【技术实现步骤摘要】
一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法
本专利技术属于直拉法单晶生长领域，具体涉及一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法。
技术介绍
直拉法是由波兰科学家JanCzochraski于1918年提出的一种生长单晶方法。这种方法首先被应用于生长单晶锗，后来被应用到生长单晶硅。由于其具有容易生长大直径、无位错、低点缺陷浓度单晶的优势，目前被广泛的应用到生长大尺寸半导体级单晶硅领域。在晶体生长过程中，长晶界面的形状对晶体最终的质量具有很大的影响。晶体内部空位以及间隙原子点缺陷在长晶界面附近产生，长晶界面形状能够显著影响晶体内部点缺陷的类型。同时，不合理的长晶界面形状会导致晶体内部热应力过大，进而引起位错的产生。此外，晶体中掺杂剂和杂质径向分布的均匀性也受到长晶界面形状的影响。在拉晶过程中，长晶界面被熔体和晶体覆盖，难以直接观测。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，以解决在拉晶过程中长晶界面的形状难以观测的技术问题。本专利技术采用如下技术方案来实现的：一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，该方法包括：在高温晶体侧壁布置两个温度监测点，分别为第一温度监测点和第二温度监测点，并结合三相点的温度，预测位于高温晶体与熔体之间的长晶界面形状的变化。本专利技术进一步的改进在于，第一温度监测点和第二温度监测点与三相点沿拉晶方向等间距分布。本专利技术进一步的改进在于，第一温度监测点和第二温度监测点与三相点的间距为2cm-20cm。本专利技术进一步的改进在于，第一温度监测点和第二温度监测点的位置在拉晶过程中保持不变。本专利技术...
【技术保护点】
1.一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，其特征在于，该方法包括：在高温晶体(4)侧壁布置两个温度监测点，分别为第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)，并结合三相点(3)的温度，预测位于高温晶体(4)与熔体(5)之间的长晶界面(6)形状的变化。
【技术特征摘要】
1.一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，其特征在于，该方法包括：在高温晶体(4)侧壁布置两个温度监测点，分别为第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)，并结合三相点(3)的温度，预测位于高温晶体(4)与熔体(5)之间的长晶界面(6)形状的变化。2.根据权利要求1所述的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，其特征在于，第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)与三相点(3)沿拉晶方向等间距分布。3.根据权利要求2所述的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法，其特征...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。