切割芯片接合薄膜制造技术

提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及切割芯片接合薄膜。更详细而言，本专利技术涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造中，有时使用切割带、切割芯片接合薄膜。切割带为在基材上设置有粘合剂层的形态且被用于以下用途：将半导体晶圆配置于粘合剂层上，为了避免在切割(切削)半导体晶圆时单片化后的半导体芯片飞散而对其进行固定(例如参照专利文献1)。切割芯片接合薄膜在切割带的粘合剂层上可剥离地设置有芯片接合薄膜。在半导体装置的制造中，将半导体晶圆保持于切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上，对半导体晶圆进行切割而形成单个的半导体芯片。然后，例如经过清洗工序，将半导体芯片与芯片接合薄膜一起从切割带上拾取、剥离，借助芯片接合薄膜使半导体芯片暂时固定(芯片接合)于引线框等被粘物。因此，对于切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜而言，在拾取时从切割带上的剥离性(拾取适宜性)优异、在芯片接合时对被粘物的粘接性(芯片接合适宜性)优异变得重要。当使用在切割带上层叠有芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜、在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶圆时，需要将芯片接合薄膜与半导体晶圆同时切断。但是，在使用金刚石刀片的常规切割方法中，担心切割时产生的热的影响造成芯片接合薄膜与切割带粘连、切削屑的产生造成的半导体芯片彼此的固着、切削屑附着在半导体芯片侧面等，因此需要降低切断速度，这导致成本的上升。因此，近年提出了如下方法：在半导体晶圆的表面形成槽后进行背面磨削，从而得到单个半导体芯片的方法(有时称为“DBG(DicingBeforeGrinding，切割后研磨)”)(例如参照专利文献2)；对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而可沿着预分割线容易地将半导体晶圆分割，然后将该半导体晶圆贴附于切割芯片接合薄膜，然后将切割带在低温下(例如-25～0℃)下扩展(以下有时称为“冷却扩展”)，从而将半导体晶圆和芯片接合薄膜一起割断(断裂)，得到单个半导体芯片(带有芯片接合薄膜的半导体芯片)的方法(例如参照专利文献3)。这为所谓的被称为隐形切割(StealthDicing，注册商标)的方法。另外，在DBG中也已知如下方法：将得到的单个半导体芯片贴附于切割芯片接合薄膜，然后对切割带进行冷却扩展，从而将芯片接合薄膜割断为与单个半导体芯片相当的尺寸，得到单个带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法。如上所述，在通过冷却扩展将芯片接合薄膜割断时，切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜在冷却扩展时的割断性优异这一点是很重要的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-216563号公报专利文献2：日本特开2003-007649号公报专利文献3：日本特开2009-164556号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在DBG、隐形切割等中，在割断芯片接合薄膜后，将切割芯片接合薄膜在常温附近扩展(以下有时称为“常温扩展”)而使相邻的单个带有芯片接合薄膜的半导体芯片彼此的间隔拓宽，然后使半导体芯片的外周部分热收缩(以下有时称为“热收缩”)，在拓宽半导体芯片彼此的间隔的状态下进行固定，由此，能够容易地进行所得到的单个带有芯片接合薄膜的半导体芯片的拾取。近年来，随着半导体的高容量化的需要，正在推进电路层的多层化、硅层的减薄。但是，随着电路层的多层化，电路层的厚度(总厚度)增加，从而有电路层中所含的树脂的比例增加的倾向，由此多层化的电路层与减薄的硅层的线膨胀率的差异变得显著，半导体芯片变得容易翘曲。因此，切割后得到的、带有芯片接合薄膜的电路层多层化了的半导体芯片特别容易在切割带的粘合剂层与芯片接合薄膜的界面处在常温扩展时和其之后(例如至拾取之前的期间等)产生浮起(剥离)。本专利技术是鉴于上述问题而作出的，其目的在于，提供一种芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后不易在芯片接合薄膜与粘合剂层之间发生浮起的切割芯片接合薄膜。用于解决问题的方案本专利技术人们为了达到上述目的进行了深入研究，结果发现，当使用芯片接合薄膜的25℃下的储能模量E’在特定范围内的切割带时，即使在使用电路层多层化了的半导体芯片的情况下芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性也优异，并且在常温扩展时和其之后不易发生浮起。本专利技术是基于这些见解完成的。即，本专利技术提供一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于所述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于所述切割带中的所述粘合剂层上，所述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。本专利技术的切割芯片接合薄膜通过将芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’设为与以往的芯片接合薄膜的该储能模量相比较高的3GPa以上，从而当在常温下以较慢的速度范围施加应力时，芯片接合薄膜不易沿着上下方向(厚度方向)移动，不仅使用未多层化的半导体芯片的情况下，而且使用电路层多层化了的半导体芯片的情况下，在常温扩展时和其之后(例如包含清洗工序，至拾取之前的期间等)也能够不易发生芯片接合薄膜从切割带的浮起。而且，当意图从切割带拾取单片化的芯片接合薄膜而将其剥离时，由于以较快的速度范围施加应力而能够容易地进行拾取。另外，通过将芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’控制为5GPa以下，从而在芯片接合时芯片接合薄膜对被粘物的润湿性优异而芯片接合适宜性优异，将半导体芯片芯片接合(暂时固定)于被粘物时能够良好地进行。从而，当使用本专利技术的切割芯片接合薄膜时，通过使在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3GPa以上，从而能够满足以较慢的速度范围施加应力时不易产生浮起的特性和在以较快的速度范围施加应力的拾取中容易拾取的特性这两者。另外，就本专利技术的切割芯片接合薄膜而言，优选上述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的-15℃下的储能模量E’为4～7GPa。通过将芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的-15℃下的储能模量E’设为与以往的芯片接合薄膜的该储能模量相比较高的4～7GPa的范围内，从而当在低温下施加应力时芯片接合薄膜不易沿着上下方向(厚度方向)移动，不仅使用未多层化的半导体芯片的情况下，而且使用电路层多层化了的半导体芯片的情况下，在冷却扩展时和其之后(例如恢复常温之前的期间等)也能够不易发生芯片接合薄膜从切割带的浮起。另外，能够容易通过冷却扩展进行芯片接合薄膜的割断。因此，当使用该构成的切割芯片接合薄膜时，即使在使用电路层多层化了的半导体芯片的情况下，芯片接合薄膜的冷却扩展时的割断性、拾取适宜性、和芯片接合适宜性也优异，在冷却扩展时、常温扩展时和其之后不易发生浮起。另外，本专利技术的切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜优选在热固化后、在频率10Hz的条件下测定的150℃下的储能模量E’显示为20～200MPa、且在频率10Hz的条件下测定的250℃下的储能模量E’显示为20～200MPa。在借助芯片接合薄膜使半导体芯片接合于被粘物、然后进行后述的引线键合工序时，在引线键合工序中，有时引线键合时的加热所产生的热量会使芯片接合薄膜升温到150℃左右，但是，通过使上述芯片接合薄膜在热固化后、在频率10Hz的条件下测定的150℃下的储能模量E’显示为20～200MP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于所述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于所述切割带中的所述粘合剂层上，所述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。

【技术特征摘要】
2017.05.19 JP 2017-0995181.一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于所述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于所述切割带中的所述粘合剂层上，所述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的-15℃下的储能模量E’为4～7GPa。3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西谦司，宍户雄一郎，木村雄大，福井章洋，杉村敏正，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP