显示面板和3D打印系统技术方案

本发明专利技术公开了一种显示面板和3D打印系统。显示面板包括多个像素，像素包括至少一个第一电极，第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝和电极条，狭缝和电极条在第二方向上交替排列，第一方向与第二方向相交；第一电极包括一个第一区和两个第二区，在第二方向上，第一区位于两个第二区之间；第一区内狭缝的宽度与第二区内狭缝的宽度不同，和/或，第一区内电极条的宽度与第二区内电极条的宽度不同。本发明专利技术针对不同产品的打印需求，能够实现减小层与层的交界处形成的打印台阶，使得打印产品交界处更平滑，提高打印效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和3D打印系统
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种显示面板和3D打印系统。
技术介绍
现有的显示面板技术中，显示面板主要分为液晶显示面板和有机自发光显示面板两种主流的技术。其中，液晶显示面板通过在像素电极和公共电极上施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能；有机自发光显示面板采用有机电致发光材料，当有电流通过有机电致发光材料时，发光材料就会发光，进而实现了显示面板的显示功能。相关技术中，可以采用液晶显示面板作为3D打印的光罩，显示面板上呈现出预备打印的图像，光源发射出的光透过液晶显示面板，照射到感光材料上固化目标部分的感光材料。液晶显示面板上的图像可以通过灰阶控制液晶偏转产生透过率差异，从而使得固化的感光材料产生不同的形状，实现3D打印的功能。将显示面板应用到3D打印技术中时，逐层打印出几何实体，在像素显示边缘与不透光区的交界处，相当于一边为有光线区域，另一边为无光线区域，像素显示边缘与不透光区存在亮度差异，由于感光材料对光强变化敏感，容易在各层的交界处形成打印台阶，影响打印效果。因此，提供一种能够改善打印台阶的显示面板和3D打印系统，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种显示面板和3D打印系统，解决了改善打印台阶的技术问题。第一方面，本专利技术提供了一种显示面板，包括多个像素，所述像素包括至少一个第一电极，所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝和电极条，所述狭缝和所述电极条在第二方向上交替排列，所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一电极包括一个第一区和两个第二区，在所述第二方向上，所述第一区位于两个所述第二区之间；所述第一区内所述狭缝的宽度与所述第二区内所述狭缝的宽度不同，和/或，所述第一区内所述电极条的宽度与所述第二区内所述电极条的宽度不同。第二方面，基于同一专利技术构思，本专利技术还提供了一种3D打印系统，包括本专利技术提出的任意一种显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的显示面板和3D打印系统，至少实现了如下的有益效果：本专利技术提供的显示面板中设置第一电极中第一区内狭缝的宽度与第二区内狭缝的宽度不同，和/或，第一区内电极条的宽度与第二区内电极条的宽度不同，通过对第一电极中狭缝和电极条的宽度进行设计可以实现第一区和第二区对应的区域产生的电场强度不同，从而液晶分子偏转率不同，进而实现在像素的开口区中对应的区域内光线穿透率的不同，即实现像素的中间和像素的两侧的发光亮度不同，应用在3D打印系统中，感光材料接收的光照亮度大则固化速度快，感光材料接收的光照亮度小则固化速度慢，本专利技术针对不同产品的打印需求，能够实现减小层与层的交界处形成的打印台阶，使得打印产品交界处更平滑，提高打印效果。当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术实施例提供的显示面板的俯视示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示面板的膜层结构图；图3为本专利技术实施例提供的第一电极的一种可选实施方式示意图；图4为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图5为本专利技术实施例提供的显示面板的一种可选实施方式截面示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种线栅偏光片的俯视图；图7为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图8为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图9为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图10为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图11为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图；图12为本专利技术实施例提供的显示面板的一种可选实施方式俯视示意图；图13为本专利技术实施例提供的3D打印系统示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1为本专利技术实施例提供的显示面板的俯视示意图。图2为本专利技术实施例提供的显示面板的膜层结构图。图3为本专利技术实施例提供的第一电极的一种可选实施方式示意图。图4为本专利技术实施例提供的第一电极的另一种可选实施方式示意图。如图1所示，本专利技术提供的显示面板包括多个像素p，图1中像素p的形状和排列方式仅是示意性表示。如图2所示，显示面板包括阵列基板101、对置基板102、和液晶分子层103，阵列基板101可以包括第一衬底1011和位于第一衬底1011之上的薄膜晶体管T，薄膜晶体管T作为显示面板中像素p显示的开关器件。对置基板102可以包括第二衬底1021和黑矩阵BM，其中，黑矩阵BM将显示面板划分为多个像素p，黑矩阵BM包围的区域为像素p的开口区，光线从像素p的开口区出射实现像素p的发光，像素p显示的边缘与不透光区(黑矩阵BM)相邻，光线不能穿透不透光区。显示面板还可以包括像素电极和公共电极，通过在像素电极和公共电极上施加电压，从而形成控制液晶分子偏转的电场，通过控制液晶分子的偏转率控制光线穿透液晶分子层的穿透率，从像素p的开口区出射，实现对像素p显示灰阶的控制。图2中并未示出像素电极和公共电极的位置。其中，像素电极和公共电极可以都位于阵列基板，在施加电压后形成水平电场控制液晶分子发生偏转。或者，像素电极位于阵列基板，而公共电极位于对置基板，在施加电压后形成垂直电场控制液晶分子发生偏转。阵列基板101中薄膜晶体管T可以包括有源层T1、栅极T2、源极T3和漏极T4，图2中仅以顶栅结构的薄膜晶体管T进行表示，本专利技术中薄膜晶体管T也可以为底栅结构的。本专利技术提供的显示面板中像素包括至少一个第一电极，可选的，在本专利技术提供的显示面板中可以设置公共电极为第一电极；或者也可以设置像素电极为第一电极；或者也可以设置像素电极和公共电极的均为第一电极。在同一个第一电极中，两个第二区内狭缝和电极条的设置方式可以相同也可以不同。实际中可根据具体产品设计需求而定。同时参考图3和图4所示，第一电极D包括沿第一方向x延伸的狭缝11和电极条22，狭缝11和电极条22在第二方向y上交替排列，第一方向x与第二方向y相交；第一电极D包括一个第一区A1和两个第二区A2，在第二方向y上，第一区A1位于两个第二区A2之间；第一区A1内狭缝11的宽度S与第二区A2内狭缝11的宽度S不同，和/或，第一区A1内电极条22的宽度W与第二区A2内电极条22的宽度W不同。图3和图4中第一电极D的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：多个像素，所述像素包括至少一个第一电极，所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝和电极条，所述狭缝和所述电极条在第二方向上交替排列，所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一电极包括一个第一区和两个第二区，在所述第二方向上，所述第一区位于两个所述第二区之间；所述第一区内所述狭缝的宽度与所述第二区内所述狭缝的宽度不同，和/或，所述第一区内所述电极条的宽度与所述第二区内所述电极条的宽度不同。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：多个像素，所述像素包括至少一个第一电极，所述第一电极包括沿第一方向延伸的狭缝和电极条，所述狭缝和所述电极条在第二方向上交替排列，所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一电极包括一个第一区和两个第二区，在所述第二方向上，所述第一区位于两个所述第二区之间；所述第一区内所述狭缝的宽度与所述第二区内所述狭缝的宽度不同，和/或，所述第一区内所述电极条的宽度与所述第二区内所述电极条的宽度不同。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在一个所述第一电极中：由所述第二区指向所述第一区的方向上，所述狭缝的宽度逐渐变小，和/或，所述电极条的宽度逐渐变小。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在一个所述第一电极中：由所述第二区指向所述第一区的方向上，所述狭缝的宽度逐渐变大，和/或，所述电极条的宽度逐渐变大。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述狭缝包括第一狭缝和第二狭缝，所述电极条包括第一电极条和第二电极条，所述第一狭缝和所述第一电极条位于所述第二区，所述第二狭缝和所述第二电极条位于所述第一区；所述第一狭缝的宽度为S1，所述第一电极条的宽度为W1，所述第二狭缝的宽度为S2，所述第二电极条的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王臣，席克瑞，简守甫，陈杰，韩甲伟，陈湃杰，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31