一种COF制备方法技术

本发明专利技术公开了一种COF制备方法，包括步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。如此，可以实现提升工艺精度、提高柔性度和弯折能力，适用范围大，成本低等技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种COF制备方法
本专利技术涉及芯片封装领域，特别涉及一种COF制备方法。
技术介绍
COF（ChipOnFilm）是指薄膜上芯片键合封装，其广泛地应用于显示器件领域。随着电子、通讯产业的迅猛发展，显示器的需求与日剧增，而相关产品都是以轻、薄、短、小为发展趋势的，这就要求必须有高密度、小体积、能自由安装的新一代封装技术来满足以上需求。COF技术正是在这样的背景下迅速发展壮大，成为LCD、PDP等平板显示器的驱动IC的一种主要封装形式，进而成为这些显示模组的重要组成部分。COF技术已经成为未来平板显示器的驱动IC封装的主流趋势之一。目前使用较多的COF主要通过TAPE过程工艺制备，然而这种材料工艺的精度较差，一般单面COFFilm最小Pitch25um，双面COFFilm最小Pitch35um，这样的精度越来越不能满足显示器件领域的发展需求。如何实现精密度更高，成本更低的COF制备成为本领域丞需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种新型COF制备方法，可以实现提升工艺精度、提高柔性度和弯折能力，适用范围大，成本低等技术效果。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：提供一种COF制备方法，所述方法包括以下步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。进一步地，所述步骤（c）包括：（c1）先沉积绝缘层；（c2）再在所述绝缘层上沉积金属层；并且，在执行所述步骤（e）之前还包括：按照预定要求次数重复步骤（c1）、（c2）、（d）。进一步地，所述柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC。进一步地，所述金属走线层使用钼锂钼和铜制程。进一步地，所述COF的精度为6.5~16umICpitch。进一步地，所述COF的线距为3um。进一步地，所述预定要求次数为1~7。本专利技术具有以下优点：本专利技术提供的COF制备方法，包括步骤（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。如此，可以实现：1）代替现有常用的软性印刷电路(flexibleprintedcircuitfilm)，可以提升工艺精度；2）使用新的柔性薄膜材料，可以达到柔性度更高、可弯折能力更佳的效果，避免了传统TAPE基材硬度大、加工难度大、良率低的技术问题；3）可以完成对现有IC的封装，例如直接使用目前的COGIC，而无需特制的IC，提升了共用性；不仅如此，COGIC可以比之前的COF上的IC封装做得更小，成本可以更低，精细度更高，可以做更密的走线，柔软度更好；4）可制备成透明工艺；5）提升TFT制程的有效利用率。附图说明图1为本专利技术提供的一种COF制备方法的流程图；图2为本专利技术另一实施例提供的COF制备方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。实施例一：图1示出了本专利技术提供的一种COF制备方法的流程图。本实施例为单层走线时的COF制备方法。具体地，所述COF制备方法包括以下步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。值得注意的是，本专利技术利用LCD/TFT曝光蚀刻工艺代替传统的TAPE工艺，使得最终线路的精密度更高，柔软度更好，并且提高了LCD/TFT制程的有效利用率，降低了生产成本。其中，所述临时基板可以为玻璃基板，也可以使用补强板。或者，在步骤（f）后，还包括在所述柔性薄膜的与所述临时基板分离的表面上粘贴补强板，所述补强板既可以增加COF封装产品的强度，使得COF封装产品不易损坏，又不妨碍COF封装产品的弯曲能力。其中，所述柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC。通过在众多常用的柔性材料中选择试验，使用上述三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定，即，PI、PET、TAC三种材料与新工艺方法的匹配度更好，更适宜利用本申请提供的方法制备薄膜上芯片键合封装结构。其中，所述金属走线层使用钼锂钼和铜制程。所述钼锂钼和铜制程具有电阻率低，导电性好等优点。利用本申请提供的方法制备，COF的精度可达到6.5~16umICpitch；COF的线距可达到3um。与现有技术相比，现有的TAPE工艺精度只能是30um以上，还不能做更精细的，而且成本较高。实施例二：图2示出了本专利技术另一实施例提供的COF制备方法的流程图。本实施例为多层走线时的COF制备方法。具体地，所述COF制备方法包括以下步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c1）先沉积绝缘层；（c2）再在所述绝缘层上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；按照预定要求次数重复上述步骤（c1）、（c2）、（d）；（e）将芯片键合在金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。值得注意的是，本专利技术中的LCD/TFT曝光工艺是指LCD液晶显示面板制作过程中的TFT阵列基板上的TFT开关的制作工艺。本专利技术利用LCD/TFT曝光蚀刻工艺代替传统的TAPE工艺，使得最终线路的精密度更高，柔软度更好，并且提高了LCD/TFT制程的有效利用率，降低了生产成本。其中，所述临时基板可以为玻璃基板，也可以使用补强板。或者，在步骤（f）后，还包括在所述柔性薄膜的与所述临时基板分离的表面上粘贴补强板，所述补强板既可以增加COF封装产品的强度，使得COF封装产品不易损坏，又不妨碍COF封装产品的弯曲能力。其中，所述柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC。通过在众多常用的柔性材料中选择试验，使用上述三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定，即，PI、PET、TAC三种材料与新工艺方法的匹配度更好，更适宜利用本申请提供的方法制备薄膜上芯片键合封装结构。其中，所述金属走线层使用钼锂钼和铜制程。所述钼锂钼和铜制程具有电阻率低，导电性好等优点。利用本申请提供的方法制备，COF的精度可达到6.5~16umICpitch；COF的线距可达到3um。与现有技术相比，现有的TAPE工艺精度只能是30um以上，还不能做更精细的，而且成本较高。所述预定要求次数可以从1~7中任意选择，即走线层最多可以达到8层。而现有的工艺条件最多只做两层，本专利技术大大提高了配线的灵活性。最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术实施例的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解依然可以对本专利技术实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种COF制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。

【技术特征摘要】
1.一种COF制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。2.根据权利要求1所述的COF制备方法，其特征在于，所述步骤（c）包括：（c1）先沉积绝缘层；（c2）再在所述绝缘层上沉积金属层；并且，在执行所述步骤（e）之前还包括：按照...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖亿彬，吴振忠，刘秀霞，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44