PM-OLED显示基板及其制作方法技术

技术编号:19698744 阅读:19 留言:0更新日期:2018-12-08 13:02
本发明专利技术提供了PM‑OLED显示基板及其制作方法,该PM‑OLED显示基板包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,还包括与所述像素绝缘网格对应设置且与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。本发明专利技术提供的PM‑OLED显示基板能够有效降低SEG走线的起始段和结束端的电阻差异,改善单双效应问题,能够有效保证显示效果,提高产品质量。本发明专利技术提供的PM‑OLED显示基板的制作方法能够有效实现PM‑OLED显示基板的制作,且能有效提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
PM-OLED显示基板及其制作方法
本专利技术涉及了显示
,特别是涉及了PM-OLED显示基板及其制作方法。
技术介绍
PM-OLED显示技术因具备全固态主动发光、温度特性好、功耗较小、响应快、可弯曲折叠、超轻薄等优点,而被称之为第三代梦幻显示技术。现有的PM-OLED显示基板由于SEG走线的电阻逐渐加大,在全面点亮的情况下,在发光区内SEG走线的起始位置与结束位置之间,由于电阻逐渐增大,SEG走线的起始端与结束端之间必然会存在一定的电压压降,在全面点亮的情况下,就可以在靠近可视区边缘的位置看到相邻的奇数行(或列)与偶数行(或列)SEG走线上的亮度存在着明显的差异,这种显示现象称为单双效应。如图1所示,SEG走线横向排布,位于奇数行的SEG走线11’从左侧与引线连接,位于偶数行的SEG走线12’从右侧与引线连接,在全面点亮的情况下,位于奇数行的SEG走线11’左端能正常显示,而右端亮度渐低,位于偶数行的SEG走线12’右端能正常显示,而左端亮度渐低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是能够有效解决PM-OLED显示面板在全面点亮的情况下存在的单双效应问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种PM-OLED显示基板,包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,还包括与所述像素绝缘网格对应设置且与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。作为本专利技术的一种优选方案,所述像素绝缘网格上开设有用于容纳所述辅助电极线的走线槽;所述走线槽包括位于COM向绝缘条上的COM向走线槽和/或,位于所述SEG向绝缘条上的SEG向走线槽。作为本专利技术的一种优选方案,所述COM向走线槽的宽度W1≤W-4um,其中,W为COM向绝缘条的宽度;所述COM向走线槽的长度L1≤W’+W2-6um,其中,所述W’为SEG走线的宽度,W2为相邻两条SEG走线的间距;所述SEG向走线槽的宽度W11<(W4-W2)/2+W2um,其中,W4为相邻像素在COM方向上的间距,W2为相邻两条SEG走线之间的间距;所述SEG向走线槽的长度L2≤L’,其中,L’为单个像素单元在SEG方向上的分布步距。作为本专利技术的一种优选方案,所述隔离柱上开设有用于容纳所述辅助电极线的隔离柱槽。作为本专利技术的一种优选方案,所述隔离柱槽的宽度W12≥3um,且W12≤WRIB-6um,其中,WRIB为隔离柱的设计宽度,WRIB≤W-4um,W为COM向绝缘条的宽度;所述隔离柱槽的长度L12≥L1/3,且L12≤L1,其中,L1为COM向走线槽的长度。作为本专利技术的一种优选方案,还包括引线和设置于所述引线上的辅助引线;所述辅助电极线与所述辅助引线于同一制程中形成,且覆盖于所述像素绝缘网格下。作为本专利技术的一种优选方案,所述辅助电极线的宽度W引≤W5-4um,其中,W5为像素单元与相邻SEG走线之间的距离;所述辅助电极线的长度L引与SEG走线相同。进一步地,提供一种PM-OLED显示基板的制作方法,用于制作以上所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:步骤1、在基板上形成阳极走线;步骤2、制作像素隔离网格并形成走线槽;步骤3、制作容纳于所述走线槽中的辅助电极线;步骤4、依次制作隔离柱、有机层和阴极走线。进一步地,提供一种PM-OLED显示基板的制作方法,用于制作以上所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:步骤1、在基板上形成阳极走线;步骤2、制作像素隔离网格并形成走线槽;步骤3、在所述像素隔离网格上制作隔离柱并形成隔离柱槽;步骤4、制作容纳于所述走线槽和隔离柱槽中的辅助电极线、有机层和阴极走线;其中,所述辅助电极层先于所述有机层和阴极走线制作,或者,所述辅助电极层与所述阴极走线在同一制程中同时蒸镀形成。进一步地,提供一种PM-OLED显示基板的制作方法,用于制作以上所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:步骤1、在基板上形成阳极走线;其中,位于显示区内的阳极走线形成SEG走线,位于非显示区的阳极走线形成引线;步骤2、在所述引线上制作辅助引线并在同一制程中形成与所述SEG走线电性连接的辅助电极线;步骤3、依次制作像素隔离网格、隔离柱、有机层和阴极走线。本专利技术具有如下技术效果:本专利技术提供的一种PM-OLED显示基板通过设置容纳于像素绝缘网格内且与SEG走线电性连接的辅助电极线,即在显示区内,辅助电极线与SEG线并联,从而能够有效降低走线电阻,有效降低SEG走线的起始段和结束端的电阻差异,改善单双效应问题。而且,由于辅助电极线容纳于像素绝缘网格内,从而不会影响到显示区的正常显示,能够有效保证显示效果,提高产品质量。附图说明图1为现有技术提供的PM-OLED显示基板的单双效应示意图;图2为本专利技术提供的一种PM-OLED显示基板的结构示意图;图3为本专利技术实施例一提供的一种走线槽的布置示意图;图4为本专利技术实施例二提供的一种走线槽的布置示意图;图5为本专利技术实施例三提供的一种隔离柱槽的布置示意图;图6为本专利技术实施例四提供的一种辅助电极线的布置示意图;图7为本专利技术实施例五提供的一种PM-OLED显示基板的制作方法的流程示意图;图8为本专利技术实施例六提供的一种PM-OLED显示基板的制作方法的流程示意图;图9为本专利技术实施例七提供的一种PM-OLED显示基板的制作方法的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本专利技术实施方式作进一步详细说明。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义,本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。在本专利技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。实施例一如图2-3所示,其表示了本专利技术提供的一种PM-OLED显示基板。该PM-OLED显示基板包括SEG走线1、COM走线2、像素绝缘网格3、隔离柱4和成阵列布置的像素单元5,还包括与所述像素绝缘网格3对应设置且与所述SEG走线1电性连接的辅助电极线6,所述像素绝缘网格3包括与所述SEG走线1同向的SEG向绝缘条31和与所述COM走线2同向的COM向绝缘条32,所述辅助电极线6容纳于所述像素绝缘网格3中,本实施例提供的PM-OLED显示基板还包括基板10。这样,通过设置容纳于像素绝缘网格3内且与SEG走线1电性连接的辅助电极线6,即在显示区内,辅助电极线6与SEG线并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PM‑OLED显示基板,包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,其特征在于,还包括与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。

【技术特征摘要】
1.一种PM-OLED显示基板,包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,其特征在于,还包括与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。2.根据权利要求1所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述像素绝缘网格上开设有用于容纳所述辅助电极线的走线槽;所述走线槽包括位于COM向绝缘条上的COM向走线槽和/或,位于所述SEG向绝缘条上的SEG向走线槽。3.根据权利要求2所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述COM向走线槽的宽度W1≤W-4um,其中,W为COM向绝缘条的宽度;所述COM向走线槽的长度L1≤W’+W2-6um,其中,所述W’为SEG走线的宽度,W2为相邻两条SEG走线的间距;所述SEG向走线槽的宽度W11<(W4-W2)/2+W2um,其中,W4为相邻像素在COM方向上的间距,W2为相邻两条SEG走线之间的间距;所述SEG向走线槽的长度L2≤L’,其中,L’为单个像素单元在SEG方向上的分布步距。4.根据权利要求2所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述隔离柱上开设有用于容纳所述辅助电极线的隔离柱槽。5.根据权利要求4所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述隔离柱槽的宽度W12≥3um,且W12≤WRIB-6um,其中,WRIB为隔离柱的设计宽度,WRIB≤W-4um,W为COM向绝缘条的宽度;所述隔离柱槽的长度L12≥L1/3,且L12≤L1,其中,L1为COM向走线槽的长度。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:李源
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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