像素结构及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，包括异层设置的像素电极及公共电极，所述公共电极包括主体及绕设于所述主体的外围部，所述主体与所述像素电极相对设置，所述主体与所述外围部相邻区域形成镂空区域。由于公共电极的主体与外围部相邻的区域形成镂空区域，从而在对所述公共电极与所述像素电极施加电压时能够强化侧向电场，进而降低配向不良性及减少暗纹的产生。本发明专利技术还提供一种显示面板。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种像素结构及显示面板。
技术介绍
主动式薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。其中，垂直配向(VerticalAlignment，VA)型TFT-LCD显示面板由于具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。HVA(High-QualityVerticalAlignment，高质量垂直配向技术)技术是目前市场上大尺寸LCD中，使用较多的VA技术。HVA型的TFT-LCD显示面板中，一般包括上下两个基板，上基板为彩色滤光片基板(CF基板)，下基板为阵列基板(Array基板)，这两个基板的中间是液晶层。如图1所示，为现有的HVA型的TFT-LCD显示面板中的像素结构60的示意图。像素结构60包括像素电极61及公共电极62。像素电极61设于阵列基板，公共电极62设于彩色滤光基板。现有的HVA型的TFT-LCD显示面板会采用每个像素电极61分为4个像素区域(Domain)的技术。所述像素电极61还包括间隔排列的分支电极611与狭缝(Slit)612。由于狭缝612的存在，液晶分子63会沿着狭缝612的方向有微弱的倾斜角，请参阅图2所示。在LCD成盒后，通常需对液晶分子63进行两次光配向：电压序列下配向及紫外光照射配向。请参阅图3及图4，是液晶分子63在电压序列下配向的示意图，液晶分子63微弱的预倾角在垂直电场601下要按照特定角度转动比较难，这时候像素电极61四边的侧向电场603就起到很关键的作用。侧向电场603的电力线并非垂直，而是有一定的倾斜，这样和液晶分子63就会形成一定的角度，相当于液晶分子63具有较大的预倾角。在电场力的作用下，液晶分子63会沿着预倾角的方向旋转，直到和电力线垂直，液晶分子63才能达到力平衡状态(负性液晶的光电特性)。由于侧向电场603的存在，使得液晶分子63连续性地旋转并达到预定的目标。然而，像素结构60的侧向电场603是一种很微弱的电场，并且液晶分子63的预倾角除了在狭缝612下形成外，还会受到显示面板中其他膜层产生的地形的影响，以黑色间隔物(BlackPhotoSpacer，BPS)技术为例，在栅极(gate)线上，由于BPS的存在，形成了很高的地形，会严重影响液晶分支的预倾角方向，导致产生暗纹。
技术实现思路
为了解决前述问题，本专利技术提供一种像素结构及显示面板。一种像素结构，包括异层设置的像素电极及公共电极，所述公共电极包括主体及绕设于所述主体的外围部，所述主体与所述像素电极相对设置，所述主体与所述外围部相邻区域形成镂空区域。进一步地，所述像素电极包括边框、第一主干电极及第二主干电极，所述边框包围所述第一主干电极及所述第二主干电极，所述边框于所述公共电极上的正投影遮盖所述镂空区域。进一步地，所述镂空区域包括第一镂空部及与所述第一镂空部相接并连通的第二镂空部，所述边框包括第一连接部及与第一连接部连接的第二连接部，所述第一镂空部对应所述第一连接部设置，所述第二镂空部对应所述第二连接部设置。进一步地，所述像素电极包括第一主干电极及第二主干电极，所述第一主干电极与所述第二主干电极交叉设置使得所述像素电极形成四个像素区域，所述镂空区域的数量为四个，每个镂空区域对应一个像素区域设置。进一步地，所述像素区域内设多个间隔设置的分支电极，相邻的两个所述分支电极之间形成像素电极狭缝，所述镂空区域包括多个公共电极狭缝，每个公共电极狭缝对应一个像素电极狭缝设置。进一步地，相邻的两个公共电极狭缝之间形成连接齿，每个连接齿与一个分支电极对应，每个连接齿在所述像素电极上的正投影位于与所述连接齿对应的分支电极上。进一步地，所述公共电极狭缝的长度小于与所述公共电极狭缝对应的像素电极狭缝的长度。进一步地，每个像素区域内的像素电极狭缝相对水平方向倾斜的角度相同。进一步地，所述像素电极还包括设于所述像素电极与所述公共电极之间的液晶分子。一种显示面板，包括多个如上所述的像素结构。本专利技术提供的像素结构及显示面板，由于公共电极的主体与外围部相邻的区域形成镂空区域，从而在对所述公共电极与所述像素电极施加电压时能够强化像素电极周边的侧向电场，进而降低配向不良性及减少暗纹的产生。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中的像素结构示意图；图2是在有电场时沿图1中AA’线的一状态剖视图；图3是在无电场时沿图1中AA’线的一状态剖视图；图4是负性液晶在电场力的作用下达到力平衡的示意图；图5是本专利技术实施例提供的显示面板的示意图；图6是本专利技术实施例提供的像素结构的示意图；图7是公共电极的示意图；图8是在有电场时沿图6中BB’线一状态的剖视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图5，为本专利技术实施例提供的显示面板200的示意图。显示面板200包括多个像素结构100。请参阅图6，为本专利技术实施例提供的像素结构100的示意图。像素结构100包括异层设置的像素电极10及公共电极30。本实施方式中，像素电极10设于阵列基板(图未示)侧，公共电极30设于彩色滤光基板(图未示)侧。像素电极10大致呈矩形。像素电极10包括第一主干电极12、第二主干电极13、边框14及分支电极15。第一主干电极12及第二主干电极13交叉设置从而将像素电极10分隔成四个像素区域(Domain)16。本实施方式中，第一主干电极12与第二主干电极13垂直相交，第一主干电极12沿水平方向(横向)延伸。第二主干电极13沿垂直于所述水平方向的方向(纵向)延伸。边框14包围第一主干电极12、第二主干电极13及四个像素区域16。边框14包括第一连接部141及与第一连接部141连接的第二连接部142。换而言之，本实施方式中，第一连接部141与第一主干电极12平行间隔设置，第二主干电极13与第一连接部141垂直相接；第二连接部142与第二主干电极13平行间隔设置，第一主干电极12与第二连接部142垂直相接。每个像素区域16内设多个间隔平行的分支电极15。分支电极15相对所述水平方向倾斜设置。相邻的分支电极15之间形成像素电极狭缝17。进一步地，每个像素区域16内的像素电极狭缝17相对所述水平方向倾斜的角度相同。每个像素区域16内的分支电极15相对所述水平方向倾斜的角度相同。四个像素区域16包括第一像素区域163、第二像素区域164、第三像素区域165及第四像素区域166。本实施方式中，第一像素区域163内的分支电极15相对第一主干电极12倾斜45度；第二像素区域164内的分支电极15相对第一主干电极12倾斜135度；第三像素区域165内的分支电极15相对第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括异层设置的像素电极及公共电极，所述公共电极包括主体及绕设于所述主体的外围部，所述主体与所述像素电极相对设置，所述主体与所述外围部相邻区域形成镂空区域。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括异层设置的像素电极及公共电极，所述公共电极包括主体及绕设于所述主体的外围部，所述主体与所述像素电极相对设置，所述主体与所述外围部相邻区域形成镂空区域。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括边框、第一主干电极及第二主干电极，所述边框包围所述第一主干电极及所述第二主干电极，所述边框于所述公共电极上的正投影遮盖所述镂空区域。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述镂空区域包括第一镂空部及与所述第一镂空部相接并连通的第二镂空部，所述边框包括第一连接部及与第一连接部连接的第二连接部，所述第一镂空部对应所述第一连接部设置，所述第二镂空部对应所述第二连接部设置。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括第一主干电极及第二主干电极，所述第一主干电极与所述第二主干电极交叉设置使得所述像素电极形成四个像素区域，所述镂空区域的数量为四个，每个镂空区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶岩溪，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44