【技术实现步骤摘要】
一种干涉曝光简易立式基片台
本专利技术属于多光束干涉光刻曝光
,具体涉及一种干涉曝光简易立式基片台。
技术介绍
在多光束干涉光刻曝光实验研究过程中,需要频繁地调整待曝光基片相对于多个入射光束的倾角和位置。目前市场上的光刻设备中,已有多种专用精密工件台,满足光刻基片的精密移动和定位,功能齐全,但其系统构造复杂、价格昂贵、体积庞大。针对多光束干涉光刻的技术特点,即不需掩模成像,仅需将多个相干光束以一定的入射方位角同时照射到待曝光基片表面上,利用干涉图案所对应的能量分布,将基片表面的光致抗蚀剂曝光。与传统的光刻技术相比,干涉光刻系统具有曝光场范围大、基片在干涉场内的纵向摆放位置灵活的优点。因此,与传统光刻系统不同的是,在多光束干涉曝光系统中,基片表面与多个入射光束之间的夹角可调,并且基片表面可绕自身法线大角度旋转,以满足多光束多次组合曝光的需要。另外,与传统光刻设备中待曝光基片多为水平摆放的方式不同,干涉光刻系统中,为方便光路在平台上沿水平方向布局,待曝光基片往往需要竖立安置,以使基片表面的法线与沿水平方向的光轴重合,方便光束沿水平方向投射到基片表面。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种干涉曝光简易立式基片台,其价格低、体积小、重量轻、组合自由,能良好的固定和调整控制基片在多光束干涉光刻系统中完成曝光。为解决现有技术存在的问题,本专利技术的技术方案是:一种干涉曝光简易立式基片台,其特征在于:包括底座,所述的底座上设置有六自由度组合移动台,六自由度组合移动台上设置有真空吸盘组件。所述的真空吸盘组件包括真空吸盘和真空吸盘连接件;所述的真空吸盘的表面开有沟槽 ...
【技术保护点】
1.一种干涉曝光简易立式基片台,其特征在于:包括底座(10),所述的底座(10)上设置有六自由度组合移动台(2),六自由度组合移动台(2)上设置有真空吸盘组件(1)。
【技术特征摘要】
1.一种干涉曝光简易立式基片台,其特征在于:包括底座(10),所述的底座(10)上设置有六自由度组合移动台(2),六自由度组合移动台(2)上设置有真空吸盘组件(1)。2.根据权利要求1所述的干涉曝光简易立式基片台,其特征在于:所述的真空吸盘组件(1)包括真空吸盘(3)和真空吸盘连接件(4);所述的真空吸盘(3)的表面开有沟槽,沟槽与位于吸盘中心的通气孔贯通;...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙国斌,王玉瑾,张锦,弥谦,蒋世磊,马丽娜,党小刚,
申请(专利权)人:西安工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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