覆盖层形成用化合物及包含其的有机发光器件制造技术

本发明专利技术涉及覆盖层形成用化合物以及包含该化合物的有机发光器件，本发明专利技术的一实例的覆盖层形成用化合物适用于有机发光器件，可提高有机发光器件的外部发光效率、色坐标及寿命。

【技术实现步骤摘要】
覆盖层形成用化合物及包含其的有机发光器件
本专利技术涉及覆盖层形成用化合物及包含其的有机发光器件。
技术介绍
一般来说，有机发光器件是指利用有机物质来将电能转换为光能的器件。有机发光器件通常可具有在基板上部形成阳极(anode)，在上述阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极(cathode)的结构。有机发光器件，若在上述阳极及阴极之间施加电压，则从阳极注入空穴，所注入的空穴经由空穴输送层而移动至发光层的同时从阴极注入电子，所注入的电子经由电子输送层而移动至发光层。移动至上述发光层的空穴及电子再结合而生成激子(exciton)。上述激子在激发状态下变成基态，产生光。有机发光器件的效率通常可分为内部发光效率和外部发光效率。内部发光效率与如下内容相关，如空穴输送层、发光层及电子输送层等一样形成在第一电极与第二电极之间的有机物层中多么有效地生成激子而进行光转换。按理论讲，就内部发光效率而言，对于荧光来说，约25％，对于磷光来说，约100％。另一方面，外部发光效率表示从形成在第一及第二电极之间的有机物层中生成的光提取到有机发光器件外部的效率，一般来说，以内部发光效率的约20％的水准，提取到外部。用于提高这种外部发光效率，即光提取效率的方法，为了防止发射到外部的光进行全反射而被损伤，将多种有机化合物用作覆盖层(cappinglayer)，为了改善有机发光器件的性能，不断努力开发具有可提高外部发光效率的高折射率及薄膜稳定性的有机化合物。现有技术文献专利文献(专利文献1)韩国公开专利10-2004-0098238
技术实现思路
本专利技术提供具有不对有机发光器件的RGB波长带来影响的宽的带隙的同时具有高的折射率，由此可提高有机发光器件的色纯度和外部发光效率的覆盖层形成用化合物以及包括含有上述覆盖层形成用化合物的覆盖层的有机发光器件。但是，本专利技术要解决的问题不局限于以上描述的问题，本专利技术技术人员应当通过以下的记载内容明确理解未描述的其他问题。本专利技术的第一实施方式提供由以下化学式1表示，配置于有机发光器件的电极外侧的覆盖层形成用化合物：化学式1在上述化学式1中，Ar1为取代或未取代的C6～50的亚芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂亚芳基，Ar2为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar与Ar’可以相连接而形成环，或者也可以不形成环，L为直接键合、取代或未取代的C6～30的亚芳基、或者取代或未取代的C5～30的杂亚芳基，R1至R4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的C1～30的烷基、取代或未取代的C1～30的烷氧基、取代或未取代的C2～30的烯基、取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，l、m及o分别独立地为0或1至4的整数，n为0或1至3的整数。本专利技术的第二实施方式提供一种有机发光器件，包括：第一及第二电极；有机物层，介于上述第一及第二电极内侧；以及覆盖层，配置于上述第一及第二电极中的至少一个电极外侧，并含有本专利技术的覆盖层形成用化合物。本专利技术的一实例的覆盖层形成用化合物具有不对有机发光器件的RGB波长带来影响的宽的带隙的同时具有高的折射率，由此可提高有机发光器件的色纯度和外部发光效率。并且，本专利技术的一实例的覆盖层形成用化合物，分子排列优秀，随着堆积密度增加，可形成稳定的薄膜。并且，借助高的Tg及Td，抑制重结晶化，不受驱动有机发光器件时产生的热的影响，可减少因外部的空气及水分而导致的有机发光器件内部的污染，由此可提高有机发光器件的寿命。附图说明图1表示本专利技术一实例的有机发光器件的简图。附图标记的说明100：基板200：空穴注入层300：空穴输送层400：发光层500：电子输送层600：电子注入层1000：阳极(第一电极)2000：阴极(第二电极)3000：覆盖层具体实施方式以下，参照附图，详细说明本专利技术的实例及实施例，使得本专利技术所属
的普通技术人员可容易实施。但是，本专利技术能够以多种不同的形态实现，且不局限于在此说明的实例及实施例。并且，在图中，为了明确说明本专利技术，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中，对于类似的部分，标注了类似的附图标记。在本专利技术说明书全文中，当一个部件位于另一部件“上”时，不仅包括一个部件与另一部件相接触的情况，还包括在两个部件之间存在其他部件的情况。在本专利技术说明书全文中，当一个部分“包括”一个结构要素时，除非有特别相反的记载，则意味着还可包括其他结构要素，而不是排除其他结构要素。在本专利技术说明书全文中使用的术语“约”、“实质上”等在所提及的含义上提示固有的制备及物质容差时以其数值或接近于其数值的含义使用，以防止昧良心的侵权人不当地利用为了帮助理解本专利技术而提及准确或绝对的数值的公开内容。在本专利技术说明书全文中使用的术语“～(的)步骤”或“～的步骤”不意味着“用于～的步骤”。在本专利技术说明书全文中，马库什(Markush)形式的表现中所含的“它们的组合”这一术语意味着选自由马库什形式的表现中所记载的多个结构要素组成的组中的一种以上的混合或组合，意味着包括选自由上述多个结构要素组成的组中的一种以上。在本专利技术说明书全文中，“A和/或B”这一记载意味着“A或B，或者A及B”。在本专利技术说明书全文中，术语“芳基”意味着包含C5-50的芳香族烃环基，例如，苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三苯基烯基、苯基烯基、基、荧烷噻吩甲基、苯并芴基、苯并三苯基烯基、苯并基、蒽基、均二苯乙烯基、芘基等的芳香族环，“杂芳基”作为包含至少一个杂元素的C3-50的芳香族环，例如，意味着包含从吡咯啉基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲唳基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二噁烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、噁唑环、噁二唑环、苯并噁唑环、噻唑环、噻重氮环、苯并噻唑环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环形成的芳香族杂环基。在本专利技术说明书全文中，术语“可取代的”可意味着可由选自由重氢、卤素、氨基、腈基、硝基或C1～C30的烷基、C2～C30的烯基、C1～C30的烷氧基、C3～C20的环烷基、C3～C20的杂环烷基、C6～C30的芳基及C3～C30的杂芳基组成的组中的一种以上的基取代。并且，在本专利技术说明书全文中，相同的附图标记只要没有特别提及的内容，就可具有相同意思。本专利技术的第一实施方式提供由以下化学式1表示，配置于有机发光器件的电极外侧的覆盖层形成用化合物：化学式1在上述化学式1中，Ar1为取代或未取代的C6～50的亚芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂亚芳基，Ar2为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar与Ar’可以相连接而形成环，或者也可以不形成环，L为直接键合、取代或未取代的C6～30的亚芳基、或者取代本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆盖层形成用化合物，其特征在于，由以下化学式1表示，配置于有机发光器件的电极外侧：化学式1

【技术特征摘要】
2017.05.31 KR 10-2017-00677131.一种覆盖层形成用化合物，其特征在于，由以下化学式1表示，配置于有机发光器件的电极外侧：化学式1在所述化学式1中，Ar1为取代或未取代的C6～50的亚芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂亚芳基，Ar2为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，Ar与Ar’可以相连接而形成环，或者也可以不形成环，L为直接键合、取代或未取代的C6～30的亚芳基、或者取代或未取代的C5～30的杂亚芳基，R1至R4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的C1～30的烷基、取代或未取代的C1～30的烷氧基、取代或未取代的C2～30的烯基、取代或未取代的C6～50的芳基、或者取代或未取代的C5～50的杂芳基，l、m及o分别独立地为0或1至4的整数，n为0或1至3的整数。2.根据权利要求1所述的覆盖层形成用化合物，其特征在于，所述化合物由以下化学式2表示：化学式2在所述化学式2中，p为1至4的整数。3.根据权利要求2所述的覆盖层形成用化合物，其特征在于，所述化合物由以下化学式3或化学式4表示：在所述化学式3或化学式4中，R5及R6分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的C1～44的烷基、取代或未取代的C1～44的烷氧基、取代或未取代的C2～44的烯基、取代或未取代的C6～44的芳基、或者取代或未...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，姜京敏，金熙宙，金东骏，闵丙哲，文锺勋，韩政佑，李萤振，林东焕，林大喆，权桐热，李成圭，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR