一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法技术

技术编号:19745706 阅读:26 留言:0更新日期:2018-12-12 04:49
本发明专利技术公开一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法。所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,是通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而将热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准。本发明专利技术通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而将热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准,从而对干法去胶工艺的稳定性进行更精确的监控,对生产机台间的工艺匹配进行有效的评价。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法。
技术介绍
CMOS图像传感器是一种电性的固体成像传感器,由于其本身所具有的高集成特性,使其在系统复杂程度和可靠性方面、数据输出方面以及更佳的曝光控制等领域都比传统的CCD展现了更强的优越性,因该部件体积小,重量轻,被广泛用于含摄像功能的智能手机等移动设备中。CMOS图像传感器在半导体工艺生产中,对干法去胶工艺有了更高的要求,因前层工艺所带来的金属离子污染,在高温干法去胶工艺过程中,在热效应的影响下,前层所带来的金属离子在热扩散效应下会进行重新分布,因此不同热效应下的干法去胶工艺对CMOS图像传感器像素性能所带来的影响不可忽视。所述问题同样也发生在不同设备供应商、不同型号间的设备工艺匹配上,由于机台型号和构造的不同,在工艺开发和工艺转移过程中,干法去胶工艺过程所引发的热扩散效应逐渐成为一个重要的评价标准。同时,在热扩散效应中,晶圆开始作业时的升温速率,对晶圆表面金属的重新分布更是一个关键参数。因此在干法去胶工艺的开发过程中,既要做到无缺陷,也要注意到高温下热过程对器件的影响,从而对干法去胶工艺的稳定性进行更精确的监控,对生产机台间的工艺匹配进行有效的评价,增强工艺展开的准确性和预见性,保证产品得到稳定的电学特性和良率。作为本领域技术人员,容易知晓地,现有的技术解决方案,如下:(1)采用硅光片晶圆涂上光刻胶,取去胶工艺中的主要步骤对光刻胶刻蚀速率进行匹配。(2)采用带图形的晶圆进行工艺开发,对干法去胶工艺中的过刻蚀部分的时间进行匹配。(3)采用硅光片晶圆在不同干法去胶工艺下进行氧化膜生长厚度的匹配。(4)采用带图形的晶圆进行工艺开发,对工艺去胶后的缺陷、电学特性以及良率进行匹配。但是,现有技术仍然存在如下缺点:(1)只能取得局部的工艺程式对比,准确性不够。(2)通常只能保证缺陷的工艺窗口,无法反映热效应的数据。(3)上述方法重点匹配的是对硅衬底的影响,不能直观反映对金属离子的影响。(4)数据确认周期长,缺乏原理性的支持。故针对现有技术存在的问题,本案设计人凭借从事此行业多年的经验,积极研究改良,于是有了本专利技术一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中,传统方法仍然存在只能取得局部的工艺程式对比,准确性不够;通常只能保证缺陷的工艺窗口,无法反映热效应的数据;传统方法重点匹配的是对硅衬底的影响,不能直观反映对金属离子的影响;以及数据确认周期长,缺乏原理性的支持等缺陷提供一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法。为实现本专利技术之目的,本专利技术提供一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,是通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而通过热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准。可选地,所述不同条件为在生产机台之间和不同机台之间。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求达到生产机台间干法去胶工艺有效匹配。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求达到不同机台间干法去胶工艺有效匹配。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求获得不同机台间干法去胶工艺的升温曲线。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求获得不同机台间干法去胶工艺的热通量值。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求通过升温曲线获得的热通量值之间进行对比,以评判是否匹配。可选地,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,进一步包括,执行步骤S1:在不同机台开发出相应的干法去胶工艺条件;执行步骤S2:收集去胶工艺时,晶圆表面的升温曲线;执行步骤S3:将所述升温曲线进行工艺切割;执行步骤S4:将切割后的工艺模块,进行面积计算获得各区域热通量值;执行步骤S5:通过热通量值的对比,评判机台间干法去胶工艺是否匹配。可选地,对所述升温曲线进行工艺切割依据工艺类型和不同步骤的作用进行。综上所述,本专利技术应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而通过热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准,从而对干法去胶工艺的稳定性进行更精确的监控,对生产机台间的工艺匹配进行有效的评价。附图说明图1所示为本专利技术一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法之流程图;图2所示为本专利技术应用于干法去胶工艺的匹配验证方法之升温曲线工艺切割示意图;图3所示为本专利技术应用于干法去胶工艺的匹配验证方法所获得的第一基准机型缺陷表现;图4所示为本专利技术应用于干法去胶工艺的匹配验证方法所获得的第二基准机型缺陷表现;图5所示为本专利技术应用于干法去胶工艺的匹配验证方法所获得的第二基准机型工艺改善条件缺陷表现;图6所示为不同条件下升温速率的对比结果图;图7所示为不同条件下器件像素表现结果。具体实施方式为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。CMOS图像传感器是一种电性的固体成像传感器,由于其本身所具有的高集成特性,使其在系统复杂程度和可靠性方面、数据输出方面以及更佳的曝光控制等领域都比传统的CCD展现了更强的优越性,因该部件体积小,重量轻,被广泛用于含摄像功能的智能手机等移动设备中。CMOS图像传感器在半导体工艺生产中,对干法去胶工艺有了更高的要求,因前层工艺所带来的金属离子污染,在高温干法去胶工艺过程中,在热效应的影响下,前层所带来的金属离子在热扩散效应下会进行重新分布,因此不同热效应下的干法去胶工艺对CMOS图像传感器像素性能所带来的影响不可忽视。所述问题同样也发生在不同设备供应商、不同型号间的设备工艺匹配上,由于机台型号和构造的不同,在工艺开发和工艺转移过程中,干法去胶工艺过程所引发的热扩散效应逐渐成为一个重要的评价标准。同时,在热扩散效应中,晶圆开始作业时的升温速率,对晶圆表面金属的重新分布更是一个关键参数。因此在干法去胶工艺的开发过程中,既要做到无缺陷,也要注意到高温下热过程对器件的影响,从而对干法去胶工艺的稳定性进行更精确的监控,对生产机台间的工艺匹配进行有效的评价,增强工艺展开的准确性和预见性,保证产品得到稳定的电学特性和良率。作为本领域技术人员,容易知晓地,现有的技术解决方案,如下:(1)采用硅光片晶圆涂上光刻胶,取去胶工艺中的主要步骤对光刻胶刻蚀速率进行匹配。(2)采用带图形的晶圆进行工艺开发,对干法去胶工艺中的过刻蚀部分的时间进行匹配。(3)采用硅光片晶圆在不同干法去胶工艺下进行氧化膜生长厚度的匹配。(4)采用带图形的晶圆进行工艺开发,对工艺去胶后的缺陷、电学特性以及良率进行匹配。但是,现有技术仍然存在如下缺点:(1)只能取得局部的工艺程式对比,准确性不够。(2)通常只能保证缺陷的工艺窗口,无法反映热效应的数据。(3)上述方法重点匹配的是对硅衬底的影响,不能直观反映对金属离子的影响。(4)数据确认周期长,缺乏原理性的支持。本专利技术创造所述一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,是通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,是通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而将热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准。

【技术特征摘要】
1.一种应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,是通过对干法去胶工艺之晶圆表面温度变化曲线进行模拟,获得不同条件下,所述晶圆在各工艺过程中所累计的热通量差异性,进而将热通量差异性作为干法去胶工艺是否匹配的评判标准。2.如权利要求1所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述不同条件为在生产机台之间和不同机台之间。3.如权利要求1所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求达到生产机台间干法去胶工艺有效匹配。4.如权利要求1所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求达到不同机台间干法去胶工艺有效匹配。5.如权利要求1所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法,其特征在于,所述应用于干法去胶工艺的匹配验证方法要求获得不同机台间干法去胶工艺的升温曲...

【专利技术属性】
技术研发人员:荆泉龚华
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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