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一种沟壑状MoO3的合成方法及其产品技术

技术编号:19713700 阅读:27 留言:0更新日期:2018-12-08 19:00
本发明专利技术提供了一种沟壑状MoO3材料的合成方法:将钼盐、2‑甲基咪唑、双氰胺、PVP依次加入乙醇、DMF和三乙胺的混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;采用静电纺丝制备前驱体纤维;最后将所得前驱体纤维在空气条件下进行高温煅烧,得到产品。本发明专利技术设计了合理的前驱体纺丝液体系及静电纺丝参数,所得产物微观形貌特殊,重复性好,产物纯度较高,并且制备工艺简便,利于实际生产,产物在催化、吸附、气敏等领域具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种沟壑状MoO3的合成方法及其产品
本专利技术属于功能性新材料制备领域,涉及一种MoO3材料的合成方法,具体涉及一种静电纺丝法制备沟壑状MoO3的合成方法及其产品。本专利技术属于功能性新材料制备领域,涉及一种MoO3材料的合成方法,具体涉及一种静电纺丝法制备沟壑状MoO3的合成方法及其产品。
技术介绍
三氧化钼(MoO3)是一种宽带隙(2.8-3.6eV)半导体,具有三种不同的晶体结构即热力学稳定正交相MoO3(α-MoO3)、亚稳态单斜相MoO3(β-MoO3)和六方晶系MoO3(h-MoO3)。由于具有特定的结构各向异性和可变氧化态,α-MoO3在可充电锂离子电池阴极、场效应晶体管、气体传感器、光致变色设备、催化剂等领域具有潜在应用。由于能够增强电荷传输及催化活性,一维纳米结构(例如,纳米管、纳米线和纳米纤维)可用作能量和电子器件中的优异构件。近来,研究者采用各种方法已经合成了不同形貌的MoO3微纳米结构,发现它们的物理性质与尺寸和结晶度密切相关。然而,常见的一维MoO3微纳米材料的表面结构难以调控,且高成本、复杂的制备方法也阻碍了一维MoO3微纳米材料的应用范围。静电纺丝作为一种简单通用的合成技术,已广泛应用于生产由各种材料制成的超薄一维结构材料。该技术涉及使用电压对聚合物溶液液滴的表面充电,从而引起液体射流通过喷丝头喷射。由于弯曲不稳定性,前驱体纤维被拉伸多次以形成具有微纳米尺寸的连续超长纤维。由于MoO3本身特有的生长习性,利用静电纺丝法制备MoO3超长纤维的例子并不多见。目前,还未发现采用静电纺丝法制备沟壑状MoO3材料的报道,技术路线难以把握。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,本专利技术提供一种沟壑状MoO3材料的静电纺丝合成方法,过程易于操作、成本便宜。本专利技术的另一目的是提供一种上述合成方法获得的沟壑状MoO3材料,重复性好、纯度高、微观结构尺寸可控。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案。一种沟壑状MoO3材料的合成方法,包括以下步骤:(1)配置乙醇、DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和三乙胺的混合溶剂,将钼盐、2-甲基咪唑、双氰胺、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将步骤(1)的纺丝液采用静电纺丝纺制成前驱体纤维,并将前驱体纤维煅烧,得到沟壑状MoO3材料。步骤(1)中,钼盐、2-甲基咪唑、双氰胺和PVP的摩尔比为1:0.1-0.3:0.02-0.04:4.0-6.0,其中PVP的摩尔量按其聚合单体的摩尔量计算。所述PVP的分子量大于100万。步骤(1)中,乙醇、三乙胺和DMF的体积比为1:0.5-1.0:3.0-5.0。步骤(1)中,钼盐在乙醇、三乙胺和DMF的混合溶剂中的浓度为0.2-0.4mol/L。所述钼盐优选为钼的卤化物,例如氯化钼。步骤(2)中,静电纺丝的参数为:正电压为14-22KV,负电压为0.5KV,接收距离为16-20cm,注射器推进速度为0.001-0.002mm/s。步骤(2)中,煅烧时的升温速度为1℃/min,煅烧时间为1-6h,煅烧条件为空气气氛中。作为优选,步骤(2)中,煅烧前,将前驱体纤维在60℃的烘箱内保温12h。一种上述合成方法制备的沟壑状MoO3材料,直径为0.5-5.0μm,沟槽宽度为20-400nm,沟槽深度为10-160nm,其物相组成为正交相MoO3(α-MoO3)。本专利技术通过合理调控前驱体纤维的组成体系及其高温煅烧过程,成功制备了结晶度高、形貌特殊的沟壑状MoO3材料。在反应过程中,2-甲基咪唑作为有机配体,可与Mo盐发生络合反应,调控了高温过程中Mo离子的移动速度,从而调控了MoO3晶核的生长习性,有效减缓了晶体生长速度,提高了结晶性与完整性,使得MoO3表面平滑。同时2-甲基咪唑和双氰胺相互作用,起到表面活性剂及结构导向剂的作用,诱导MoO3晶粒沿着一维方向生长。三乙胺在热解过程中起到阻聚剂,阻止已经成核的MoO3晶粒聚集融合,形成团聚体。此外,各种有机物的复杂分解过程,气体的复杂溢出过程,及有机物分解速度与晶粒成核生长速度的竞争过程等,导致了沟壑的形成;同时也有利于MoO3结构的端面在表面张力、内聚力等作用下呈现圆滑状态。本专利技术的有益效果为:本专利技术所述的合成方法,通过对静电纺丝前驱体纺丝液及静电纺丝参数的合理设计,提出了一种沟壑状MoO3材料的静电纺丝合成方法,该方法相较于现阶段一维MoO3微纳米材料的制备技术,具有易于操作、成本便宜、所得产物微观形貌特殊、重复性好、纯度高、微观结构尺寸可控的优点。本专利技术获得的沟壑状MoO3材料形貌特殊,表面出现凹槽,结构表面较为光滑,顶部圆滑且沟槽状结构的尺寸可控。由于沟槽的存在,有效扩大了比表面积,改善了活性位点和反应活性,在实际应用中具有重要意义。附图说明图1为本专利技术实施例1合成的沟壑状MoO3的X射线衍射(XRD)图谱;图2为本专利技术实施例1合成的沟壑状MoO3的扫描电镜(SEM)图片。具体实施方式下面结合实施例和附图对本专利技术做进一步说明,但本专利技术不受下述实施例的限制。以下实施例中,所用PVP的分子量为1300000,PVP的摩尔数按单体计算,其单体摩尔质量为111。实施例1(1)配置1.0mL乙醇、4.0mLDMF和1.0mL三乙胺的混合溶剂,将0.4937g的五氯化钼(MoCl5)、0.0298g2-甲基咪唑、0.0046g双氰胺、0.999gPVP依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将纺丝液静电纺制成前驱体纤维,纺丝参数为:正电压为17KV,负电压为0.5KV,接收距离为18cm,注射器推进速度为0.001mm/s;(3)将前驱体纤维置于马弗炉内煅烧,按照1℃/min的升温速度由室温升至600℃,保温3h,样品随炉冷却后得到沟壑状MoO3材料;实施例1中的产物的XRD如图1所示,从图中可以看出,衍射峰峰强较高,产物的结晶性较好,并且所有的衍射峰均与正交相的α-MoO3(JCPDS卡片号:35-0609)一一对应。产物的SEM图如图2所示,从图中可以看出,产物的微观形貌具有沟壑状结构,直径为1.2-2.0μm,沟槽宽度为60-160nm,沟槽深度为30-90nm。实施例2(1)配置1.0mL乙醇、4.0mLDMF和1mL三乙胺的混合溶剂,将0.3292g的MoCl5、0.0149g2-甲基咪唑、0.0025g双氰胺、0.5994gPVP依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将纺丝液静电纺制成前驱体纤维,纺丝参数为:正电压为16KV,负电压为0.5KV,接收距离为17cm,注射器推进速度为0.001mm/s;(3)将前驱体纤维置于马弗炉内煅烧,按照1℃/min的升温速度由室温升至550℃,保温2h,样品随炉冷却后得到沟壑状MoO3材料,直径为0.8-1.8μm,沟槽宽度为40-120nm,沟槽深度为20-70nm。实施例3(1)配置1.0mL乙醇、4.0mLDMF和1.0mL三乙胺的混合溶剂,将0.6583g的MoCl5、0.0498g2-甲基咪唑、0.0071g双氰胺、1.4652gPVP依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将纺丝液静电纺制成前驱体纤维,纺丝参数为:正电压为18KV,负电压为0.5KV,接收距离本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种沟壑状MoO3材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配置乙醇、DMF和三乙胺的混合溶剂,将钼盐、2‑甲基咪唑、双氰胺、PVP依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将步骤(1)的纺丝液采用静电纺丝纺制成前驱体纤维,并将前驱体纤维进行煅烧,得到沟壑状MoO3材料。

【技术特征摘要】
1.一种沟壑状MoO3材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配置乙醇、DMF和三乙胺的混合溶剂,将钼盐、2-甲基咪唑、双氰胺、PVP依次加入到上述混合溶剂中,搅拌得到纺丝液;(2)将步骤(1)的纺丝液采用静电纺丝纺制成前驱体纤维,并将前驱体纤维进行煅烧,得到沟壑状MoO3材料。2.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,钼盐、2-甲基咪唑、双氰胺和PVP的摩尔比为1:0.1-0.3:0.02-0.04:4.0-6.0,其中PVP的摩尔量按其聚合单体的摩尔量计算。3.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,PVP的分子量大于100万。4.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,乙醇、三乙胺和DMF的体积比为1:0.5-1.0:3.0-5.0。5.根据权利要求1所述的合成方法,其特征在于,钼盐在混合溶剂中的浓...

【专利技术属性】
技术研发人员:李绘褚姝姝马谦李行方圆王懿林紫琼张琪杨萍
申请(专利权)人:济南大学
类型:发明
国别省市:山东,37

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