显示基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成遮光层，遮光层具有第一区域和第二区域，第一区域用于形成栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，第二区域用于形成源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，第一区域的尺寸与第二区域的尺寸不同；在第一区域和第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，第一区域上的多晶硅层的晶形与第二区域上的多晶硅层的晶形不同。本发明专利技术形成的多晶硅层能够满足栅极驱动电路和源极驱动电路对TFT的要求。本发明专利技术用于显示基板制造。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(英文：ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode；简称：AMOLED)显示装置具有高画质、低功耗、宽视角、超轻薄及响应时间短等优点，成为未来显示技术的最好选择。AMOLED显示装置的主要显示部件为AMOLED显示基板，AMOLED显示基板包括衬底基板，衬底基板具有显示区域、栅极驱动电路区域和源极驱动电路区域，显示区域用于形成显示单元，栅极驱动电路区域用于形成栅极驱动电路，源极驱动电路区域用于形成源极驱动电路，显示单元、栅极驱动电路区域和源极驱动电路均包括薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)，TFT包括依次设置的栅极、栅绝缘层、多晶硅层和源漏极层。目前，在形成TFT的多晶硅层时，可以先在栅绝缘层上沉积非晶硅，然后采用准分子激光退火(英文：ExcimerLaserAnnealing；简称：ELA)工艺对非晶硅进行退火得到多晶硅，之后通过一次构图工艺对多晶硅进行处理，得到每个TFT的多晶硅层。采用此方法形成的多晶硅层中，显示单元的多晶硅层、栅极驱动电路的多晶硅层和源极驱动电路的多晶硅层的晶形相同。但是，栅极驱动电路和源极驱动电路对TFT的多晶硅层的晶形的要求不同，而上述方法形成的多晶硅层中，栅极驱动电路的多晶硅层的晶形与源极驱动电路的多晶硅层的晶形相同，因此，上述方法形成的多晶硅层难以满足栅极驱动电路和源极驱动电路对TFT的要求。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以满足栅极驱动电路和源极驱动电路对TFT的要求。本专利技术的技术方案如下：第一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层具有第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第二区域用于形成源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第一区域的尺寸与所述第二区域的尺寸不同；在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，所述第一区域上的多晶硅层的晶形与所述第二区域上的多晶硅层的晶形不同。可选的，所述遮光层还具有第三区域，所述第三区域用于形成透明显示区域中的TFT的多晶硅层，所述第三区域的尺寸与所述第一区域的尺寸不同，所述方法还包括：在所述第三区域上形成有多晶硅层。可选的，所述在衬底基板上形成遮光层，包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构，所述第一区域为所述第一凸起结构所在区域，所述第二区域为所述第二凸起结构所在区域，所述第三区域为所述第三凸起结构所在区域。可选的，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构和所述第三凸起结构均为遮光块。可选的，所述在衬底基板上形成遮光层，包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括第一凹陷结构和第二凹陷结构，所述第一区域为所述第一凹陷结构所在区域，所述第二区域为所述第二凹陷结构所在区域。可选的，所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构均为孔结构。可选的，所述第一区域的尺寸小于或等于5微米，所述第二区域的尺寸和所述第三区域的尺寸均大于5微米；所述第一区域上的多晶硅层的晶形为六方晶形，所述第二区域上的多晶硅层的晶形和所述第三区域上的多晶硅层的晶形均为四方晶形。可选的，在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层之前，所述方法还包括：在形成有所述遮光层的衬底基板上形成缓冲层；所述在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，包括：在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域在所述缓冲层的对应区域上形成多晶硅层。可选的，所述缓冲层包括依次设置的氮化硅层和二氧化硅层，所述在形成有所述遮光层的衬底基板上形成缓冲层，包括：在形成有所述遮光层的衬底基板上形成氮化硅层；在形成有所述氮化硅层的衬底基板上形成二氧化硅层。可选的，所述在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，包括：在形成有所述遮光层的衬底基板上形成非晶硅层；采用准分子激光退火ELA工艺对所述非晶硅层进行退火处理，使非晶硅转化为多晶硅；通过一次构图工艺对退火后的非晶硅层进行处理，使所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层。可选的，所述准分子激光退火ELA工艺的参数包括：激光脉冲频率为300赫兹，重叠率为92％～98％，激光扫描速率为9.6毫米每秒～2.4毫米每秒，激光能量密度为300兆焦耳每平方厘米～500兆焦耳每平方厘米。第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板采用第一方面或第一方面的任一可选方式所述的方法制成，所述显示基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的遮光层，所述遮光层具有第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成有多晶硅层，所述第一区域上的多晶硅层为栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第二区域上的多晶硅层为源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第一区域上的多晶硅层的晶形与所述第二区域上的多晶硅层的晶形不同。可选的，所述遮光层还具有第三区域，所述第三区域上形成有多晶硅层，所述第三区域上的多晶硅层为透明显示区域中的TFT的多晶硅层。可选的，所述遮光层包括第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构，所述第一区域为所述第一凸起结构所在区域，所述第二区域为所述第二凸起结构所在区域，所述第三区域为所述第三凸起结构所在区域。可选的，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构和所述第三凸起结构均为遮光块。可选的，所述遮光层包括第一凹陷结构和第二凹陷结构，所述第一区域为所述第一凹陷结构所在区域，所述第二区域为所述第二凹陷结构所在区域。可选的，所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构均为孔结构。可选的，所述第一区域的尺寸小于或等于5微米，所述第二区域的尺寸和所述第三区域的尺寸均大于5微米；所述第一区域上的多晶硅层的晶形为六方晶形，所述第二区域上的多晶硅层的晶形和所述第三区域上的多晶硅层的晶形均为四方晶形。可选的，所述显示基板还包括：设置在所述遮光层与所述多晶硅层之间的缓冲层。可选的，所述缓冲层包括依次设置的氮化硅层和二氧化硅层。第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面或第二方面的任一可选方式所述的显示基板。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术提供的显示基板及其制造方法，显示装置，由于遮光层具有第一区域和第二区域，第一区域用于形成栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，第二区域用于形成源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，第一区域的尺寸与第二区域的尺寸不同，第一区域上的多晶硅层的晶形与第二区域上的多晶硅层的晶形不同，因此，多晶硅层能够满足栅极驱动电路和源极驱动电路对TFT的要求。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本专利技术。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图；图2是本专利技术实施例提供的另一种显示基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层具有第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第二区域用于形成源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第一区域的尺寸与所述第二区域的尺寸不同；在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，所述第一区域上的多晶硅层的晶形与所述第二区域上的多晶硅层的晶形不同。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层具有第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成栅极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第二区域用于形成源极驱动电路中的TFT的多晶硅层，所述第一区域的尺寸与所述第二区域的尺寸不同；在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域上形成多晶硅层，所述第一区域上的多晶硅层的晶形与所述第二区域上的多晶硅层的晶形不同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮光层还具有第三区域，所述第三区域用于形成透明显示区域中的TFT的多晶硅层，所述第三区域的尺寸与所述第一区域的尺寸不同，所述方法还包括：在所述第三区域上形成有多晶硅层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成遮光层，包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构，所述第一区域为所述第一凸起结构所在区域，所述第二区域为所述第二凸起结构所在区域，所述第三区域为所述第三凸起结构所在区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构和所述第三凸起结构均为遮光块。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成遮光层，包括：在衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括第一凹陷结构和第二凹陷结构，所述第一区域为所述第一凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，屈财玉，刘政，殷新社，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11