半导体装置结构制造方法及图纸

本申请提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底、栅极堆叠以及互连结构位于栅极堆叠和半导体基底上方。半导体装置结构也包含电阻元件位于互连结构上方，且电阻元件位于栅极堆叠的正上方。半导体装置结构还包含导热元件位于互连结构上方，在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，第一虚线和第二虚线相交于主表面的中心，半导体装置结构包含介电层将导热元件与电阻元件隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的制程一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性。由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造制程持续变的更加难以实施。举例来说，在使用高直流电密度的应用中，特别是当集成电路具有小的部件尺寸时，电迁移(electromigration)的影响变得更加重要。因此，形成越来越小的尺寸的可靠的半导体装置是个挑战。
技术实现思路
在一些实施例中，提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底；栅极堆叠，位于半导体基底上方；互连结构，位于栅极堆叠和半导体基底上方；电阻元件，位于互连结构上方，其中电阻元件位于栅极堆叠的正上方；导热元件，位于互连结构上方，其中在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，且第一虚线和第二虚线相交于主表面的中心；以及介电层，将导热元件与电阻元件隔开。在一些其他实施例中，提供半导体装置结构，半导体装置结构包含半导体基底；互连结构位于半导体基底上方；电阻元件位于互连结构上方；导热元件位于互连结构上方，其中在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影覆盖主表面的中心；以及介电层位于导热元件与电阻元件之间。在一些其他实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在半导体基底上方形成互连结构；在互连结构上方形成电阻元件；在互连结构上方形成导热元件，其中在电阻元件的主表面上的导热元件的直接投影延伸跨过主表面的第一虚线的一部分和第二虚线的一部分，第一虚线垂直于第二虚线，且第一虚线与第二虚线相交于主表面的中心；以及在导热元件与电阻元件之间形成介电层。附图说明根据以下的详细说明并配合说明书附图可以更加理解本专利技术实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。图1为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图2A为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图2B为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图2C为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图2D为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图2E为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图2F为依据一些实施例的电阻元件的主表面的上视图，其中显示出导热元件的直接投影于此主表面上。图3为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图4为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图5为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图6为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图7为依据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。图8为依据一些实施例的半导体装置结构中的电阻元件的上视图。图9为依据一些实施例的形成半导体装置结构的方法的流程图。附图标记说明：100半导体基底102隔离部件104栅极堆叠106栅极介电层108栅极电极110间隔件112源极/漏极结构114、122、126、130、134、142、148介电层116、146互连结构118介电材料120、150导线124第二导热元件128、140、144导热元件128p、136p直接投影132电阻元件136、402a、402b、402c、404导通孔138导线202a、202b、202c、204、206a、206b、206c、206d、206e、206f、222a、222b部分302、304导热通孔520导电结构802电阻结构900方法902、904、906、908操作C中心d1第一方向d2第二方向E边缘I1第一虚线I2第二虚线I1’、I2’虚线L1、L2、L1’、L3长度V1、V2垂直距离A1、A2、W1、W2、Wa、Wb宽度具体实施方式要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本专利技术。例如，以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。此外，公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(多)元件或(多)部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语。除了附图所示出的的方位之外，空间相关用语也涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。以下描述本专利技术的一些实施例。可提供额外的操作于这些实施例所述的阶段之前、这些实施例所述的阶段期间及/或这些实施例所述的阶段之后。在不同的实施例中，可取代或消除所述的一些阶段。可对半导体装置结构增加额外的部件。在不同的实施例中，可取代或消除以下所述的一些部件。虽然在一些实施例中以特定顺序实施操作，但是可以另一逻辑顺序实施这些操作。如图1所示，提供半导体基底100。在一些实施例中，半导体基底100为块状(bulk)半导体基底，例如半导体晶圆。举例来说，半导体基底100为硅晶圆。半导体基底100可包含硅或其他元素半导体材料(例如锗)。在一些其他实施例中，半导体基底100包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、一种或多种其他合适的化合物半导体或前述的组合。在一些实施例中，隔离部件102形成于半导体基底100中。使用隔离部件102定义及/或电性隔离形成于半导体基底100中及/或半导体基底100上方的各种装置元件。在一些实施例中，隔离部件102包含浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation，STI)部件、硅局部氧化(localoxidationofsilicon，LOCOS)部件、其他合适的隔离部件或前述的组合。在一些实施例中，隔离部件102由介电材料制成。介电材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、掺氟硅玻璃(fluoride-dopedsilicateglass，FSG)、低介电常数(low-K)介电材料、一种或多种其他合适的材料或前述的组合。依据一些实施例，如图1所示，栅极堆叠104形成于半导体基底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；一互连结构，位于该栅极堆叠和该半导体基底上方；一电阻元件，位于该互连结构上方，其中该电阻元件位于该栅极堆叠的正上方；一导热元件，位于该互连结构上方，其中在该电阻元件的一主表面上的该导热元件的一直接投影延伸跨过该主表面的一第一虚线的一部分和一第二虚线的一部分，该第一虚线垂直于该第二虚线，且该第一虚线和该第二虚线相交于该主表面的中心；以及一介电层，将该导热元件与该电阻元件隔开。

【技术特征摘要】
2017.05.19 US 15/599,6871.一种半导体装置结构，包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；一互连结构，位于该栅极堆叠和该半导体基底上方；一电阻元件，位于该互连结构上方，其中该电阻元件位于该栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万得，陈重辉，陈威志，陈启平，黄文社，林碧玲，刘胜峯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71