一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法技术

一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法,包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，还包括在超声溢水装置前侧设有的喷淋装置，酸洗后的芯片需要依次经过喷淋清洗、一级超声溢水清洗、二级超声溢水清洗、一级超声丙酮脱水、二级超声丙酮脱水和烘干操作。本发明专利技术采用上述结构，本发明专利技术采用上述结构，设计合理，喷淋清洗过程，有效减少了水对芯片的二次玷污，稳定芯片电性参数，提高芯片的可靠性；两级超声溢水洗，使得对芯片的清洗更彻底干净；两级超声丙酮脱水及烘干过程，彻底清除水残留，减少芯片表面可移动离子，提高芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法
：本专利技术涉及一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法。
技术介绍
：半导体在社会中的应用越来越广泛，人们对半导体器件的需求也越来越多，如整流电路、检波电路、稳压电路和各种调制电路等，都需要用到半导体器件，但现有的对半导体器件的加工，还存在一些问题，例如半导体器件组装后芯片的清洗过程，用现有的清洗方法，其制成的产品极易造成二次玷污，二次玷污对产品电性参数的影响较大，造成了产品质量不稳定，此外，由于化学物质在芯片中的残留，在产品使用和保存中会有化学和物理反应，造成产品性能衰减，产品电性良率低，可靠性低。
技术实现思路
：本专利技术提供了一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法，设计合理，对芯片的清洗彻底，且有效减少了芯片的二次玷污，提高产品电性良率和耐高温特性，解决了现有技术中存在的问题。本专利技术为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽，溢水槽上设有溢水电阻，溢水槽内设有超声波发振器，所述溢水槽还连接溢水槽进水管，所述溢水槽进水管一端通入到溢水槽底部，另一端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽，所述喷淋槽的底部设有排水口，喷淋槽内设有若干喷淋头，所述喷淋头的顶部设有喷水口，底部连接喷淋槽进水管。优选的，所述喷淋头紧密排列在喷淋槽内的四周。一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，包括以下步骤：(1)喷淋清洗：将酸洗后的芯片放于治具中，通过自动转移吊篮将装有芯片的治具转移到喷淋槽中，通过喷淋头喷出的水对芯片进行喷淋清洗，清洗过芯片的废水直接从喷淋槽底部的排水口排出，废水不与芯片二次接触；(2)对溢水槽内进行超声强度确认：启动超声波发振器，将锡箔纸张平竖直放于超声波振子的中心位置，观察锡箔纸的破损分层情况，破损最厉害的部位为超声强度最高的部位；(3)一级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从喷淋槽转移至一级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行一级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部进入溢水槽内，废水则从溢水槽顶部溢出；(4)二级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从一级超声溢水装置的溢水槽转移至二级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行二级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部进入溢水槽内，废水则从溢水槽顶部溢出，设置在溢水槽上的溢水电阻对水质实时监测，确保电阻率不小于10兆欧姆厘米；(5)一级超声丙酮脱水：两级超声溢水清洗完成后，装有芯片的治具通过自动转移吊篮从二级超声溢水装置的溢水槽转移至一级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽的超声波振子上方，对芯片进行一级超声丙酮脱水；(6)二级超声丙酮脱水：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从一级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽转移至二级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽的超声波振子上方，对芯片进行二级超声丙酮脱水；(7)烘干：将芯片放人烘干箱内，在烘箱中充氮气，对芯片进行烘干。优选的，步骤(1)中所述的喷淋清洗，向喷淋槽进水管内供水的水流流速为每分钟8升。优选的，步骤(2)中所述的超声强度确认过程中，锡箔纸放入超声波振子中心的时间为30秒，30秒后将锡箔纸取出，观察锡箔纸的破损分层情况。优选的，步骤(3)(4)中所述的两级超声溢水清洗，超声强度为15-25I范围内，溢水槽内水流量为每分钟8升，频率为28赫兹，清洗时间为4分钟，清洗时间的允许误差在0.5分钟范围内。优选的，步骤(5)(6)中所述的两级超声丙酮脱水，超声强度为15-25I范围内或与超声溢水清洗中超声强度相同；脱水时间与超声溢水清洗时间相同。优选的，步骤(7)中所述的烘干过程中，烘干时间为30分钟，温度控制在80摄氏度，温度控制的允许误差为5摄氏度，氮气流量为每分钟3升。本专利技术采用上述结构，本专利技术采用上述结构，设计合理，喷淋清洗过程，有效减少了水对芯片的二次玷污，稳定芯片电性参数，提高芯片的可靠性；两级超声溢水洗，使得对芯片的清洗更彻底干净；两级超声丙酮脱水及烘干过程，彻底清除水残留，减少芯片表面可移动离子，提高芯片的可靠性。附图说明：图1为本专利技术的流程图；图2为喷淋装置的结构示意图；图3为超声强度确认装置的结构示意图；图4为超声溢水装置的结构示意图。图中，1、溢水槽，2、溢水电阻，3、超声波发振器，4、溢水槽进水管，5、喷淋槽，6、排水口，7、喷淋头，8、喷水口，9、喷淋槽进水管，10、锡箔纸，11、芯片。具体实施方式：为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本专利技术进行详细阐述。如图1-4所示，一种半导体器件组装后芯片11的清洗工装，包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽1，溢水槽1上设有溢水电阻2，溢水槽1内设有超声波发振器3，所述溢水槽1还连接溢水槽进水管4，所述溢水槽进水管4一端通入到溢水槽1底部，另一端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器3和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽5，所述喷淋槽5的底部设有排水口6，喷淋槽5内设有若干喷淋头7，所述喷淋头7的顶部设有喷水口8，底部连接喷淋槽进水管9。通过喷淋头7喷出的水对芯片11进行喷淋清洗，清洗过芯片11的废水直接从喷淋槽5底部的排水口6排出，废水不与芯片11二次接触，有效避免了水的二次玷污；设置在溢水槽1上的溢水电阻2对水质实时监测，电阻率不小于10兆欧姆厘米时，对芯片11进行二级清洗后的水质即是合格的，也就证明芯片11被清洗的程度满足要求。所述喷淋头7紧密排列在喷淋槽5内的四周。将芯片11放置于四周有喷淋头7的范围内，对芯片11进行水浴，喷淋头7紧密排列在喷淋槽5的四周，能有效保证芯片11的每个角落都被喷淋到，使得芯片11清洗彻底。一种半导体器件组装后芯片11的清洗方法，包括以下步骤：(1)喷淋清洗：将酸洗后的芯片11放于治具中，通过自动转移吊篮将装有芯片11的治具转移到喷淋槽5中，通过喷淋头7喷出的水对芯片11进行喷淋清洗，清洗过芯片11的废水直接从喷淋槽5底部的排水口6排出，废水不与芯片11二次接触；喷淋冲洗减少了水的二次玷污。(2)对溢水槽1内进行超声强度确认：启动超声波发振器3，将锡箔纸10张平竖直放于超声波振子的中心位置，观察锡箔纸10的破损分层情况，破损最厉害的部位为超声强度最高的部位；在进行超声溢水清洗之前，添加此步骤，可以确定超声波振子上超声强度最高的位置，对超声波振子上超声强度分布的情况做到心中有数，便于之后放置芯片11，提高工作效率。(3)一级超声溢水清洗：装有芯片11的治具通过自动转移吊篮从喷淋槽5转移至一级超声溢水装置的溢水槽1中，将芯片11水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片11进行一级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽1底部进入溢水槽1内，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，其特征在于：包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽，溢水槽上设有溢水电阻，溢水槽内设有超声波发振器，所述溢水槽还连接溢水槽进水管，所述溢水槽进水管一端通入到溢水槽底部，另一端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽，所述喷淋槽的底部设有排水口，喷淋槽内设有若干喷淋头，所述喷淋头的顶部设有喷水口，底部连接喷淋槽进水管。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，其特征在于：包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽，溢水槽上设有溢水电阻，溢水槽内设有超声波发振器，所述溢水槽还连接溢水槽进水管，所述溢水槽进水管一端通入到溢水槽底部，另一端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽，所述喷淋槽的底部设有排水口，喷淋槽内设有若干喷淋头，所述喷淋头的顶部设有喷水口，底部连接喷淋槽进水管。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，其特征在于：所述喷淋头紧密排列在喷淋槽内的四周。3.一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)喷淋清洗：将酸洗后的芯片放于治具中，通过自动转移吊篮将装有芯片的治具转移到喷淋槽中，通过喷淋头喷出的水对芯片进行喷淋清洗，清洗过芯片的废水直接从喷淋槽底部的排水口排出，废水不与芯片二次接触；(2)对溢水槽内进行超声强度确认：启动超声波发振器，将锡箔纸张平竖直放于超声波振子的中心位置，观察锡箔纸的破损分层情况，破损最厉害的部位为超声强度最高的部位；(3)一级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从喷淋槽转移至一级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行一级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部进入溢水槽内，废水则从溢水槽顶部溢出；(4)二级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从一级超声溢水装置的溢水槽转移至二级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行二级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐景致，
申请(专利权)人：阳信金鑫电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37