防水装置及使该装置导电且漏电流小于10微安培导电方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种防水装置和其导电方法，其中，该防水装置包含本体和涂层，该涂层包覆在上述的本体的部分或全部表面，其中上述的涂层包含可恢复形变的非导体材料或触敏量子隧道材料，且该涂层的厚度是大于30nm。其次，应用接触式导电的方式使本发明专利技术的防水装置导电。

【技术实现步骤摘要】
防水装置及使该装置导电且漏电流小于10微安培导电方法
本专利技术涉及一种防水装置及其导电方法，特别是涉及一种防水装置及其一种使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法。
技术介绍
已知传统防水层或防水装置，电子无法通过而导致无法导电。传统加入导电材料的防水层或装置，会使电子产品短路。且传统的防水薄膜，其薄膜如同导体薄膜，会有使电子产品大量漏电的缺点，进而造成在产业上无法安全地使用。其次，现有习知技术的保护层或防水装置，电子通常穿透保护层太多，导致该保护层抗氧化、抗腐蚀的能力不佳，此缺点也造成产品的寿命缩短。鉴于上述的技术背景，对于开发一安全新颖且能广泛应用在产业上的防水装置实为一急需研究开发的课题。
技术实现思路
综上所述，为了符合产业上的要求，本专利技术提供一种防水装置及其导电方法以解决上述无法克服的问题，以达成产业所需的目的。本专利技术的第一目的在于提供一种防水装置，其包括一本体和一涂层，该涂层包覆在上述的本体的部分或全部表面，其中上述的涂层包括一可恢复形变的非导体材料或一触敏量子隧道材料，且该涂层的厚度大于30nm。具体的，本专利技术所述的防水装置和其涂层能让防水性质和导电性质同时存在。本专利技术的防水装置所涂布的各种厚度的涂层都能使用接触式导电方法进行应用和开关驱动。其中当所述涂层是200nm以下的厚度可运用接触式量子穿隧效应的接触式导电方法；当所述涂层是30nm以上的厚度可运用可形变的非导体的接触式导电方法。在上述防水装置中，可恢复形变的非导体材料包括膏状物、油类、脂类、高分子材料、有机物、无机物和纳米材料之一或其组合。在上述防水装置中，高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。在上述防水装置中，触敏量子隧道材料包括绝缘体、半导体、高分子材料、膏状物、导电粒子、有机物、无机物和纳米材料之一或其组合。在上述防水装置中，高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。在上述防水装置中，本体包括非绝缘体，如导体和半导体、电子产品、连接器，触摸板、键盘、开关，各式电子组件、电路板、传感器、电池。具体地，本专利技术所提供的防水装置的漏电流小于10微安培(μA)，优选地，该漏电流小于1微安培。具体地，本专利技术所述的防水装置是应用接触式导电方式，只有在接触点可以导电，而其他区域则依旧保持电子不通和良好防水与抗腐蚀等等的保护能力，使本专利技术的防水装置免于外界环境所造成的损害；更进一步的说明，本专利技术的防水装置在水或是可导电的液体中进行运作或开关操作时不会发生电路短路的问题。相较之下，采用传统防水胶的防水装置，其防水与导电两种特性无法同时存在。因此，本专利技术所提供的防水装置克服了传统技术所无法解决的技术瓶颈和难题。本专利技术的第二方面在于提供一种使如第一方面所述的防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法，特别是指所包含的涂层是一触敏量子隧道材料的防水装置，其方法包括以下步骤：提供一导体；使该导体接触所述的防水装置的涂层，借此产生量子穿隧效应，其中上述的涂层是一触敏量子隧道材料；和移除该导体，完成所述的防水装置的导电，且该防水装置的漏电流小于10微安培(μA)。具体的，上述应用接触式量子穿隧效应的接触式防水装置，其借由触敏量子隧道材料可达成低表面能、形变可恢复或不可恢复皆可。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，触敏量子隧道材料可由以下材料制备，其包括:绝缘体、半导体、高分子材料、膏状物(非牛顿液体)、导电粒子、有机物、无机物、纳米材料、上述各种材料的混合物和上述各种材料的混合物加微结构。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，优选地，所述的高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，所述的防水装置的涂层的厚度小于200nm。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，所述的防水装置包含电路板、电池、发光二极管、半导体、面板、连接器、触摸板、键盘、开关、传感器、电池、电子组件和芯片。本专利技术的第三方面在于提供一种使如第一方面所述的防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法，特别是指所包含的涂层是一可恢复形变的非导体材料的防水装置，其方法包括以下步骤：提供一导体；使该导体穿透所述的防水装置的涂层，并接触该本体，其中上述的涂层是一可恢复形变的非导体材料；和移除该导体，使上述的涂层恢复原状，完成所述的防水装置的导电，且该防水装置的漏电流小于10微安培(μA)。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，可恢复形变的非导体材料系选自下列群组之一或其组合：膏状物(非牛顿液体)、油类、脂类、高分子材料、有机物、无机物和纳米材料。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，优选地，高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，所述的防水装置的涂层的厚度小于200nm。在上述使防水装置导电且漏电流小于10微安培(μA)的方法中，所述的防水装置包含电路板、电池、发光二极管、半导体、面板、连接器、触摸板、键盘、开关、传感器、电池、电子组件和芯片。综上所述，本专利技术所提供的防水装置及其导电方法能够克服既有的技术瓶颈，并具有如下所述的优点：本专利技术借由一种具有保护装置功能的涂层，同时达到保护装置防水和利用涂层的特有性质达到导电又不漏电的效果。具体地，在施加轻微力量于上述的涂层后，就可以使装置产生接触式导电，但是其他区域则依旧保持不导电和良好防水与抗腐蚀等等的能力，借此本专利技术的防水装置能够导电，且在导电过程中和完成导电后的本专利技术的防水装置的漏电流小于10微安培(μA)，等同于不会漏电的效果。其次，本专利技术所述的涂层除防水用途之外，亦可达到防腐蚀、防氧化、防外物破坏、抗尘易洁等功能。同时此涂层还具有保护电子产品接触水气之后，不漏电，不短路的优点。附图说明图1为本专利技术第二实施例的方法流程示意图；图2为本专利技术第三实施例的方法流程示意图；图3为防水漏电的测试比较图，其中，A表示传统的防水薄膜的防水漏电情况；B表示使用本专利技术的接触式导电防水薄膜的防水漏电情况；未处理(untreated)表示未处理的样品的防水漏电情况。【主要元件符号说明】100：导体200：本体300：触敏量子隧道材料涂层400：可恢复形变的非导体材料涂层具体实施方式以下将详述本案的各实施例，并配合图式作为例示。除了这些详细描述之外，本专利技术还可以广泛地实行在其他的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本案的范围内，并以专利所要保护的范围为准。在说明书的描述中，为了使读者对本专利技术有较完整的了解，提供了许多特定细节；然而，本专利技术可能在省略部分或全部这些特定细节的前提下，仍可实施。此外，众所周知的程序步骤或元件并未描述于细节中，以避免造成本专利技术不必要的限制。根据本专利技术第一实施例，本专利技术提供一种防水装置，其包括本体和涂层，该涂层包覆在上述的本体的部分或全部表面，其中上述的涂层包括可恢复形变的非导体材料或触敏量子隧道材料，且该涂层的厚度是大于30nm。在一具体实施例中，该可恢复形变的非导体材料是选自下列群组之一或其组合：膏状物(非牛顿液体)、油类、脂类、高分子材料、有机物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防水装置，其特征在于，包括本体和涂层，所述涂层包覆在所述本体的部分或全部表面，其中所述涂层包括可恢复形变的非导体材料或触敏量子隧道材料，且所述涂层的厚度大于30nm。

【技术特征摘要】
2017.06.02 US 62/514,1001.一种防水装置，其特征在于，包括本体和涂层，所述涂层包覆在所述本体的部分或全部表面，其中所述涂层包括可恢复形变的非导体材料或触敏量子隧道材料，且所述涂层的厚度大于30nm。2.根据权利要求1所述的防水装置，其特征在于，所述可恢复形变的非导体材料是选自下列群组之一或其组合：膏状物、油类、脂类、高分子材料、有机物、无机物和纳米材料。3.根据权利要求2所述的防水装置，其特征在于，所述高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。4.根据权利要求1所述的防水装置，其特征在于，所述触敏量子隧道材料是选自下列群组之一或其组合：绝缘体、半导体、高分子材料、膏状物、导电粒子、有机物、无机物和纳米材料。5.根据权利要求4所述的防水装置，其特征在于，所述高分子材料包括硅氧烷高分子、环氧树脂或聚氨酯。6.根据权利要求1所述的防水装置，其特征在于，所述本体包括电路板、电池、发光二极管、半导体、面板、连接器、触摸板、键盘、开关、传感器、电池、电子组件和芯片。7.根据权利要求1所述的防水装置，其特征在于，其漏电流小于10微安培(μA)。8.一种使防水装置导电且漏电流小于10微安培的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供导体；使所述导体接触如权利要求1所述的防水装置的涂层，借此产生量子穿隧效应，其中所述涂层是触敏量子隧道材料；和移除所述导体，完成如权利要求1所述的防水装置的导电，且所述防水装置的漏电流小于10微安培。9.根据权利要求8所述的使防水装置导电且漏电流小于10微安培的方法，其特征在于，所述触敏量子隧道材料是选自下列群组之一或其组合：绝缘体、半导体、高分子材料、...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄嘉秦，黄启裕，
申请(专利权)人：戴垄科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71