【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本申请涉及半导体
,尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)关键尺寸的缩小,短沟道效应(ShortChannelEffect,SCE)越来越严重。鳍式场效应晶体管(FinFieldEffectTransistor,FinFET)具有良好的栅控能力,能够有效地抑制SCE。然而,本申请的专利技术人发现,对于某些FinFET器件来说,例如输入/输出(I/O)器件,栅诱导漏极泄漏电流(gated-inducedrainleakage,GIDL)比较大,从而影响器件的可靠性。
技术实现思路
本申请的一个目的在于减小器件的GIDL。根据本申请的一方面,提供了一种半导体装置,包括:衬底;在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片;在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构,包括:在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层;和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极;以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区;其中,所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区,所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区,所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区,所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。在一个实施例中,所述第二区的厚度大于所述第三区的厚度。在一个实施例中,所述第一栅极电介质层包括:在所述第一鳍片的一部分之上的第一电介质层;在所述第一电介质层之上的第一高 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:衬底;在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片;在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构,包括:在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层;和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极;以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区;其中,所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区,所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区,所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区,所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:衬底;在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片;在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构,包括:在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层;和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极;以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区;其中,所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区,所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区,所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区,所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二区的厚度大于所述第三区的厚度。3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一栅极电介质层包括:在所述第一鳍片的一部分之上的第一电介质层;在所述第一电介质层之上的第一高k电介质层;和第一氧化物层,包括:在所述第一电介质层边缘下的第一部分。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第一氧化物层还包括:在所述第一电介质层的边缘之间的部分下的第二部分,所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。5.根据权利要求3或4所述的装置,其特征在于,所述第一氧化物层还包括:在所述第一电介质层边缘上的第三部分。6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一氧化物层还包括:在所述第一电介质层的边缘之间的部分上的第四部分,所述第三部分的厚度大于所述第四部分的厚度。7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:在所述衬底上用于第二器件的第二鳍片;在所述第二鳍片的一部分上的第二栅极结构,包括:在所述第二鳍片的一部分上的第二栅极电介质层;和在所述第二栅极电介质层上的第二栅极;以及在所述第二栅极结构两侧至少部分地位于所述第二鳍片中的第二源区和第二漏区。8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第二栅极电介质层包括第二高k电介质层。9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一器件包括输入/输出器件,所述第二器件包括内核器件。10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底;在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片;以及在所述第一鳍片的一部分上的第一伪栅结构,所述第一伪栅结构包括在所述第一鳍片的一部分上的第一电介质层、在所述第一电介质层上的第一伪栅、在所述第一伪栅上的第一硬掩模层以及位于所述第一伪栅和所述第一硬掩模层的侧壁上的第一间隔物层;执行氧化工艺,以使得所述第一电介质层边缘下的第一鳍片被氧化,从而形成第一氧化物层的第一部分;在执行氧化工艺后,执行刻蚀工艺,以去除所述第一伪栅结构侧面的第一鳍片的一部分,从而形成第一凹陷和第二凹陷;执行外延工艺,以在所述第一凹陷和所述第二凹陷中外延生长半导体材料,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勇,洪中山,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。