功率半导体模块和功率半导体装置制造方法及图纸

由于功率半导体模块越小型化，则在树脂外壳的上表面突起或者隔离体所占的比例越大，因此期望有规定控制用基板和树脂外壳之间的间隙的其它手段。本发明专利技术提供一种功率半导体模块和功率半导体装置，该功率半导体模块具备容纳功率半导体芯片的壳体、以及从壳体的上表面向外部突出的至少1个控制引脚或者导向引脚，至少1个控制引脚或者导向引脚在从壳体的上表面朝向离壳体最远的顶端的高度方向上具有至少1个台阶。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块和功率半导体装置
本专利技术涉及功率半导体模块和功率半导体装置。
技术介绍
一直以来，将连接引脚的台阶部设置在了树脂外壳的内部。另外，使控制电路基板的下表面侧与连接引脚的台阶部接触，并且，将整个控制电路基板设置在了树脂外壳的内部(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-186144号公报
技术实现思路
技术问题与上述的现有例不同，存在在内置有功率半导体模块的树脂外壳的上表面设置突起或者隔离体，来规定设置于树脂外壳的上方的控制用基板与树脂外壳之间的间隔的情况。由此，能够在控制用基板的背面和树脂外壳的上表面之间设置间隙。但是，与突起或者隔离体对应的控制用基板的背面的区域限制控制用基板的布局设计。例如，既无法在与突起或者隔离体对应的区域设置布线，又无法在该区域中使从功率半导体模块向外突出的控制引脚与控制用基板电接触。越使功率半导体模块小型化则在树脂外壳的上表面突起或者隔离体所占的比例越大，因此期望有规定控制用基板和树脂外壳之间的间隙的其它手段。技术方案在本专利技术的第1方面中，提供功率半导体模块。功率半导体模块可以具备壳体、和至少1个控制引脚或者导向引脚。壳体可以容纳功率半导体芯片。至少1个控制引脚或者导向引脚可以从壳体的上表面向外部突出。至少1个控制引脚或者导向引脚可以具有至少1个台阶。至少1个台阶可以在从壳体的上表面朝向离壳体最远的顶端的高度方向上设置。功率半导体模块可以具备具有至少1个台阶的至少1个控制引脚。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。壳体的上表面可以具有彼此对置的第1边和第2边。多个控制引脚可以沿壳体的上表面的第1边配置。壳体可以具有1个以上的突起。1个以上的突起可以设置在上表面上与第1边相比更靠近第2边的区域并且由树脂构成。1个以上的突起的顶端的高度位置可以与控制引脚的至少1个台阶的高度位置相同。控制引脚可以具有2个以上的台阶。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以包括第1控制引脚和第2控制引脚。第1控制引脚可以在第1高度位置具有1个台阶。第2控制引脚可以在与第1高度位置不同的第2高度位置具有1个台阶。第2高度位置可以低于第1高度位置。第2控制引脚可以为报警引脚。报警引脚可以用于将功率半导体模块的内部的异常向外部通知。壳体的上表面可以具有彼此对置的第1边和第2边。壳体可以具有1个以上的突起。1个以上的突起可以设置在上表面上与第1边相比更靠近第2边的区域。1个以上的突起可以由树脂构成。1个以上的突起分别在高度方向上具有至少1个台阶功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以包括多级台阶引脚和一级台阶引脚。多级台阶引脚分别可以在高度方向上具有2个以上的台阶。多级台阶引脚分别可以设置在壳体的上表面的角部。多级台阶引脚分别可以作为报警引脚发挥功能。报警引脚可以用于将功率半导体模块的内部的异常向外部通知。一级台阶引脚可以具有1个台阶。一级台阶引脚可以作为报警引脚发挥作用。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以具有报警引脚和非报警引脚。报警引脚在高度方向上可以具有至少1个台阶。报警引脚可以用于将功率半导体模块的内部的异常向外部通知。非报警引脚可以为不具有台阶的直的形状。非报警引脚可以具有与报警引脚不同的功能。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以包括板形状引脚。板形状引脚可以仅在4个侧面中的1个侧面具有台阶。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以包括第1控制引脚和第2控制引脚。第1控制引脚可以具有至少1个台阶。至少1个台阶可以设置在第1高度位置。第2控制引脚可以具有凸部。凸部可以在与第1高度位置相同的高度位置向与高度方向正交的方向突出。功率半导体模块可以具备多个控制引脚，多个控制引脚分别在高度方向上具有至少1个台阶。多个控制引脚可以沿第1方向配置。多个控制引脚可以包括多个板形状引脚。多个板形状引脚可以为与第1方向相比第2方向较长。第2方向在俯视下可以与第1方向正交。多个板形状引脚可以具有向第2方向突出的至少1个台阶。多个板形状引脚可以包括第1板形状引脚和第2板形状引脚。第1板形状引脚可以在第2方向的正方向上具有台阶。第2板形状引脚可以具有与第1板形状引脚不同的形状。第2板形状引脚可以在第2方向的负方向上具有台阶。第2板形状引脚可以具有多个台阶。在本专利技术的第2方面，提供功率半导体装置。功率半导体装置可以具备上述的功率半导体模块和控制用基板。控制用基板可以具有与至少1个控制引脚对应设置的开口。控制用基板可以在开口与至少1个控制引脚接触。开口可以在俯视下为楕圆或者长圆。应予说明，上述
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部必要特征。另外，这些特征组的子组合也构成本专利技术。附图说明图1是第1实施方式的功率半导体装置200的分解立体图。图2A是表示在导向引脚40设置台阶的例子的图。图2B是表示在控制引脚20设置台阶的例子的图。图3是表示壳体10的上表面12的图。图4是说明控制引脚20的台阶22和突起60的顶端61的高度位置的图。图5A是具有1个台阶22的控制引脚20的立体图。图5B的(A)是控制引脚20和开口112的俯视图，图5B的(B)是A-A处的控制引脚20和开口112的截面图。图5C是具有2个以上的台阶22的控制引脚20的立体图。图5D是说明在高度方向具有台阶22的控制引脚20的图。图6是表示与多级台阶引脚25的不同的台阶22接触而设置控制用基板110的例子的图。图7是表示与台阶22位置不同的一级台阶引脚26的台阶22接触而设置控制用基板110的例子的图。图8是表示在突起70设置多个台阶72的例子的图。图9是第2实施方式的功率半导体模块100的立体图。图10是第3实施方式的功率半导体模块100的立体图。图11是仅在1个侧面具有台阶22的控制引脚20的立体图。图12是表示控制引脚20具有凸部29的例子的图。图13是表示台阶22的朝向在控制引脚20间不同的例子的图。符号说明10：壳体，12：上表面，13：间隙，14：侧面，16：第1边，17：中心线，18：第2边，20：控制引脚，21：顶端，22：台阶，23：顶端侧面，24：台阶引脚，25：多级台阶引脚，26：一级台阶引脚，27：直引脚，28：阶梯状引脚，29：凸部，30：主电流引脚，40：导向引脚，41：顶端，42：台阶，50：半导体芯片，60：突起，61：顶端，70：突起，71：顶端，72：台阶，100：功率半导体模块，110：控制用基板，112：开口，113：内表面，114：开口，115：开口，116：布线，118：焊料，200：功率半导体装置具体实施方式以下，通过专利技术的实施方式对本专利技术进行说明，但是以下的实施方式不限定权利要求所涉及的专利技术。另外，实施方式中说明的特征的全部组合不一定是专利技术的解决手段所必须的。图1是第1实施方式的功率半导体装置200的分解立体图。在图1中，X轴方向和Y本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，其特征在于，具备：容纳功率半导体芯片的壳体；以及从所述壳体的上表面向外部突出的至少1个控制引脚或者导向引脚，所述至少1个控制引脚或者导向引脚在高度方向上具有至少1个台阶，所述高度方向为从所述壳体的所述上表面朝向离所述壳体最远的顶端的方向。

【技术特征摘要】
2017.05.17 JP 2017-0985221.一种功率半导体模块，其特征在于，具备：容纳功率半导体芯片的壳体；以及从所述壳体的上表面向外部突出的至少1个控制引脚或者导向引脚，所述至少1个控制引脚或者导向引脚在高度方向上具有至少1个台阶，所述高度方向为从所述壳体的所述上表面朝向离所述壳体最远的顶端的方向。2.根据权利要求1记载的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块具备至少1个控制引脚，该至少1个控制引脚具有所述至少1个台阶。3.根据权利要求1或2记载的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块具备多个控制引脚，所述多个控制引脚分别在所述高度方向上具有至少1个台阶，所述壳体的所述上表面具有彼此对置的第1边和第2边，所述多个控制引脚沿所述壳体的所述上表面的所述第1边配置，所述壳体具有1个以上的突起，所述1个以上的突起设置在所述上表面的与所述第1边相比靠近所述第2边的区域并且由树脂构成。4.根据权利要求3记载的功率半导体模块，其特征在于，所述1个以上的突起的顶端的高度位置与所述控制引脚的所述至少1个台阶的高度位置相同。5.根据权利要求1～4中任意一项记载的功率半导体模块，其特征在于，所述控制引脚具有2个以上的台阶。6.根据权利要求1～5中任意一项记载的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块具备多个控制引脚，所述多个控制引脚分别在所述高度方向上具有至少1个台阶，所述多个控制引脚包括：在第1高度位置具有1个台阶的第1控制引脚；以及在与所述第1高度位置不同的第2高度位置具有1个台阶的第2控制引脚。7.根据权利要求6记载的功率半导体模块，其特征在于，所述第2高度位置低于所述第1高度位置，所述第2控制引脚为用于将所述功率半导体模块的内部的异常向外部通知的报警引脚。8.根据权利要求1～7中任意一项记载的功率半导体模块，其特征在于，所述壳体的所述上表面具有彼此对置的第1边和第2边，所述壳体具有1个以上的突起，所述1个以上的突起设置在所述上表面的与所述第1边相比靠近所述第2边的区域并且由树脂构成，所述1个以上的突起分别在所述高度方向上具有至少1个台阶。9.根据权利要求1～7中任意一项记载的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块具备多个控制引脚，所述多个控制引脚分别在所述高度方向上具有至少1个台阶，所述多个控制引脚包括多级台阶引脚和一级台阶引脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺岛健史，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP