一种片式电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种片式电阻器及其制造方法，该片式电阻器包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。本发明专利技术提供的片式电阻器具有电阻值低和TCR水平高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种片式电阻器及其制造方法
本专利技术涉及一种片式电阻器，尤其涉及一种具有低电阻值和低TCR的片式电阻器，及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着便携式电话、摄像机、平板电脑的发展，对小型电子装置的需求日益增长。这些小型电子装置的性能与运用在这些电子装置中的电子器件直接相关，尤其是与超低阻值的片式电阻器的性能直接相关。片式超低阻通常有厚膜超低阻、合金膜超低阻、纯合金超低阻三个主流种类，按阻值覆盖划分厚膜超低阻覆盖1000mΩ≥R≥10mΩ，合金膜超低阻覆盖500mΩ≥R≥1mΩ，纯合金超低阻覆盖200mΩ≥R≥0.5mΩ。按TCR性能从高到低排序纯合金超低阻≥合金膜超低阻＞厚膜超低阻。按功率性能从高到低排序纯合金超低阻＞合金膜超低阻＞厚膜超低阻。按成本从高到低排序纯合金超低阻＞合金膜超低阻＞厚膜超低阻。TCR值越低、性能越高，TCR值越高、性能越低。如图2所示，为现有常用的厚膜超低阻产品结构图，在基板100的下表面印刷一对背面银导电层601、602，在基板100上表面印刷一对正面银导电层201、202，然后烧成。在基板100表面印刷一层电阻层300，且与正面银导电层201、202搭接相连，然后烧成。在电阻层300上印刷第一绝缘保护层400，然后烧成。在第一绝缘保护层上印刷第二绝缘保护层500，然后烧成。这种采用的跨接式的厚膜片式电阻器的电阻结构，受制于电阻浆料电阻率，通常只能取得10mΩ的最低阻值。10～100mΩ由于电阻浆料中银含量的大幅增加，TCR值水平急剧升高。本专利技术就是从解决上述问题出发，提供一种电阻值低至0.5mΩ且TCR水平低的厚膜片式电阻器。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的问题，提供一种片式电阻器及其制造方法，该片式电阻器最低阻值可以达到0.5mΩ且其TCR水平高。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种片式电阻器，包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接，两个第二正面电极之间留有空隙；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。进一步地，所述片式电阻器还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖第一保护层以及部分第二正面电极。进一步地，所述电阻层的厚度为10～50um。进一步地，所述第一正面电极、第二正面电极的材质为银钯合金，所述银钯合金中钯的重量百分百为0.1～30％。本专利技术还提供一种片式电阻器的制备方法，包括：在绝缘基板正面两端，采用厚膜印刷方式涂布银导体浆料，烧成得到一对第一正面电极的步骤；在绝缘基板正面及第一正面电极上，采用厚膜印刷方式涂布电阻浆料，烧成得到电阻层的步骤；在第一正面电极及电阻层上，采用厚膜印刷方式涂布银导体浆料，烧成得到一对第二正面电极的步骤；在第二正面电极上，采用厚膜印刷方式涂布玻璃浆料，烧成得到第一保护层的步骤。进一步地，其特征在于：所述方法还包括在第一保护层的垂直投影方向采用激光打孔、或闭合矩形、或闭合环形切割方式，将烧成的叠层结构贯穿去除或割离部分，实现阻值修调的步骤。进一步地，所述方法还包括在进行阻值修调后，在第一保护层及第二正面电极上，采用厚膜印刷方式涂布玻璃或环氧树脂浆料，烧成得到第二保护层的步骤。进一步地，所述第一正面电极的烧成温度为880～900℃。进一步地，所述电阻层的烧成温度为840～860℃。进一步地，所述第二正面电极的烧成温度为800～830℃。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：采用本专利技术提供的厚膜片式电阻器，其最低阻值可以达到0.5mΩ且其TCR水平高。附图说明图1为本专利技术片式电阻器的结构示意图；图2为现有技术的片式电阻器的结构示意图；图3为本专利技术片式电阻器的制造方法的流程图；图4为现有技术的片式电阻器的电阻有效结构图；图5为本专利技术片式电阻器的电阻有效结构图；图6为本专利技术片式电阻器电阻修调的示意图；图7到图14为本专利技术片式电阻器烧结过程的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。如图1所示，为本专利技术一种片式电阻器的一种实施例，该片式电阻器包括：绝缘基板10，绝缘基板10可以为长方体，其可以用陶瓷材料制成。第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极21和第一正面电极小电极22，第一正面大电极21和第一正面电极小电极22分别设置于绝缘基板10上表面两端且两者之间留有空隙，第一正面电极一大一小，分别设置在绝缘基板10上表面的两端，两个正面电极之间预设一定的间距，第一正面电极的材质可以为银钯合金，当为银钯合金材质时第一正面电极采用厚膜工艺印刷以880～900℃烧成，其中钯的重量百分比占0.1～30％，优选为0.5％。电阻层30，所述电阻层30覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙，如图1所示，电阻层30覆盖部分第一正面电极大电极21和第一正面电极小电极22且填充两个第一正面电极之间的空隙，但是电阻层30并不完全覆盖第一正面电极大电极21和第一正面电极小电极22，在两个第一正面电极靠近绝缘基板10的两端，并没有覆盖电阻层30，电阻层30的厚度为10～50μm，优选为20～25μm，电阻层30可以采用成本较低的中阻阻浆印刷达制成，电阻层30可以以840～860℃的温度烧成。第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极41和第二正面大电极42，第二正面小电极41与第一正面大电极21面连接，第二正面大电极42与第一正面电极小电极22以及电阻层30面连接，两个第二正面电极之间留有空隙，如图1所示，第二正面电极小电极41设置在第一正面电极大电极21上，与第一正面电极大电极21面连接，但第二正面电极小电极41与电阻层30以及第二正面电极大电极42不连接，之间留有空隙，第二正面电极大电极42设置在第一正面电极小电极22以及电阻层30上，其与第一正面电极小电极22面连接同时与电阻层30面连接,第二正面电极的材质可以为银钯合金，当为银钯合金材质时第二正面电极采用厚膜工艺印刷以800～830℃烧成，优选815℃，其中钯的重量百分比占0.1～30％，优选为0.5％。第一保护层50，所述第一保护层50覆盖部分第二正面电极大电极42且填充两个第二正面电极之间的空隙，如图1所示，第一保护层50覆盖在第二正面大电极上42且填充第二正面大电极42和第二正面小电极41之间的空隙，但第一保护层50并没有全部覆盖第二正面大电极42，而是留出第二正面大电极42靠近绝缘基板10端部的一部没有覆盖，第一保护层50的可以用玻璃浆料烧成。如图1所示，所述片式电阻器还包括第二保护层60，所述第二保护层60覆盖第一保护层50以及部分第二正面电极，第二保护层60可以用玻璃或环氧树脂浆料烧成。如图1所示，从第二保护层60中间位置的向下垂直投影方向方向，从上到下分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式电阻器，其特征在于，包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接，两个第二正面电极之间留有空隙；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。

【技术特征摘要】
1.一种片式电阻器，其特征在于，包括：绝缘基板；第一正面电极，所述第一正面电极包括第一正面电极大电极和第一正面电极小电极，第一正面大电极和第一正面电极小电极分别设置于绝缘基板上表面两端且两者之间留有空隙；电阻层，所述电阻层覆盖部分第一正面电极且填充两个第一正面电极之间的空隙；第二正面电极，所述第二正面电极包括第二正面小电极和第二正面大电极，所述第二正面小电极与第一正面大电极面连接，所述第二正面大电极与第一正面电极小电极以及电阻层面连接，两个第二正面电极之间留有空隙；第一保护层，所述第一保护层覆盖部分第二正面电极大电极且填充两个第二正面电极之间的空隙。2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于：所述片式电阻器还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖第一保护层以及部分第二正面电极。3.根据权利要求1或2所述的片式电阻器，其特征在于:所述电阻层的厚度为10～50um。4.根据权利要求1或2所述的片式电阻器，其特征在于：所述第一正面电极、第二正面电极的材质为银钯合金，所述银钯合金中钯的重量百分百为0.1～30％。5.一种片式电阻器的制备方法，其特征在于，包括：在绝缘基板正面两端，采用厚膜印刷方式涂布...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦俊，林瑞芬，练洁兰，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44