【技术实现步骤摘要】
区熔炉热场线圈的循环水路结构
本专利技术属于单晶硅制造设备
,具体涉及一种区熔炉热场线圈中改善的循环水路结构。
技术介绍
区熔炉用热场线圈是区熔单晶生长的组成部分,其作用是在单晶生长过程中为其提供稳定的热场。热场线圈中的循环水路是维持热场热能稳定的主要构造,现有的热场线圈循环水路结构如图1所示,水路自连接法兰一端进入热场后,绕聚流环外周环绕将近一圈,然后自连接法兰的另一端引出。这种现有的结构水流量小、热交换效率低下,使热场线圈在反复的升温降温循环后出现明显的不可修复的形变,降低了热场线圈使用寿命,并使热场变的不稳定,影响单晶生长效果。
技术实现思路
本专利技术提供了一种区熔炉热场线圈的循环水路结构,具有减少热场线圈变形量、稳定热场的作用。本专利技术的区熔炉热场线圈的循环水路结构,水路自连接法兰一端进入热场后,以内圆孔为中心进行环绕,然后自连接法兰的另一端引出;以连接法兰中央相对于内圆孔的中心为0°线,热场内的水路分别在45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°线的方向上形成凸起的弯折回路。其中,所述热场内凸起的弯折回路能够跨越聚流环。其中,所述热场内,在45°、135°、225°、315°线的方向上的弯折回路具有相同的结构,视为第一回路结构,在90°、180°、270°线的方向上的弯折回路具有相同的结构,视为第二回路结构;所述第一回路结构包括与凸起方向平行的第一进出管路段、以及三面围合呈等腰梯形的第一围合管路段;所述第二回路结构包括与凸起方向平行的第二进出管路段、以及与凸起方向垂直的第二围合管路段。进一步,所述第一进出管路段中,第一 ...
【技术保护点】
1.一种区熔炉热场线圈的循环水路结构,其特征在于,水路自连接法兰(1)一端进入热场后,以内圆孔(2)为中心进行环绕,然后自连接法兰(1)的另一端引出;以连接法兰中央相对于内圆孔(2)的中心为0°线,热场内的水路分别在45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°线的方向上形成凸起的弯折回路。
【技术特征摘要】
1.一种区熔炉热场线圈的循环水路结构,其特征在于,水路自连接法兰(1)一端进入热场后,以内圆孔(2)为中心进行环绕,然后自连接法兰(1)的另一端引出;以连接法兰中央相对于内圆孔(2)的中心为0°线,热场内的水路分别在45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°线的方向上形成凸起的弯折回路。2.根据权利要求1所述的区熔炉热场线圈的循环水路结构,其特征在于,所述热场内凸起的弯折回路能够跨越聚流环(4)。3.根据权利要求1所述的区熔炉热场线圈的循环水路结构,其特征在于,所述热场内,在45°、135°、225°、315°线的方向上的弯折回路具有相同的结构,视为第一回路结构(5),在90°、180°、270°线的方向上的弯折回路具有相同的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王广明,王遵义,刘琨,万静,王印,吴磊,
申请(专利权)人:天津中环领先材料技术有限公司,
类型:新型
国别省市:天津,12
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