【技术实现步骤摘要】
包括突触的神经形态器件的突触阵列及其操作方法相关申请的交叉引用本专利申请要求2017年6月5日提交的申请号为10-2017-0069519的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。
本公开涉及一种具有铁电场效应晶体管和电阻元件的神经形态器件的突触阵列和突触以及用于操作具有铁电场效应晶体管和电阻元件的神经形态器件的突触阵列和突触的方法。
技术介绍
近来,神经形态
中的设备已经受到了很多关注,这些设备使用芯片模拟人类大脑。基于神经形态技术的神经形态器件包括多个突触前神经元、多个突触后神经元以及多个突触。神经形态器件根据神经形态器件的学习状态而输出具有各种电平、幅度和/或时间的脉冲或尖脉冲。
技术实现思路
本公开的实施例包括具有铁电场效应晶体管和电阻元件的突触以及神经形态器件的突触的突触阵列。本公开的其他实施例包括被配置成执行刺激性突触操作和抑制性突触操作二者的突触以及神经形态器件的突触的突触阵列。本公开的另一些实施例包括具有铁电场效应晶体管和电阻元件的突触的刺激性突触操作和抑制性突触操作的方法。本公开的目的不限于以上提及的目的和实施例。本领域技术人员基于本公开可以理解其他目的和实施例。在本公开的一个实施例中,一种神经形态器件的突触阵列可以包括:突触前神经元;行线,其在行方向上从突触前神经元开始延伸;突触后神经元;列线,其在列方向上从突触后神经元开始延伸;以及突触,其设置在行线与列线之间的交叉点区域处。突触可以包括:n型铁电场效应晶体管(n-FeFET),其具有源电极、栅电极和体;p型铁电场效应晶体管(p-FeFET),其具有源电极、栅电极和体;以及电阻 ...
【技术保护点】
1.一种神经形态器件的突触阵列,包括:突触前神经元;行线,其在行方向上从突触前神经元开始延伸;突触后神经元;列线,其在列方向上从突触后神经元开始延伸;以及突触,其设置在行线与列线之间的交叉点区域处,其中,突触包括:n型铁电场效应晶体管n‑FeFET,其具有源电极、栅电极和体;p型铁电场效应晶体管p‑FeFET,其具有源电极、栅电极和体;以及电阻元件,其具有电连接到n‑FeFET的源电极且电连接到p‑FeFET的源电极的第一节点,以及n‑FeFET和p‑FeFET串联电连接。
【技术特征摘要】
2017.06.05 KR 10-2017-00695191.一种神经形态器件的突触阵列,包括:突触前神经元;行线,其在行方向上从突触前神经元开始延伸;突触后神经元;列线,其在列方向上从突触后神经元开始延伸;以及突触,其设置在行线与列线之间的交叉点区域处,其中,突触包括:n型铁电场效应晶体管n-FeFET,其具有源电极、栅电极和体;p型铁电场效应晶体管p-FeFET,其具有源电极、栅电极和体;以及电阻元件,其具有电连接到n-FeFET的源电极且电连接到p-FeFET的源电极的第一节点,以及n-FeFET和p-FeFET串联电连接。2.如权利要求1所述的突触阵列,其中,电阻元件包括电连接到列线的第二节点。3.如权利要求1所述的突触阵列,其中,n-FeFET还具有电连接到第一参考电压节点的漏电极,以及p-FeFET还具有电连接到第二参考电压节点的漏电极。4.如权利要求3所述的突触阵列,其中,第一参考电压节点提供相对较高的电压而第二参考电压节点提供相对较低的电压。5.如权利要求4所述的突触阵列,其中,行线包括第一突触行线和第二突触行线,以及其中,第一突触行线电连接到第一参考电压节点。6.如权利要求5所述的突触阵列,其中,第二突触行线电连接到第二参考电压节点。7.如权利要求5所述的突触阵列,其中,行线还包括第三突触行线,以及其中,第三突触行线电连接到n-FeFET的栅电极且电连接到p-FeFET的栅电极。8.如权利要求3所述的突触阵列,其中,第二参考电压节点电连接到接地电压节点。9.如权利要求3所述的突触阵列,其中,第一参考电压节点电连接到电源电压节点。10.如权利要求1所述的突触阵列,其中,突触还包括电连接到n-FeFET的栅电极且电连接到p-FeFET的栅电极的输入端口。11.如权利要求1所述的突触阵列,其中,n-FeFET的体电连接到n-FeFET的源电极,以及其中,p-FeFET的体电连接到p-FeFET的源电极。12.一种神经形态器件的突触阵列,包括:第一突触行线和第二突触行线,其在行方向上平行延伸;列线,其在列方向上延伸;以及突触,其中,突触包括:n-FeFET,其具有源电极以及具有电连接到第一突触行线的漏电极;p-FeFET,其具有源电极以及具有电连接到第二突触行线的漏电极;以及电阻元件,其具有电连接到n-FeFET的源电极且电连接到p-FeFET的源电极的第一节点,以及具有电连接到列线的第二节点。13.如权利要求12所述的突触阵列,其中,n-FeFET还包括栅电极,p-FeFET还包括栅电极,以及突触还包括电连接到n-FeFET的栅电极且电连接到p-FeFET的栅电极的输入端口。14.如权利要求12所述的突触阵列,其中,n-FeFET还包括体,p-FeFET...
【专利技术属性】
技术研发人员:李炯东,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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