表面上的第一外电极191和第二外电极192。主体101的形状没有具体地限制，但是通常可以是六面体形状。另外，主体101在尺寸方面没有具体地限制，但是可以具有例如0.6mm×0.3mm的尺寸，并且可以是1.0μF或更大的高度堆叠且高电容的薄膜电容器。主体101可以包括基板110。基板110可以由从Si、SiO2、Al2O3、MgO、LaAlO3和SrTiO3组成的组中选择的任意一种或它们的组合形成。例如，可以使用硅晶圆作为基板110。基板110可以包括电容形成部分A以及在基板110的一个表面上设置在电容形成部分A周围的边缘部分(marginportion)M。电容形成部分A和边缘部分M可以构成或形成单个(例如，同一)单元102的一部分。根据示例性实施例的电容器100可以包括多个单元102。在单元102中，彼此相邻的一对单元102可以被定义为第一单元102a和第二单元102b。从基板110的一个表面穿入至基板110的内部的多个沟道105可以设置在基板110中。例如，多个沟道105可以设置在电容形成部分A中。沟道105可以通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，所述电容器包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于所述电容形成部分中，所述多个沟道设置在基板中；其中，每个单元包括：三个或更多个介电层，设置在所述电容形成部分中并在所述沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，设置在所述电容形成部分中，所述三个或更多个电极层与介于所述三个或更多个电极层之间的所述三个或更多个介电层中的相应介电层顺序地堆叠，并且在所述沟道中延伸，每个单元的所述三个或更多个电极层中的第一电极层和第二电极层具有相反的极性并且均包括从所述电容形成部分延伸至所述边缘部分的引出电极，基于每个相应的单元在第一方向上的中心部分，所述相应的单元的在所述第一方向上从所述中心部分延伸的一部分为第一区域，所述相应的单元的在与所述第一方向相反的方向上从所述中心部分延伸的另一部分为第二区域，并且所述第一电极层的所述引出电极设置在所述第一区域中，所述第二电极层的所述引出电极设置在所述第二区域中。

【技术特征摘要】
2017.06.01 KR 10-2017-00684661.一种电容器，所述电容器包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于所述电容形成部分中，所述多个沟道设置在基板中；其中，每个单元包括：三个或更多个介电层，设置在所述电容形成部分中并在所述沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，设置在所述电容形成部分中，所述三个或更多个电极层与介于所述三个或更多个电极层之间的所述三个或更多个介电层中的相应介电层顺序地堆叠，并且在所述沟道中延伸，每个单元的所述三个或更多个电极层中的第一电极层和第二电极层具有相反的极性并且均包括从所述电容形成部分延伸至所述边缘部分的引出电极，基于每个相应的单元在第一方向上的中心部分，所述相应的单元的在所述第一方向上从所述中心部分延伸的一部分为第一区域，所述相应的单元的在与所述第一方向相反的方向上从所述中心部分延伸的另一部分为第二区域，并且所述第一电极层的所述引出电极设置在所述第一区域中，所述第二电极层的所述引出电极设置在所述第二区域中。2.如权利要求1所述的电容器，其中，在每个单元中，所述单元中的电极层的数量比所述单元中的介电层的数量多一个。3.如权利要求1所述的电容器，其中，当在所述三个或更多个电极层的堆叠方向上观看时，所述引出电极设置为彼此分开。4.如权利要求1所述的电容器，其中，在每个单元中的所述三个或更多个电极层中，堆叠在最下位置和最上位置的电极层不包括从所述电容形成部分引出至所述边缘部分的引出电极。5.如权利要求1所述的电容器，其中，所述第一电极层的所述引出电极包括在所述第一方向上从所述电容形成部分延伸的第一引出电极以及在与所述第一方向垂直的第二方向上从所述电容形成部分延伸的第二引出电极，以及所述第二电极层的所述引出电极包括在与所述第一方向相反的所述方向上从所述电容形成部分延伸的第三引出电极以及在所述第二方向上从所述电容形成部分延伸的第四引出电极。6.如权利要求5所述的电容器，其中，所述第一引出电极和所述第二引出电极设置为与所述电容形成部分的相同角部相邻，所述第三引出电极和所述第四引出电极设置为与所述电容形成部分的另一相同角部相邻。7.如权利要求6所述的电容器，其中，所述三个或更多个电极层中彼此相邻堆叠的一对电极层中包括的所述第二引出电极和所述第四引出电极彼此设置在所述电容形成部分的同一侧上。8.如权利要求1所述的电容器，其中，在每个单元中的所述三个或更多个电极层中，设置为最靠近所述基板的电极层包括注入到设置有所述多个沟道的所述基板中的杂质的层。9.如权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：第一连接电极层，设置在所述第一区域中；以及第二连接电极层，设置在所述第二区域中以与所述第一连接电极层分开。10.如权利要求9所述的电容器，其中，所述第一连接电极层通过第一通路连接至所述第一电极层，并且所述第二连接电极层通过第二通路连接至所述第二电极层。11.如权利要求9所述的电容器，其中，所述第一连接电极层和所述第二连接电极层在与所述三个或更多个电极层的堆叠方向正交的平面中为彼此相邻设置的单层。12.一种电容器，所述电容器包括：多个单元，每个单元包括电容形成部分和设置在所述电容形成部分周围的边缘部分，多个沟道位于所述电容形成部分中，所述多个沟道设置在基板中，其中，所述多个单元中的每个单元包括：三个或更多个介电层，设置在所述电容形成部分中并在所述沟道中延伸；以及三个或更多个电极层，与介于所述三个或更多个电极层之间的所述三个或更多个介电层中的相应介电层顺序地堆叠，并在堆叠方向上被分配交替的第一极性和第二极性，所述三个或更多个电极层中的至少两个电极层包括从所述电容形成部分延伸至所述边缘部分的引出电极，在所述多个单元中，第一单元和第二单元彼此相邻，从所述第一单元的中心部分延伸至所述第二单元的中心部分的区域为第一区域，所述第一单元和所述第二单元的其余区域为第二区域，包括在所述第一单元和所述第二单元中的所述电极层中的所述第一极性的电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：申铉浩，郑雄图，韩宗锡，俞东植，柳廷勋，朴鲁逸，林承模，李壹路，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR