存储装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储装置及其操作方法。在用于根据温度控制操作性能的存储装置中，被配置成控制存储器装置的存储器控制器可以包括：内部温度感测单元，其被配置成通过对存储器控制器的温度进行感测来生成内部温度信息；以及性能调节单元，其被配置成从外部温度感测单元接收外部温度信息，并且使用内部温度信息和外部温度信息来控制存储器控制器的操作性能，其中外部温度信息表示存储器装置的温度。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月30日提交的申请号为10-2017-0067027的韩国专利申请的优先权，其全部公开通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种存储装置及存储装置的操作方法。
技术介绍
存储装置是用于在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置的示例包括对于硬盘驱动器(HDD)而言用于将数据存储在磁盘中的装置以及对于固态硬盘(SSD)或存储卡而言用于将数据存储在半导体存储器中的装置，尤其是用于将数据存储在非易失性存储器中的装置。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一种能够根据温度来调节其性能的存储装置及其操作方法。本公开的实施例可以提供一种用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可以包括：内部温度感测单元，其被配置成通过对存储器控制器的温度进行感测来生成内部温度信息；以及性能调节单元，其被配置成从外部温度感测单元接收外部温度信息，并且使用内部温度信息和外部温度信息来控制存储器控制器的操作性能，其中外部温度信息表示存储器装置的温度。本公开的实施例可以提供一种存储装置。存储装置可以包括：多个存储器装置；外部温度感测单元，其被配置成通过对各个存储器装置的温度进行感测来生成外部温度信息；以及存储器控制器，其被配置成控制多个存储器装置，并且使用内部温度信息和外部温度信息来控制存储器控制器的操作性能，其中内部温度信息表示存储器控制器的温度。本公开的实施例可以提供一种存储装置的操作方法，存储装置包括多个存储器装置以及用于控制存储器装置的存储器控制器。方法可以包括：当输入针对多个存储器装置的写入请求时，获取表示存储器控制器的温度的内部温度信息；当存储装置启动(boot)时，基于内部温度信息和表示各个存储器装置的温度的外部温度信息来生成校正值；通过将校正值施加到内部温度信息来生成被调节的温度信息；以及使用被调节的温度信息和预先存储的临界温度信息来调节存储器控制器的操作性能。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的简图。图2是示出图1所示的性能调节单元的示例性配置的框图。图3是示出图1所示的存储器控制器的示例性操作的流程图。图4是示出图1所示的存储器控制器的示例性操作的流程图。图5是示出图1所示的存储器控制器的示例性操作的流程图。图6是示出图1所示的存储器装置的示例性配置的简图。图7是示出图6所示的存储器单元阵列的示例性实施例的简图。图8是示出图7所示的存储块中的一个的示例性电路图。图9是示出图7所示的存储块中的一个的示例性电路图。图10是示出图1所示的存储器控制器的示例性配置的简图。图11是示出应用根据本公开的实施例的存储装置的存储卡系统的框图。图12是示出应用根据本公开的实施例的存储装置的固态硬盘(SSD)系统的示例的框图。图13是示出应用根据本公开的实施例的存储装置的用户系统的框图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更全面地描述示例性实施例；然而，它们可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完全的，并且将向本领域技术人员完全传达示例性实施例的范围。在附图中，为了说明的清楚起见，尺寸可能被夸大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，两个元件之间可以仅有该元件，或也可存在一个或多个中间元件。在下文中，将参照附图描述实施例。在本文中参照作为实施例(和中间结构)的示意图的截面图示来描述实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，图示的形状的变化将被预期。因此，实施例不应被解释为限于本文所示的区域的特定形状，而是可以包括由例如制造产生的形状的偏差。在附图中，为了清楚起见，层和区域的长度和尺寸可能被夸大。附图中相同的附图标记表示相同的元件。诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种部件，但是它们不应该限制各种部件。这些术语仅用于区分部件与其它部件。例如，在不脱离本公开的实质和范围的情况下，第一部件可以被称为第二部件，并且第二部件可以被称为第一部件等。此外，“和/或”可以包括所提及的部件中的任何一种或组合。此外，只要没有另外特别地提及，单数形式可以包括复数形式。此外，在本说明书中使用的“包含/包括”或“包含有/包括有”表示可以存在或添加一个或多个部件、步骤、操作和元件。此外，除非另有限定，否则本说明书中所使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与相关领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。在常用词典中限定的术语应被理解为具有与它们在相关领域的上下文中被理解的含义一致的含义，并且除非在本说明书中明确地限定，否则不应解释为具有理想化或过于正式的意义。还应注意的是，在本说明书中，“连接/联接”不仅指一个部件直接联接另一部件，而且还指通过中间部件间接联接另一部件。另一方面，“直接连接/直接联接”指一个部件直接联接另一部件而没有中间部件。在下文中，将参照附图来描述本公开的实施例，以向本公开所属领域的普通技术人员完整地描述本公开。图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的简图。参照图1，存储装置50可以包括存储器装置100、存储器控制器200和外部温度感测单元140。存储器装置100可以存储数据。存储器装置100可以在存储器控制器200的控制下操作。存储器装置100可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括其中存储数据的多个存储器单元。合适的存储器装置100的示例包括：双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率双倍数据速率4(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率(GDDR)SDRAM、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)、NAND闪速存储器、垂直NAND闪速存储器、NOR闪速存储器装置、电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)或自旋转移力矩随机存取存储器(STT-RAM)。在实施例中，存储器装置100可以被实施为三维(3D)阵列结构。本公开不仅可以应用于其中电荷存储层被实施为导电浮栅(FG)的闪速存储器，而且还可以被应用于其中电荷存储层被实施为绝缘层的电荷捕获闪存(CTF)存储器。在操作中，存储器装置100可以从存储器控制器200接收命令和地址，并且访问存储器单元阵列中响应于地址选择的区域。即，存储器装置100可以对响应于地址而选择的区域执行与命令相对应的操作。例如，存储器装置100可以执行编程操作、读取操作和擦除操作。在编程操作期间，存储器装置100可以在响应于地址而选择的区域中编程数据。在读取操作期间，存储器装置100可以从响应于地址而选择的区域读取数据。在擦除操作期间，存储器装置100可以擦除被存储在响应于地址而选择的区域中的数据。外部温度感测单元140可以感测存储器装置100的温度。在图1中，外部温度感测单元14本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制存储器装置的存储器控制器，所述存储器控制器包括：内部温度感测单元，其被配置成通过对所述存储器控制器的温度进行感测来生成内部温度信息；以及性能调节单元，其被配置成从外部温度感测单元接收外部温度信息，并且使用所述内部温度信息和所述外部温度信息来控制所述存储器控制器的操作性能，其中所述外部温度信息表示所述存储器装置的温度。

【技术特征摘要】
2017.05.30 KR 10-2017-00670271.一种用于控制存储器装置的存储器控制器，所述存储器控制器包括：内部温度感测单元，其被配置成通过对所述存储器控制器的温度进行感测来生成内部温度信息；以及性能调节单元，其被配置成从外部温度感测单元接收外部温度信息，并且使用所述内部温度信息和所述外部温度信息来控制所述存储器控制器的操作性能，其中所述外部温度信息表示所述存储器装置的温度。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述性能调节单元包括：校正值生成单元，其被配置成基于所述内部温度信息和所述外部温度信息生成校正值；以及性能调节确定单元，其被配置成：生成被调节的温度信息，在所述被调节的温度信息中所述校正值被施加到所述内部温度信息；将所述被调节的温度信息与预先存储的临界温度信息进行比较；以及然后基于比较结果来确定是否调节所述存储器控制器的操作性能。3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中当电力被供给到所述存储器控制器时，所述校正值生成单元生成所述校正值。4.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述校正值是所述内部温度信息和所述外部温度信息之间的差值。5.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中当针对所述存储器装置的写入请求被输入并且所述被调节的温度信息高于所述临界温度信息时，所述性能调节确定单元通过输出用于激活节流操作的节流信号来控制所述操作性能，其中所述节流操作调节所述存储器控制器的操作性能。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述节流操作是减小所述存储器控制器的数据输入/输出速度的操作。7.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中：所述存储器控制器能够同时访问多个存储器装置，并且所述节流操作是减小所述存储器控制器同时访问的存储器装置的数量的操作。8.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述节流操作是减小被输入到所述存储器装置的时序信号或时钟信号的频率的操作。9.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述节流操作是激活被设置在所述存储器控制器外部的冷却器的操作。10.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述性能调节单元进一步包括被配置成生成更新使能信号的校正值更新控制单元，其中所述更新...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛崇善，金相贤，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR