有机发光显示设备制造技术

提供了一种有机发光显示设备。所述有机发光显示设备包括多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间的层并作为金属屏蔽件；第一薄膜晶体管，电结合到驱动电压线并且包括第一半导体层和位于第一半导体层上方的栅电极；以及第三薄膜晶体管，电结合到第一薄膜晶体管并且包括第三半导体层和位于第三半导体层上方的双栅电极。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示设备本申请是申请日为2013年10月15日、申请号为201310481761.9、题为“薄膜晶体管阵列基底和包括该基底的有机发光显示设备”的专利申请的分案申请。
本专利技术实施例涉及一种薄膜晶体管阵列基底以及包括该薄膜晶体管阵列基底的有机发光显示设备。
技术介绍
有机发光显示设备是自发射的，并且与液晶显示设备不同，有机发光显示设备不需要诸如背光的单独的光源，因此相对地减小了厚度并减轻了重量。另外，有机发光显示设备具有包括低功耗、高亮度或快速响应时间等的优良的特性。有机发光显示设备包括：栅极线，位于基底上并且沿着一个方向延伸；数据线，延伸以与栅极线交叉；像素电路，电连接到每条栅极线和每条数据线；以及有机发光二极管(OLED)，电连接到像素电路。然而，近来，需要具有高清晰度的有机发光显示设备，使得像素电路的可用空间减小。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基底以及包括该薄膜晶体管阵列基底的有机发光显示设备，通过该薄膜晶体管阵列基底，可以减小或防止由于数据线和电容器之间的耦合导致的串扰，并且/或者驱动电压线可以被设计为具有网状结构。根据本专利技术实施例的一方面，提供一种包括多个像素的薄膜晶体管阵列基底，所述多个像素中的每个像素包括：电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；以及驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间，并且包括沿着第一方向延伸的第一线和沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二线。电容器的第二电极可通过接触孔电结合到驱动电压线。驱动电压线可具有网状结构。驱动电压线的第一线可以结合到所述多个像素中在第一方向上彼此相邻的一个像素，驱动电压线的第二线可结合到所述多个像素中在第二方向上彼此相邻的一个像素。驱动电压线的第二线可以完全覆盖电容器。薄膜晶体管阵列基底还可包括：堆叠在电容器和驱动电压线之间的第一层间绝缘层和第二层间绝缘层；以及在驱动电压线和数据线之间的第三层间绝缘层。所述多个像素中的每个像素还可以包括：驱动薄膜晶体管(TFT)，电结合在驱动电压线和发光装置之间；以及开关TFT，电结合在数据线和驱动TFT之间。驱动TFT可以包括：半导体层；栅电极，结合到电容器的第一电极，位于半导体层的上方并与电容器的第二电极处于同一层；源电极，电结合到驱动电压线；以及漏电极，电结合到发光装置。开关TFT可以包括：半导体层；栅电极，位于半导体层的上方并与电容器的第一电极处于同一层，并且结合到沿着第二方向延伸的第一扫描线；源电极，结合到数据线；以及漏电极，结合到驱动TFT。所述多个像素中的每个像素还可以包括：第一扫描线、第二扫描线和发射控制线，沿着第二方向延伸并与电容器的第一电极处于同一层；以及初始化电压线，在驱动电压线和电容器的第二电极之间沿着第二方向延伸。根据本专利技术实施例的另一方面，提供一种包括多个像素的有机发光显示设备，所述多个像素中的每个像素包括：第一薄膜晶体管(TFT)，在基底上并且包括栅电极；第二TFT，在基底上并且包括栅电极；电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极与第二TFT的栅电极处于同一层，第二电极在第一电极上方并与第一TFT的栅电极处于同一层；数据线，被构造为提供数据信号，位于电容器的上方并与电容器的一部分叠置，数据线沿着第一方向延伸；以及驱动电压线，位于电容器和数据线之间并且被构造为提供驱动电压，驱动电压线包括沿着第一方向延伸的第一线和沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二线。电容器的第二电极可通过接触孔电结合到驱动电压线。驱动电压线可以具有网状结构。驱动电压线的第一线可以结合到所述多个像素中在第一方向上彼此相邻的像素，驱动电压线的第二线可以结合到所述多个像素中在第二方向上彼此相邻的像素。驱动电压线的第二线可以完全覆盖电容器。所述有机发光显示设备还可以包括：堆叠在电容器和驱动电压线之间的第一层间绝缘层和第二层间绝缘层；以及在驱动电压线和数据线之间的第三层间绝缘层。第一TFT可以电结合在驱动电压线和发光装置之间，第二TFT可以结合在数据线和第一TFT之间。第一TFT还可以包括：半导体层；源电极，电结合到驱动电压线；以及漏电极，电结合到发光装置；第一TFT的栅电极可位于半导体层的上方并与电容器的第二电极处于同一层，并且可结合到电容器的第一电极。第二TFT还可以包括：半导体层；源电极，结合到数据线；以及漏电极，结合到第一TFT；第二TFT的栅电极可位于半导体层的上方并与电容器的第一电极处于同一层，并且可结合到沿着第二方向延伸的第一扫描线。所述多个像素中的每个像素还可以包括：第一扫描线、第二扫描线和发射控制线，沿着第二方向延伸并与电容器的第一电极处于同一层；以及初始化电压线，沿着第二方向延伸并且位于电容器的第二电极和驱动电压线之间。根据本专利技术实施例的另一方面，提供一种包括多个像素的有机发光显示设备，所述多个像素中的每个像素包括：电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间的层并作为金属屏蔽件；第一薄膜晶体管，电结合到驱动电压线并且包括第一半导体层和位于第一半导体层上方的栅电极；以及第三薄膜晶体管，电结合到第一薄膜晶体管并且包括第三半导体层和位于第三半导体层上方的双栅电极。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的以上和其他方面将变得更明显，在附图中：图1是根据本专利技术实施例的显示设备的框图；图2是根据本专利技术实施例的显示设备的一个像素的电路图；图3是示出根据本专利技术实施例的图2的像素的平面图；图4是示出图3中所示的信号线的剖视图；图5是根据本专利技术实施例的图3的结构沿着线A-A’、B-B’和C-C’截取的剖视图；图6是用来与图5中所示的本专利技术的实施例作比较的比较示例的剖视图。具体实施方式在下文中，将通过参照附图解释本专利技术的示例性实施例，以详细的说明本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以多种不同的形式来实施，并且不应该被理解为局限于在此阐述的实施例，而是提供这些实施例使本公开将是彻底和完全的，并将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在以下描述中，不会详细描述公知的功能或构造以避免因不必要的细节导致本专利技术变得难以理解。附图中相同的附图标记在整个说明书中指的是相同或相似的元件。此外，为了便于描述，可以任意地示出附图中的元件的厚度和尺寸，因此，本专利技术的精神和范围未必由附图限定。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。在整个说明书中，也将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在一个或多个中间元件。此外，当部件“包括”或“包含”元件时，除非有与之相反的具体的说明，否则该部件可以还/另外包括其他元件。此外，在整个说明书中，也将理解的是，当元件被称为“在”目标元件“上方”时，意味着该元件可以在目标元件上方或下方，并且不一定意味着该元件沿着重力方向在目标元件上方。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意和所有组合。图1是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括多个像素的有机发光显示设备，所述多个像素中的每个像素包括：电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间的层并作为金属屏蔽件；第一薄膜晶体管，电结合到驱动电压线并且包括第一半导体层和位于第一半导体层上方的栅电极；以及第三薄膜晶体管，电结合到第一薄膜晶体管并且包括第三半导体层和位于第三半导体层上方的双栅电极。

【技术特征摘要】
2013.02.28 KR 10-2013-00224441.一种包括多个像素的有机发光显示设备，所述多个像素中的每个像素包括：电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间的层并作为金属屏蔽件；第一薄膜晶体管，电结合到驱动电压线并且包括第一半导体层和位于第一半导体层上方的栅电极；以及第三薄膜晶体管，电结合到第一薄膜晶体管并且包括第三半导体层和位于第三半导体层上方的双栅电极。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第二电极电结合到驱动电压线。3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，驱动电压线具有网状结构。4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，驱动电压线包括在第一方向上的第一线和在不同于第一方向的第二方向上的第二线...

【专利技术属性】
技术研发人员：高武郇，李一正，任忠烈，权度县，尹柱元，禹珉宇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR