成膜厚度的测量装置以及成膜设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了成膜厚度的测量装置以及成膜设备，所述成膜厚度的测量装置包括座体、保护盖和热源，所述座体上设置有用于测量成膜厚度的晶振片；所述保护盖罩设于所述座体上，所述保护盖上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片上沉积成膜的开口；所述热源用于加热所述晶振片上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。所述成膜厚度的测量装置通过在内设热源来对成膜后的晶振片进行加热，使晶振片上的薄膜被蒸发气化，无需采用拆卸晶振片再去除晶振片上的薄膜等繁琐的维护工序，节约了维护成本，并且有效地提高了成膜效率。

【技术实现步骤摘要】
成膜厚度的测量装置以及成膜设备
本专利技术涉及成膜工艺的
，尤其是成膜厚度的测量装置以及成膜设备。
技术介绍
目前的成膜工艺中，常常通过晶振片测量成膜厚度，实现对成膜厚度及成膜速率进行实时监控，成膜材料同时在晶振片和待成膜的基板上进行成膜，根据测得晶振片在发生压电效应时的振动频率，获得当前成膜的厚度，并可计算出成膜速率，进而实现可控地在基板上制得指定厚度的薄膜。但是，由于晶振片本身固有的压电效应及振动频率衰减的线性有效性，随着所述晶振片上薄膜的厚度的增加，由晶振片的振动频率测得的成膜厚度的准确度将下降，因此，晶振片在使用一段时间后必须进行更换或者待去除晶振片上的薄膜后再投入使用，这造成了生产效率的降低并且增加了维护成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供成膜厚度的测量装置以及成膜设备，来解决上述问题。为了实现上述的目的，本专利技术采用了如下的技术方案：本专利技术提供了一种成膜厚度的测量装置，包括座体、保护盖和热源，所述座体上设置有用于测量成膜厚度的晶振片；所述保护盖罩设于所述座体上，所述保护盖上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片上沉积成膜的开口；所述热源用于加热所述晶振片上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。优选地，所述座体上设置有多个所述晶振片，所述座体上对应所述开口的区域限定为成膜区，所述座体与所述保护盖可相对移动，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。优选地，多个所述晶振片呈圆环形排布于所述座体上，所述座体与所述保护盖可相对旋转，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。优选地，所述座体限定有受热区，所述热源固定于所述保护盖朝向所述座体的一面上并向所述受热区进行定向加热，所述座体与所述保护盖相对旋转时，将沉积有薄膜的晶振片移动至所述受热区中。优选地，多个所述晶振片呈旋转对称，所述成膜区与所述受热区的位置限定为：当一个晶振片移动至所述受热区中时，存在另一个晶振片切换至所述成膜区中。优选地，所述成膜区与所述受热区位于所述多个晶振片排布形成的圆环形的同一直径上，且所述成膜区与所述受热区分别位于所述直径的两端。优选地，多个所述晶振片并排设置于所述座体上，沿所述多个晶振片的排列方向上，所述座体与所述保护盖可往返移动，以将不同的晶振片切换至所述成膜区中。优选地，所述座体限定有受热区，所述热源固定于所述保护盖朝向所述座体的一面上并向所述受热区进行定向加热，所述座体与所述保护盖往返移动时，将沉积有薄膜的晶振片移动至所述受热区中，其中，沿所述座体相对所述保护盖的移动方向上，所述受热区位于所述成膜区的后方。优选地，相邻两个所述晶振片之间的距离相等，所述成膜区与所述受热区)的位置限定为：当一个晶振片移动至所述受热区中时，存在另一个晶振片切换至所述成膜区中。本专利技术提供了一种成膜设备，包括成膜腔室、分别设置于所述成膜腔室内的成膜材料源和如上所述的成膜厚度的测量装置，所述成膜厚度的测量装置从所述成膜材料源同步获取成膜材料。本专利技术提供的成膜厚度的测量装置以及成膜设备，通过在测量装置内设置热源对成膜后的晶振片进行加热，去除晶振片上的薄膜，使得所述晶振片可重新用于精确的成膜厚度测量。该测量装置以及成膜设备无需采用拆卸晶振片再去除晶振片上的薄膜等维护工序，节约了维护成本，并且有效地提高了成膜效率。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的成膜厚度的测量装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例2提供的成膜厚度的测量装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例3提供的成膜设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本专利技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本专利技术并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了关系不大的其他细节。实施例1参阅图1所示(图1中，箭头A代表下述成膜材料，箭头B代表下述热源3发出的热能)，本实施例提供了一种成膜厚度的测量装置100，包括座体1、保护盖2和热源3。其中，所述座体1上设置有用于测量成膜厚度的晶振片11；所述保护盖2罩设于所述座体1上，所述保护盖2上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片11上沉积成膜的开口21；所述热源3用于加热所述晶振片11上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。具体地，在本实施例中，所述热源3为激光源，所述激光源固定于所述保护盖2朝向所述座体1的一面上。所述成膜厚度的测量装置在工作过程中，成膜材料由所述保护盖2上的开口21通入，在座体1上正对所述开口21的晶振片11上成膜，通过测量该晶振片11在发生压电效应下的振动频率，获得本次成膜厚度；随着成膜次数增多，晶振片11上的薄膜的厚度增大，所述晶振片11的振动频率发生衰减，当所述晶振片11的振动频率低于预设的阈值时，所述激光源通过发射激光，照射所述晶振片11上沉积的薄膜，实现对所述晶振片11上沉积的薄膜进行加热，使所述晶振片11上的薄膜被蒸发气化，进而使得所述晶振片11可重新投入使用。上述成膜厚度的测量装置100直接通过其内部的热源3去除晶振片11上的薄膜，免去对晶振片11进行拆卸维护，提高了生产效率并节约了维护成本。其中，所述激光源的发射波长可调，可根据不同的成膜材料蒸发所需的能量进行调整。作为其他实施方式，所述热源3可以为红外灯等其他辐射加热器件，同样可通过照射所述晶振片11上沉积的薄膜，实现定向对所述晶振片11上沉积的薄膜进行加热。所述热源3还可以为电热丝等电阻式加热器件，所述电热丝独立设置于所述座体1背向所述晶振片11的一侧，加热具有薄膜的晶振片11在所述座体1上所在的区域，依次通过所述座体1和所述晶振片11将热能传递至所述薄膜。进一步地，所述座体1上设置有多个所述晶振片11，所述座体1上对应所述开口21的区域限定为成膜区10a，所述座体1与所述保护盖2可相对移动，以将不同的晶振片11切换至所述成膜区10a中，使从开口21通入的成膜材料在移动到成膜区10a中的晶振片11上沉积成膜。在本实施例中，多个所述晶振片11呈圆环形排布于所述座体1上，所述座体1与所述保护盖2可相对旋转，以将不同的晶振片11切换至所述成膜区10a中。通过所述座体1与所述保护盖2相对旋转的方式切换晶振片11，其移动行程较小，有利于实现晶振片11的快速切换。示例性地，所述保护盖2保持固定，所述座体1上连接有旋转轴R，所述座体1的旋转轴R位于连接所述座体1的中心和所述保护盖2的中心的直线上，所述旋转轴R配置为动力轴，所述座体1在所述旋转轴R的带动下，绕所述旋转轴R进行相对所述保护盖2的旋转。随着所述座体1相对于所述保护盖2的旋转，位于成膜区10a的晶振片11依次被切换。当下一个晶振片11进入所述成膜区10a，进行下一次的成膜厚度的测量时，前一个晶振片11离开所述成膜区10a，所述热源3加热该晶振片11，蒸发位于其上的薄膜，使该晶振片11的振动频率恢复正常，随着所述座体1相对于所述保护盖2的旋转，该晶振片11又可以重新被切换至成膜区10a以进行成膜厚度的测量。一般地，经过一次成膜后，所述晶振片11的振动频率应仍高于预设的阈值，其测量灵敏度仍处于较高水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜厚度的测量装置，其特征在于，包括：座体(1)，所述座体(1)上设置有用于测量成膜厚度的晶振片(11)；保护盖(2)，所述保护盖(2)罩设于所述座体(1)上，所述保护盖(2)上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片(11)上沉积成膜的开口(21)；热源(3)，所述热源(3)用于加热所述晶振片(11)上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。

【技术特征摘要】
1.一种成膜厚度的测量装置，其特征在于，包括：座体(1)，所述座体(1)上设置有用于测量成膜厚度的晶振片(11)；保护盖(2)，所述保护盖(2)罩设于所述座体(1)上，所述保护盖(2)上设置有供成膜材料穿过并在所述晶振片(11)上沉积成膜的开口(21)；热源(3)，所述热源(3)用于加热所述晶振片(11)上沉积的薄膜使其被蒸发气化去除。2.根据权利要求1所述的成膜厚度的测量装置，其特征在于，所述座体(1)上设置有多个所述晶振片(11)，所述座体(1)上对应所述开口(21)的区域限定为成膜区(10a)，所述座体(1)与所述保护盖(2)可相对移动，以将不同的晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。3.根据权利要求2所述的成膜厚度的测量装置，其特征在于，多个所述晶振片(11)呈圆环形排布于所述座体(1)上，所述座体(1)与所述保护盖(2)可相对旋转，以将不同的晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。4.根据权利要求3所述的成膜厚度的测量装置，其特征在于，所述座体(1)限定有受热区(10b)，所述热源(3)固定于所述保护盖(2)朝向所述座体(1)的一面上并向所述受热区(10b)进行定向加热，所述座体(1)与所述保护盖(2)相对旋转时，将沉积有薄膜的晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中。5.根据权利要求4所述的成膜厚度的测量装置，其特征在于，多个所述晶振片(11)呈旋转对称，所述成膜区(10a)与所述受热区(10b)的位置限定为：当一个晶振片(11)移动至所述受热区(10b)中时，存在另一个晶振片(11)切换至所述成膜区(10a)中。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：匡友元，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44