【技术实现步骤摘要】
一种变换电路及相应的三相变换电路和变换装置
本专利技术涉及电能变换领域,具体涉及一种I型变换电路。
技术介绍
如图1所示,现有技术中,I型三电平变换电路包括第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件、第四可控开关器件、第五二极管D5、第六二极管D6;第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件和第四可控开关器件依次串接在正母线和负母线之间;第五二极管D5和第六二极管D6串接,第五二极管D5的阴极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,第六二极管D6的阳极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点;第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点作为输入输出端;第五二极管和第六二极管的连接点接至中线;其中,第一可控开关器件包括第一IGBT管Q1和与其反并联连接的第一续流二极管Dq1;第二可控开关器件包括第二IGBT管Q2和与其反并联连接的第二续流二极管Dq2;第三可控开关器件包括第三IGBT管Q3和与其反并联连接的第三续流二极管Dq3;第四可控开关器件包括第四IGBT管Q4和与其反并联连接的第四续流二极管Dq4;而第一IGBT管Q1的集电极接至正母线,第四IGBT管Q4的发射极接至负母线;现有技术中,当然还包括用于触发第一IGBT管Q1、第二IGBT管Q2、第三IGBT管Q3和第四IGBT管Q4的控制器。现有技术中的I型三电平变换电路相较于双电平变换电路,具有单个IGBT管阻断电压减半、谐波小、损耗低、效率高等优势。在I型三电平变换电路中,各IGBT管的功耗可以分为通态功耗、通断功耗,其中通断功耗又可以分开通阶段功耗和关断阶段功耗。在 ...
【技术保护点】
1.一种变换电路,包括第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件、第四可控开关器件、第五二极管和第六二极管;所述的第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件和第四可控开关器件依次串接在正母线和负母线之间;所述的第五二极管和第六二极管串接,第五二极管的阴极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,第六二极管的阳极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点;第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点作为输入输出端;其特征是,还包括电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容和第二电容;所述的电感一端连接中线,另一端接至第五二极管和第六二极管的连接点;所述的第一二极管和第二二极管串接,第一二极管的阴极接正母线,第二二极管的阳极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,所述的第一电容一端接至第一二极管和第二二极管的连接点,另一端接至第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点;所述的第三二极管和第四二极管串接,第三二极管的阴极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点,第四二极管的阳极接负母线,所述的第二电容一端接至第二可控开关器件和第三 ...
【技术特征摘要】
1.一种变换电路,包括第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件、第四可控开关器件、第五二极管和第六二极管;所述的第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件和第四可控开关器件依次串接在正母线和负母线之间;所述的第五二极管和第六二极管串接,第五二极管的阴极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,第六二极管的阳极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点;第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点作为输入输出端;其特征是,还包括电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容和第二电容;所述的电感一端连接中线,另一端接至第五二极管和第六二极管的连接点;所述的第一二极管和第二二极管串接,第一二极管的阴极接正母线,第二二极管的阳极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,所述的第一电容一端接至第一二极管和第二二极管的连接点,另一端接至第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点;所述的第三二极管和第四二极管串接,第三二极管的阴极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点,第四二极管的阳极接负母线,所述的第二电容一端接至第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点,另一端接至第三二极管和第四二极管的连接点。2.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第一可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第一可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第一可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。3.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第二可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第二可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第二可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。4.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第三可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第三可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第三可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。5.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第四可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第四可控开关器件为IGB...
【专利技术属性】
技术研发人员:易龙强,
申请(专利权)人:厦门科华恒盛股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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