一种芘衍生物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种芘衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。由于本发明专利技术的芘衍生物的共轭体系较大，因此电荷更易分散，材料的电荷迁移定向性增强，材料体系更加稳定。另外本发明专利技术的芘衍生物的刚性较大，并且本发明专利技术的芘衍生物中还引入了具有较大体积的取代基团，例如苯基、萘基、芴基等，有效的提高了芘衍生物的玻璃化温度和热稳定性，有利于材料成膜。本发明专利技术的有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层，有机物层中的至少一层含有本发明专利技术的芘衍生物，本发明专利技术的有机电致发光器件，具有较低的驱动电压，较高的发光效率，并且具有较长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种芘衍生物及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种芘衍生物及其有机电致发光器件。
技术介绍
有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。通常OLED具有多层结构，包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机光电材料层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下，空穴与电子分别由阳极与阴极注入到空穴传输层和电子传输层，两者分别经过空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，当两者在发光层中相遇结合时形成空穴-电子复合激子，激子通过发光弛豫的形式回到基态，从而达到发光的目的。对于发光层而言，当仅使用一种材料作为发光层时，由于分子间的相互作用而产生浓度淬灭，导致有机电致发光器件的发光效率降低，因此为了提高有机电致发光器件的发光效率，通常将客体材料掺杂到主体材料中形成发光层。目前，有机电致发光器件通常存在操作电压高、发光效率低、使用寿命短等问题。因而，探索新的用于有机电致发光器件的有机光电材料是本领域技术人员一直以来研究的重点方向。对于发光层来说，传统上所用的主体材料，通常无法提供令人满意的发光特性，因此，仍需要设计新的性能更好主体材料以提高有机电致发光器件的使用性能。
技术实现思路
专利技术目的：针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种芘衍生物及其有机电致发光器件，该芘衍生物作为主体材料应用在有机电致发光器件中，从而降低了有机电致发光器件的驱动电压，提高了有机电致发光器件的发光效率，并且延长了有机电致发光器件的使用寿命。本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：一种芘衍生物，该芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式：其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种。优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的一种。优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基中的一种。最优选的，本专利技术的芘衍生物选自如下所示化学结构中的一种，进一步的，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括阳极、阴极以及一个或多个有机物层，有机物层位于极阳和阴极之间，有机物层中的至少一层含有上述本专利技术的芘衍生物。优选的，有机物层包括发光层，发光层由主体材料和客体材料组成，主体材料包含本专利技术的芘衍生物。有益效果：与现有技术相比，本专利技术的优点是，由于本专利技术的芘衍生物的共轭体系较大，因此电荷更易分散，材料的电荷迁移定向性增强，材料体系更加稳定。另外本专利技术的芘衍生物的刚性较大，并且本专利技术的芘衍生物中还引入了具有较大体积的取代基团，例如苯基、萘基、芴基等，有效的提高了芘衍生物的玻璃化温度和热稳定性，有利于材料成膜。应用本专利技术的芘衍生物作为发光层的有机电致发光器件，具有较低的驱动电压，较高的发光效率，并且具有较长的使用寿命。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。一种芘衍生物，该芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式：其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种。优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。优选的，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的一种。优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的喹啉基中的一种。按照本专利技术，上述烷基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、卤素、三氟甲基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C6～C24的芳基或者C3～C24的杂芳基；上述芳基、杂芳基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、卤素、三氟甲基、C1～C10的烷基、C1～C10的烷氧基、C6～C24的芳基或者C3～C24的杂芳基。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芘衍生物，其特征在于，所述芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式：

【技术特征摘要】
1.一种芘衍生物，其特征在于，所述芘衍生物具有如结构式I或者结构式II所示的结构通式：其中，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种；所述R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C3～C60的杂芳基中的一种。2.根据权利要求1所述的一种芘衍生物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；所述R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。3.根据权利要求1所述的一种芘衍生物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙敬，蔡辉，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22