本发明专利技术涉及使用高蒸汽压气雾剂进行原位清洁。一种用于清洁衬底处理系统的室的方法包括:将室保持在第一预定压强;以及在室内没有衬底的情况下,通过喷嘴组件从流体源提供流体以及通过喷嘴组件将流体注入到室中。流体源保持在大于第一预定压强的第二预定压强。将流体注入保持在第一预定压强的室中导致流体雾化成气体和固体颗粒的混合物。
【技术实现步骤摘要】
使用高蒸汽压气雾剂进行原位清洁相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月1日提交的美国临时申请No.62/492,561的权益。以上引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本公开涉及清洁衬底处理系统中的部件。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该
技术介绍
部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上,目前署名的专利技术人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于处理衬底,例如半导体晶片。可以在衬底上执行的示例工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、快速热处理(RTP)、离子注入、物理气相沉积(PVD)和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件(诸如基座、静电卡盘(ESC)等)上。在处理期间,可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入到处理室中,并且可以使用等离子体来引发化学反应。处理室包括各种部件,各种部件包括但不限于衬底支撑件、气体分配装置(例如,喷头,其也可以对应于上电极)、等离子体约束罩等。衬底支撑件可以包括被布置成支撑衬底的陶瓷层。例如,在处理过程中,衬底可以被夹持到陶瓷层。衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如,在周边外部和/或与周边相邻)布置的边缘环。可以设置边缘环以将等离子体限制在衬底上方的体积中,保护衬底支撑件免受由等离子体引起的侵蚀等。等离子体约束罩可以布置在衬底支撑件和喷头中的每一个周围以进一步约束在衬底之上的体积内的等离子体。
技术实现思路
用于清洁衬底处理系统的室的方法包括将室保持在第一预定压强并且在室内没有衬底的情况下经由喷嘴组件从流体源提供流体以及经由喷嘴组件将流体注射到室中。流体源保持在大于第一预定压强的第二预定压强。将流体注入保持在第一预定压强的室中导致流体雾化成气体和固体颗粒的混合物。该方法还包括吹扫室。在其他特征中,注射流体包括以多个脉冲注射流体。注射流体包括交替地注射流体和吹扫室。经由喷嘴组件注射流体包括经由多个喷嘴组件注射流体。经由多个喷嘴组件注射流体包括经由多个喷嘴组件顺序地注射流体。在其他特征中,该方法还包括调节喷嘴组件的位置。调整喷嘴组件的位置包括旋转喷嘴组件。该方法还包括响应指示室清洁度的信号将流体注入室。在其他特征中,流体包括以下中的至少一种:二氧化碳(CO2)、氩气(Ar)、六氟化硫(SF6)、丁烷(C4H8)、丙烷(C3H6)、乙烯(C2H4)、一氧化二氮(N2O)、氨(NH3)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)、三氟化氮(NF3)、二氧化硫(SO2)和氯化氢(HCl)。第一压强小于720托,第二压强大于720托。室对应于装载锁和衬底处理室中的至少一个。用于衬底处理系统的控制器包括配置成控制衬底处理系统的室内的压强的泵控制模块和清洁工艺控制模块。清洁工艺控制模块被配置为在室中没有衬底的情况下:控制泵控制模块以将室保持在第一预定压强,经由喷嘴组件从流体源提供流体,经由喷嘴组件将流体注入室,以及在将流体注入室之后控制泵控制模块以吹扫室。流体源保持在大于第一预定压强的第二预定压强下,并将流体注入保持在第一预定压强的室中使流体雾化成气体和固体颗粒的混合物。在其他特征中,为了注入流体,清洁工艺控制模块还被配置成以多个脉冲注入流体。为了注入流体,清洁工艺控制模块进一步构造成交替地注入流体和吹扫室。为了经由喷嘴组件注射流体,清洁工艺控制模块进一步配置为经由多个喷嘴组件注射流体。为了经由多个喷嘴组件注射流体,清洁工艺控制模块还被配置为经由多个喷嘴组件顺序地注射流体。在其他特征中,清洁工艺控制模块还被配置为调整喷嘴组件的位置。为了调节喷嘴组件的位置,清洁工艺控制模块还被配置为旋转喷嘴组件。为了注入流体,清洁工艺控制模块进一步配置成响应于指示室清洁度的信号而将流体注入到室中。该流体包括以下中的至少一种:二氧化碳(CO2)、氩(Ar)、六氟化硫(SF6)、丁烷(C4H8)、丙烷(C3H6)、乙烯(C2H4)、一氧化二氮(N2O)、氨(NH3)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)、三氟化氮(NF3)、二氧化硫(SO2)和氯化氢(HCl)。具体而言,本专利技术的一些方面可以阐述如下:1.一种用于清洁衬底处理系统的室的方法,所述方法包括:将所述室保持在第一预定压强下;在所述室内没有衬底的情况下,从流体源经由喷嘴组件提供流体,其中所述流体源保持在大于所述第一预定压强的第二预定压强下,以及经由所述喷嘴组件将所述流体注射到所述室中,其中将所述流体注射到保持在所述第一预定压强下的所述室中导致所述流体雾化成气体和固体颗粒的混合物;以及吹扫室。2.根据条款1所述的方法,其中注射所述流体包括以多个脉冲注射所述流体。3.根据条款1所述的方法,其中注射所述流体包括交替地注射所述流体和吹扫所述室。4.根据条款1所述的方法,其中经由所述喷嘴组件注射所述流体包括经由多个所述喷嘴组件注射所述流体。5.根据条款4所述的方法,其中经由所述多个喷嘴组件注射所述流体包括经由所述多个喷嘴组件顺序地注射所述流体。6.如条款1所述的方法,其还包括调整所述喷嘴组件的位置。7.如条款6所述的方法,其中调整所述喷嘴组件的位置包括旋转所述喷嘴组件。8.根据条款1所述的方法,其还包括响应于指示所述室的清洁度的信号而将所述流体注射到所述室中。9.根据条款1所述的方法,其中所述流体包括以下中的至少一种:二氧化碳(CO2)、氩气(Ar)、六氟化硫(SF6)、丁烷(C4H8)、丙烷(C3H6)、乙烯(C2H4)、一氧化二氮(N2O)、氨(NH3)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)、三氟化氮(NF3)、二氧化硫(SO2)和氯化氢(HCl)。10.根据条款1所述的方法,其中所述第一压强小于720托,并且所述第二压强大于720托。11.根据条款1所述的方法,其中所述室对应于装载锁和衬底处理室中的至少一个。12.一种用于衬底处理系统的控制器,所述控制器包括:泵控制模块,其被配置为控制所述衬底处理系统的室内的压强;和清洁工艺控制模块,其被配置为在室中没有衬底的情况下,控制所述泵控制模块以将所述室保持在第一预定压强下,从流体源经由喷嘴组件提供流体,其中所述流体源保持在大于所述第一预定压强的第二预定压强,经由所述喷嘴组件将所述流体注射到所述室中,其中将所述流体注射到保持在所述第一预定压强下的所述室中导致所述流体雾化成气体和固体颗粒的混合物,以及在将所述流体注射到所述室中之后,控制所述泵控制模块以吹扫所述室。13.根据条款12所述的控制器,其中为了注射所述流体,所述清洁工艺控制模块还被配置成以多个脉冲注射所述流体。14.根据条款12所述的控制器,其中,为了注射所述流体,所述清洁工艺控制模块还被配置为交替地注射所述流体和吹扫所述室。15.根据条款12所述的控制器,其中,为了经由所述喷嘴组件注射所述流体,所述清洁工艺控制模块还被配置为经由多个所述喷嘴组件注射所述流体。16.根据条款15所述的控制器,其中,为了经由所述多个所述喷嘴组件注射所述流体,所述清洁工艺控制模块还被配置为经由所述多个所述喷嘴组件顺序地注射所述流体。17.根据条款12所述的控制器,其中所述清洁工艺控制模块还被本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于清洁衬底处理系统的室的方法,所述方法包括:将所述室保持在第一预定压强下;在所述室内没有衬底的情况下,从流体源经由喷嘴组件提供流体,其中所述流体源保持在大于所述第一预定压强的第二预定压强下,以及经由所述喷嘴组件将所述流体注射到所述室中,其中将所述流体注射到保持在所述第一预定压强下的所述室中导致所述流体雾化成气体和固体颗粒的混合物;以及吹扫室。
【技术特征摘要】
2017.05.01 US 62/492,561;2018.04.11 US 15/950,6581.一种用于清洁衬底处理系统的室的方法,所述方法包括:将所述室保持在第一预定压强下;在所述室内没有衬底的情况下,从流体源经由喷嘴组件提供流体,其中所述流体源保持在大于所述第一预定压强的第二预定压强下,以及经由所述喷嘴组件将所述流体注射到所述室中,其中将所述流体注射到保持在所述第一预定压强下的所述室中导致所述流体雾化成气体和固体颗粒的混合物;以及吹扫室。2.根据权利要求1所述的方法,其中注射所述流体包括以多个脉冲注射所述流体。3.根据权利要求1所述的方法,其中注射所述流体包括交替地注射所述流体和吹扫所述室。4.根据权利要求1所述的方法,其中经由所述喷嘴组件注射所述流体包括经由多个所述喷嘴组件注射所述流体。5.根据权利要求4所述的方法,其中经由所述多个喷嘴组件注射所述流体包括经由所述多个喷嘴组件顺序地注射所述流体。6.如权利要求1所述的方法,其还包括调整所述喷嘴组件的位置。...
【专利技术属性】
技术研发人员:特拉维斯·R·泰勒,亚当·贝特曼,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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