一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术属于有机电致发光材料领域，公开了一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用。本发明专利技术所公开的化合物具有通式(I)所示的结构。其中，由于吡啶基团在化合物中的占位比例较小，因而本发明专利技术化合物的空穴和电子传输性能较为平衡。另外，本发明专利技术化合物的合成路线成熟，从而为大批量工业化生产提供了可能性。

【技术实现步骤摘要】
一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用
本专利技术属于有机电致发光材料领域，特别涉及一种含吡啶和三亚苯结构的化合物及其应用。
技术介绍
在有机电致发光器件
，可通过不同的方式实现高效、高寿命的发光，对于发射光谱的发光层，其中一种方式就是采用主客体掺杂的形式进行效率和寿命的提升。为了实现高效率的发光，避免能量从客体材料向主体材料的逆向能量回传，同时将三重态激子限定在发光层，主体材料的三重态能级应该大于掺杂材料的三重态能级。当主体材料的三重态能级小于掺杂材料的三重态能量时，将会发生从掺杂材料至主体材料能级反跃迁的现象，从而导致发光效率降低。因此，对于发光材料层，需要高热稳定性和高于掺杂材料三重态能量的主体材料。现有技术中，大部分主体材料是空穴传输型主体材料或电子传输型主体材料。由于载流子传输性能的不平衡，这种单极性的主体材料容易形成不利的窄的复合区域。通常，当使用空穴传输型主体材料时，在发光层和电子传输层界面会产生电荷复合区域，而当使用电子传输型主体材料时，在发光层和空穴传输层界面会产生电荷复合区域。然而弱的载流子迁移率和发光层中不平衡的电荷对有机发光器件的发光效率不利。同时，有机电致磷光器件这种窄的电荷复合区域，会加快三重态－三重态湮灭过程，从而导致发光效率下降，尤其是在电流密度条件下。为了避免这种效应，通常采用的策略是：(1)使用两个发光层，其中一层使用空穴传输型主体材料，另一个发光层使用电子传输型主体材料；(2)将空穴传输型和电子传输型主体材料混合置于单个发光层中。然而，这两种策略使得器件的制备变得复杂，且混合的主体材料会导致相分离的问题。因此，为了达到高效的电致发光效果，需要开发出结构稳定、且能够平衡电荷传输性能的主体材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，该种化合物为一种结构稳定、且能够平衡电荷传输性能的主体材料。本专利技术所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：其中，Rx、Ry表示氢、氘、C1-C36烷基、C3-C72芳基、C3-C72杂芳基；Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I-1)结构、式(I-2)结构、式(I-3)结构、式(I-4)结构或式(I-5)结构：式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)和式(I-5)中，N21-N28各自独立地表示N或CRa，且N21-N28中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；N31-N33、N36-N38各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N34、N35为CH；N41-N48各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；N51-N62各自独立地表示N或CRe，Re表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，且N51-N62至少有一个CRe，且所述CRe的碳原子与式(I)的吡啶相连；N71-N80各自独立地表示N或CRf，Rf表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基；符号(*)表示该位置与通式(I)的吡啶相连接。可选地，所述杂芳基中的杂原子选自N、P、S、O、Se、B或Si；所述芳基或杂芳基未取代或取代；所述取代通过碳原子或杂原子进行；所述芳基包括芳胺基或芳氧基；所述杂芳基包括杂芳胺基或杂芳氧基。可选地，所述烷基未取代、被卤素取代或被芳基取代。可选地，所述卤素为氟。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有通式(II-1)所示结构：其中，M11-M16各自独立地表示N或CRp，Rp表示氢、氘、卤素、烷基或者芳基，且所述通式(II-1)中至少含有两个sp2杂化的N原子。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有通式(II-2)、所示结构：其中，M21-M30各自独立地表示N或CRq，Rq表示氢、氘、卤素、烷基或者芳基。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有通式(II-3)所示结构：其中，M31-M34各自独立地表示N或CRq，其中Rq表示氢、氘、卤素、烷基或芳基，X1为S原子或O原子。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有通式(II-4)所示的结构：其中，M41-M46各自独立地表示N或CRr，其中Rr表示为氢、氘、卤素、烷基或者芳基，Rz表示C6-C36芳基。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有选自如下之一的结构：本专利技术的实施方式还提供上述含吡啶和三亚苯结构的化合物在有机电致发光器件中的应用。相对于现有技术而言，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物结构中，吡啶与三亚苯直接相连，且由于吡啶基团在化合物中的比例较小，与三亚苯基团直接相连的吡啶基团不超过两个，其空穴和电子传输性能较为平衡。另外，本专利技术的实施方式所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，合成路线成熟，为大批量工业化生产提供了可能性。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例对本专利技术的各具体实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本专利技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本专利技术各权利要求所要求保护的技术方案。化合物在本专利技术的一些具体实施方式中，提供了一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：其中，Rx、Ry表示氢、氘、C1-C36烷基、C3-C72芳基、C3-C72杂芳基；Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I-1)结构、式(I-2)结构、式(I-3)结构、式(I-4)结构或式(I-5)结构：式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)和式(I-5)中，N21-N28各自独立地表示N或CRa，且N21-N28中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；N31-N33、N36-N38各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N34、N35为CH；N41-N48各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；N51-N62各自独立地表示N或CRe，Re表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，且N51-N62至少有一个CRe，且所述CRe的碳原子与式(I)的吡啶相连；N71-N80各自独立地表示N或CRf，Rf表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基；符号(*)表示该位置与通式(I)的吡啶相连接。在本专利技术的一些具体实施方式中，所述杂芳基中的杂原子选自N、P、S、O、Se、B或Si；所述芳基或杂芳基未取代或取代；所述取代通过碳原子或杂原子进行；所述芳基包括芳胺基或芳氧基；所述杂芳基包括杂芳胺基或杂芳氧基。在本专利技术的一些具体实施方式中，所述烷基未取代、被卤素取代或被芳基取代。在本专利技术的一些具体实施方式中，所述卤素为氟。在本专利技术的一些具体实施方式中，所提供的含吡啶和三亚苯结构的化合物，具有通式(II-1)所示结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种含吡啶和三亚苯结构的化合物，其具有通式(I)所示的结构：其中，Rx、Ry表示氢、氘、C1-C36烷基、C3-C72芳基、C3-C72杂芳基；Cz表示取代或未取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、式(I-1)结构、式(I-2)结构、式(I-3)结构、式(I-4)结构或式(I-5)结构：式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)和式(I-5)中，N21-N28各自独立地表示N或CRa，且N21-N28中至少有一个为CRa，且所述CRa的碳原子与式(I)的吡啶相连，所述Ra表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，所述Rb表示烷基或者杂芳基；N31-N33、N36-N38各自独立地表示N或CRc，Rc表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，N34、N35为CH；N41-N48各自独立地表示N或CRd，Rd表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，X表示O、S或Se原子；N51-N62各自独立地表示N或CRe，Re表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基，且N51-N62至少有一个CRe，且所述CRe的碳原子与式(I)的吡啶相连；N71-N80各自独立地表示N或CRf，Rf表示氢、氘、卤素、烷基或者杂芳基；符号(*)表示该位置与通式(I)的吡啶相连接。2.根据权利要求1所述的含吡啶和三亚苯结构的化合物，其特征在于，所述杂芳基中的杂原子选自N、P、S、O、Se、B或Si；所述芳基或杂芳基未取代或取代；所述取代通过碳原子或杂原子进行；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾达，荆一铭，黄达，陈少海，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32