【技术实现步骤摘要】
一种双向迟滞比较器
本专利技术属于模拟集成电路
，尤其涉及上升翻转与下降翻转都存在迟滞作用的比较器。
技术介绍
迟滞比较器在模拟集成电路领域是非常重要的基本电路，正常条件下，迟滞比较器只在单向存在一个迟滞量，即上升或者下降过程。但是这在另一个方向存在信号干扰可能出现输出误触，降低电路可靠性。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是针对以上问题，设计一款具有双向稳定的迟滞比较器，同时提高抗干扰能力，减小失调。本专利技术技术方案如图所示，一种双向迟滞比较器，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一反相器INV1、第二反相器INV2，第三反相器INV3、第四反相器INV4；第一PMOS管MP1源极接电源，其栅极接V1；第二PMOS管MP2源极接电源，栅极接V1；第三PMOS管MP3源极接电源，栅极接第一PMOS管MP1的漏极；第四PMOS管MP4源极接电源，栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极，栅极接Va；；第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极，栅极接Vb；第三NMOS管MN3漏极接第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2的源极，栅极接V2，源极接地；第一反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第三PMOS管MP3的漏极；第二反相器输入接第三PMOS管MP3的漏极，输出接第四PMOS管MP4的漏极；第三反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第四反相器INV...
【技术保护点】
1.一种双向迟滞比较器，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一反相器INV1、第二反相器INV2，第三反相器INV3、第四反相器INV4；第一PMOS管MP1源极接电源，其栅极接V1；第二PMOS管MP2源极接电源，栅极接V1；第三PMOS管MP3源极接电源，栅极接第一PMOS管MP1的漏极；第四PMOS管MP4源极接电源，栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极，栅极接Va；；第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极，栅极接Vb；第三NMOS管MN3漏极接第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2的源极，栅极接V2，源极接地；第一反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第三PMOS管MP3的漏极；第二反相器输入接第三PMOS管MP3的漏极，输出接第四PMOS管MP4的漏极；第三反相器输入接第四PMOS管MP4的漏极，输出接第四反相器INV4；第四反相器输入接第三反相器输出，输出接out，为输出端...
【技术特征摘要】
1.一种双向迟滞比较器，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一反相器INV1、第二反相器INV2，第三反相器INV3、第四反相器INV4；第一PMOS管MP1源极接电源，其栅极接V1；第二PMOS管MP2源极接电源，栅极接V1；第三PMOS管MP3源极接电源，栅极接第一PMOS管MP1的漏极；第四PMOS管MP4源极接电源，栅极接第二PMOS管MP2的漏极；第一NMOS管M...
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