单晶炉加热器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉加热器，涉及单晶硅制备设备技术领域，主要目的是提供一种通过减弱熔体对流对单晶拉制的影响，从而提高单晶品质的单晶炉加热器。本实用新型专利技术的主要技术方案为：一种单晶炉加热器，包括：本体，本体包括第一加热壁和第二加热壁，第一加热壁设置在第二加热壁的上部，其中，第二加热壁的厚度厚于第一加热壁的厚度；连接脚，连接脚连接于第二加热壁，用于连接螺栓，通过将本体分为第一加热壁和第二加热壁，并且第二加热壁的厚度厚于第一加热壁的厚度，改变了溶体的温度梯度，从而降低了硅熔体的对流强度，减弱了硅熔体对流对单晶拉制的影响，进而提高了单晶的质量和品质。本实用新型专利技术主要用于制备单晶硅。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉加热器
本技术涉及单晶硅制备设备
，尤其涉及一种单晶炉加热器。
技术介绍
随着社会的快速发展，光伏领域得到越来越多的人的重视，而单晶硅成为太阳能电池板的主要材料。制作单晶硅的过程中，需要通过单晶炉对硅料进行加热，而单晶炉中的加热器是单晶炉中的热量来源，随着对单晶的尺寸和质量的要求的增加，再加上降低成本的需求，增大拉晶投料量已经成为势在必行的解决方式，通常的做法是增加单晶炉和坩埚的尺寸，但是，随着单晶炉和坩埚的尺寸的增加，熔体对流也会进一步增强，从而严重影响单晶拉制的过程，降低了单晶的品质和质量。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供一种单晶炉加热器，主要目的是提供一种通过减弱熔体对流对单晶拉制的影响，从而提高单晶品质的单晶炉加热器。为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：本技术实施例提供了一种单晶炉加热器，包括：本体，所述本体包括第一加热壁和第二加热壁，所述第一加热壁设置在所述第二加热壁的上部，其中，所述第二加热壁的厚度厚于所述第一加热壁的厚度；连接脚，所述连接脚连接于所述第二加热壁，用于连接螺栓。进一步的，所述第一加热壁与所述第二加热壁的厚度比为1比2。进一步的，所述第一加热壁与所述第二加热壁的高度比为7比4。进一步的，所述本体还包括连接壁，所述连接壁设置在所述第一加热壁和所述第二加热壁之间，用于连接所述第一加热壁和所述第二加热壁。进一步的，所述连接壁具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第一加热壁相连接，所述第二侧面与所述第二加热壁相连接，其中，所述第一侧面与所述第一加热壁的厚度相同，所述第二侧面与所述第二加热壁的厚度相同。进一步的，所述第一加热壁、所述第二加热壁和所述连接壁为一体成型结构。进一步的，所述连接壁还具有第三侧面，所述第三侧面设置在所述第一侧面与所述第二侧面之间，并且位于所述本体的内侧，所述第三侧面为弧面。进一步的，所述第三侧面为弧形倒角面。进一步的，所述连接脚包括连接部和脚板，所述连接部的一端可拆卸连接于所述第二加热壁，另一端固定连接于所述脚板，所述脚板具有相对的第四侧面和第五侧面，在所述第四侧面设置第一连接孔，在所述第五侧面设置第二连接孔，所述第一连接孔与所述第二连接孔相互连通，其中，所述第一连接孔的直径大于所述第二连接孔的直径。进一步的，所述连接部与所述脚板为一体成型结构。与现有技术相比，本技术具有如下技术效果：本技术实施例提供的技术方案中，本体包括第一加热壁和第二加热壁，第一加热壁设置在第二加热壁的上部，其中，第二加热壁的厚度厚于第一加热壁的厚度；连接脚连接于第二加热壁，用于连接螺栓，相对于现有技术，增加单晶炉和坩埚的尺寸，但是，随着单晶炉和坩埚的尺寸的增加，熔体对流也会进一步增强，从而严重影响单晶拉制的过程，降低了单晶的品质和质量，本技术中，通过将本体分为第一加热壁和第二加热壁，并且第二加热壁的厚度厚于第一加热壁的厚度，改变了溶体的温度梯度，从而降低了硅熔体的对流强度，减弱了硅熔体对流对单晶拉制的影响，进而提高了单晶的质量和品质。附图说明图1为本技术实施例提供的一种单晶硅加热器的结构示意图；图2为图1中A处的放大结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。如图1所示，本体1，本体1包括第一加热壁11和第二加热壁12，第一加热壁11设置在第二加热壁12的上部，其中，第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度；连接脚2，连接脚2连接于第二加热壁12，用于连接螺栓。本技术实施例提供的技术方案中，本体1包括第一加热壁11和第二加热壁12，第一加热壁11设置在第二加热壁12的上部，其中，第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度；连接脚2连接于第二加热壁12，用于连接螺栓，相对于现有技术，增加单晶炉和坩埚的尺寸，但是，随着单晶炉和坩埚的尺寸的增加，熔体对流也会进一步增强，从而严重影响单晶拉制的过程，降低了单晶的品质和质量，本技术中，通过将本体1分为第一加热壁11和第二加热壁12，并且第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度，改变了溶体的温度梯度，从而降低了硅熔体的对流强度，减弱了硅熔体对流对单晶拉制的影响，进而提高了单晶的质量和品质。上述本体1的作用是加热坩埚，本体1包括第一加热壁11和第二加热壁12，第一加热壁11设置在第二加热壁12的上部，其中，第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度，也就是说，本体1采用了上薄下厚的非均匀结构，将第一加热壁11设置在第二加热壁12的上部，并且使第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度，连接脚2连接于第二加热壁12，用于连接螺栓，具体的，连接脚2与单晶炉内的电极螺栓相连接，电能通过电机螺栓到达加热器，使加热器发热，由于第一加热壁11和第二加热壁12的厚度不同，第二加热壁12的厚度厚于第一加热壁11的厚度，使得坩埚底部受到的热量辐射较小，减小了熔体对流的强度，进而达到提高硅晶体的质量和品质的技术效果。进一步的，第一加热壁11与第二加热壁12的厚度比为1比2。本实施例中，进一步限定了第一加热壁11和第二加热壁12的厚度，将第一加热壁11与第二加热壁12的厚度比设置为1比2，通过实验发现，当第一加热壁11与第二加热壁12的厚度比为1比2时，能够最大限度的减小熔体对流的强度，进一步达到提高硅晶体的质量和品质的技术效果。进一步的，第一加热壁11与第二加热壁12的高度比为7比4。本实施例中，进一步限定了第一加热壁11与第二加热壁12的高度，将第一加热壁11与第二加热壁12的高度设置为7比4，坩埚的大小随着加热壁的高度的增加而增加，通过提高第一加热壁11与第二加热壁12的高度，可以有效的提高硅晶体的生产效率，通过实验得出，当第一加热壁11与第二加热壁12的高度比为7比4时，可以进一步减小坩埚内熔体对流的强度，进一步提高硅晶体的质量和品质。进一步的，如图1所示，本体1还包括连接壁13，连接壁13设置在第一加热壁11和第二加热壁12之间，用于连接第一加热壁11和第二加热壁12。本实施例中，进一步限定了本体1，连接壁13的作用是连接第一加热壁11和第二加热壁12，连接壁13起到过度的作用，使第一加热壁11和第二加热壁12得连接更为顺畅。进一步的，如图2所示，连接壁13具有相对的第一侧面131和第二侧面132，第一侧面131与第一加热壁11相连接，第二侧面132与第二加热壁12相连接，其中，第一侧面131与第一加热壁11的厚度相同，第二侧面132与第二加热壁12的厚度相同。本实施例中，进一步限定了连接壁13，第一侧面131与第一加热壁11相连接，第二侧面132与第二加热壁12相连接，其中，第一侧面131与第一加热壁11的厚度相同，第二侧面132与第二加热壁12的厚度相同，也就是说，连接壁13的两个侧面的厚度不同，使第一连接壁13和第二加热壁12得连接更为顺畅，目的是避免在本体1上出现打火的现象，提高单晶炉加热器的安全性。进一步的，第一加热壁11、第二加热壁12和连接壁13为一体成型结构。本实施例中，进一步限定了本体1，将第一加热壁11、第二加热壁12和连接壁13设置为一体成型结构，第一加热壁11、第二加热壁12和连接壁13可以通过模具浇筑的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉加热器，其特征在于，包括：本体，所述本体包括第一加热壁和第二加热壁，所述第一加热壁设置在所述第二加热壁的上部，其中，所述第二加热壁的厚度厚于所述第一加热壁的厚度；连接脚，所述连接脚连接于所述第二加热壁，用于连接螺栓。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉加热器，其特征在于，包括：本体，所述本体包括第一加热壁和第二加热壁，所述第一加热壁设置在所述第二加热壁的上部，其中，所述第二加热壁的厚度厚于所述第一加热壁的厚度；连接脚，所述连接脚连接于所述第二加热壁，用于连接螺栓。2.根据权利要求1所述的单晶炉加热器，其特征在于，所述第一加热壁与所述第二加热壁的厚度比为1比2。3.根据权利要求2所述的单晶炉加热器，其特征在于，所述第一加热壁与所述第二加热壁的高度比为7比4。4.根据权利要求1至3任一项所述的单晶炉加热器，其特征在于，所述本体还包括连接壁，所述连接壁设置在所述第一加热壁和所述第二加热壁之间，用于连接所述第一加热壁和所述第二加热壁。5.根据权利要求4所述的单晶炉加热器，其特征在于，所述连接壁具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述第一加热壁相连接，所述第二侧面与所述第二加热壁相连接，其中，所述第一侧面与所述第一加热壁的厚度相同，所述第二侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：田龙，汪奇，高彬彬，黎涛，
申请(专利权)人：新疆晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆,65