使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法和系统技术方案

技术编号:19697613 阅读:22 留言:0更新日期:2018-12-08 12:41
公开了一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。在实施例中,所述方法涉及分配以下操作:将计数器的低位字跨越所述非易失性存储器中的存储器阵列中的存储器单元存储在非易失性存储器中;和将所述计数器的另外位在所述非易失性存储器中存储在所述存储器阵列外部的存储器单元中,其中基于所述计数器的较高位来针对每一计数确定所述存储器阵列中存储所述低位字的部位。

【技术实现步骤摘要】
使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法和系统
本专利技术涉及一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。
技术介绍
电子装置中的非易失性、非递减计数器中存在许多应用。举例来说,出于安全性检查或为了避免计数器发生重算攻击,可使用此类计数器来对集成电路(IC)装置对打印盒上电的次数计数从而对打印次数计数,以作为对打印盒的防伪测量。随着增加在电子装置中使用例如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的非易失性存储器,在非易失性存储器中实施非易失性、非递减计数器变得合乎期望。使用非易失性存储器来实施计数器的一种解决方案是实施将值存储在存储器单元中的二进制计数器。然而,在执行了数个编程周期之后,某些类型的非易失性存储器中的存储器单元可能会损耗并变得不可靠。在非常庞大的计数的情形中,可以在存储器单元损耗并变得不可靠之前执行的编程周期数目可以是限制因素。通常,将针对每一计数对存储最低有效位的存储器单元编程或擦除存储最低有效位的存储器单元,这将导致存储最低有效位的存储器单元比非易失性存储器中的其它存储器单元更早地损耗或变得不可靠。因此,相较于可以对供存储最低有效位否则可能使计数损毁的存储器单元执行的编程周期的数目,使用存储器单元可能会损耗并变得不可靠的一种类型的非易失性存储器的计数器通常不可以计数得更高。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例,公开一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。在实施例中,所述方法涉及分配以下操作:将计数器的低位字跨越所述非易失性存储器中的存储器阵列中的存储器单元存储在非易失性存储器中;和将所述计数器的另外位在所述非易失性存储器中存储在所述存储器阵列外部的存储器单元中,其中基于所述计数器的较高位来针对每一计数确定所述存储器阵列中存储所述低位字的部位。在第二实施例中,一种将所述计数器的所述低位字存储在非易失性存储器中的操作涉及:当将位设置成1时,对所述存储器阵列中的存储器单元编程;和当将被设置成1的位设置成0时,擦除所述存储器阵列中的存储器单元。在另一实施例中,所述存储器阵列包括数目至少等于所述低位字中的位的数目的存储器页面。在另一实施例中,在执行将所述计数器的所述低位字存储在非易失性存储器中的操作之前,所述方法涉及:从所述存储器阵列外部的存储器页面读取所述计数器的所述另外位;根据所述另外位确定X偏移和Y偏移;和从等于所述Y偏移的存储器单元位置处的存储器单元开始从所述存储器阵列读取所述低位字,所述存储器单元在索引等于所述X偏移的所述存储器阵列内的存储器页面上。在另一实施例中,所述方法进一步涉及:从至少一个冗余存储器页面读取所述计数器的所述另外位;从等于Y偏移的存储器单元位置处的存储器单元开始读取所述低位字,所述存储器单元在页面索引等于所述X偏移的冗余存储器阵列中的存储器页面上;比较从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位与从所述至少一个存储器页面读取的位;以下操作中的至少一个:在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的二进制值高于从所述至少一个存储器页面读取的位的二进制值的情况下,将从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个存储器页面;和在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的所述二进制值低于从所述至少一个存储器页面读取的所述位的所述二进制值的情况下,将从所述至少一个存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个冗余存储器页面;比较从所述冗余存储器阵列读取的低位字与从所述存储器阵列读取的所述低位字;以及以下操作中的至少一个:在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的二进制值高于从所述存储器阵列读取的所述低位字的二进制值的情况下,将从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字写入到所述存储器阵列;和在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的二进制值低于从所述存储器阵列读取的所述低位字的二进制值的情况下,将从所述存储器阵列读取的所述低位字写入到所述冗余存储器阵列。在另一实施例中,公开一种非易失性存储器。在实施例中,非易失性存储器涉及:存储器控制器;电耦接到存储器控制器的至少一个存储器页面;以及电耦接到存储器控制器的存储器阵列,其中存储器控制器被配置成通过将数据的低位字存储在存储器阵列中以及通过将数据的另外字节存储在所述至少一个存储器页面中,管理数据到非易失性存储器的流动,且其中将所述低位字存储在基于所述另外字节确定的所述存储器阵列中的部位处。在另一实施例中,所述存储器控制器被进一步配置成:读取所述至少一个存储器页面的所述另外字节;根据所述另外字节确定X偏移和Y偏移;以及从等于所述Y偏移的存储器单元位置处的位开始从所述存储器阵列读取所述低位字,所述存储器单元在索引等于所述X偏移的页面上。在另一实施例中,所述存储器控制器被进一步配置成:读取至少一个冗余存储器页面的字节;从等于Y偏移的存储器单元位置处开始读取所述低位字,所述存储器单元在页面索引等于所述X偏移的冗余存储器阵列中的存储器页面上;比较从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述字节与从所述至少一个存储器页面读取的字节;以下操作中的至少一个:在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的二进制值高于从所述至少一个存储器页面读取的位的二进制值的情况下,将从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个存储器页面;和在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的所述二进制值低于从所述至少一个存储器页面读取的所述位的所述二进制值的情况下,将从所述至少一个存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个冗余存储器页面;比较从所述冗余存储器阵列读取的低位字与从所述存储器阵列读取的所述低位字;以及以下操作中的至少一个:在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的二进制值高于从所述存储器阵列读取的所述低位字的二进制值的情况下,将从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字写入到所述存储器阵列;和在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的所述二进制值低于从所述存储器阵列读取的所述低位字的所述二进制值的情况下,将从所述存储器阵列读取的所述低位字写入到所述冗余存储器阵列。在另一实施例中,公开一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。在实施例中,所述方法涉及通过以下操作将多位计数器的低位字存储到由至少一个字节和非易失性存储器中的多个存储器页面形成的存储器阵列:确定具有初始值的X偏移并确定具有初始值的Y偏移;将所述低位字存储在存储器单元位置处的存储器单元中以对应于页面索引等于所述X偏移的页面的存储器页面开始,所述存储器单元位置等于所述多个存储器页面中的存储器页面上的所述Y偏移;在对所述存储器单元位置处的所述存储器单元的第一数目次更新等于所述Y偏移之后,使所述X偏移递增;当使所述X偏移递增到大于所述多个存储器页面中的存储器页面的数目的值时,将所述X偏移重置成所述初始值并使所述Y偏移递增;和反复地使所述X偏移递增并重置所述X偏移,同时使所述Y偏移递增,直到所述Y偏移等于所述多个存储器页面中的存储器页面内的最高存储器单元位置且所述X偏移等于所述多个存储器页面中的存储器页面的所述数目为止;以及将所述多位计数器的另外位存储到所述非易失性存储器中的至少一个存储器页面。在另一实施例中,存储所述低位字中的位和所述另外位中的位中的至少一个涉及:对位编程以从0转变成1;和擦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法,其特征在于,所述方法包括:分配将计数器的低位字跨越所述非易失性存储器中的存储器阵列中的存储器单元存储在非易失性存储器中的操作;以及将所述计数器中的另外位在所述非易失性存储器中存储在所述存储器阵列外部的存储器单元中;其中基于所述计数器的所述另外位来针对每一计数确定所述存储器阵列中存储所述低位字的部位。

【技术特征摘要】
2017.05.18 US 15/599,2371.一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法,其特征在于,所述方法包括:分配将计数器的低位字跨越所述非易失性存储器中的存储器阵列中的存储器单元存储在非易失性存储器中的操作;以及将所述计数器中的另外位在所述非易失性存储器中存储在所述存储器阵列外部的存储器单元中;其中基于所述计数器的所述另外位来针对每一计数确定所述存储器阵列中存储所述低位字的部位。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述计数器的所述低位字存储在非易失性存储器中的操作包括:当将位设置成1时,对所述存储器阵列中的存储器单元编程;以及当将被设置成1的位设置成0时,擦除所述存储器阵列中的存储器单元。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储器阵列包括数目至少等于所述低位字中的位的数目的存储器页面。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在执行将所述计数器的所述低位字存储在非易失性存储器中的操作之前,所述方法包括:从所述存储器阵列外部的存储器页面读取所述计数器的所述另外位;根据所述另外位确定X偏移和Y偏移;以及从等于所述Y偏移的存储器单元位置处的所述存储器单元开始从所述存储器阵列读取所述低位字,所述存储器单元在索引等于所述X偏移的所述存储器阵列内的存储器页面上。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:从至少一个冗余存储器页面读取所述计数器的所述另外位;从等于所述Y偏移的存储器单元位置处的所述存储器单元开始读取所述低位字,所述存储器单元在页面索引等于所述X偏移的冗余存储器阵列中的存储器页面上;比较从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位与从所述至少一个存储器页面读取的所述位;以下操作中的至少一个:在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的二进制值高于从所述至少一个存储器页面读取的位的二进制值的情况下,将从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个存储器页面;和在从所述至少一个冗余存储器页面读取的所述位的所述二进制值低于从所述至少一个存储器页面读取的所述位的所述二进制值的情况下,将从所述至少一个存储器页面读取的所述位写入到所述至少一个冗余存储器页面;比较从所述冗余存储器阵列读取的低位字与从所述存储器阵列读取的所述低位字;以及以下操作中的至少一个:在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的二进制值高于从所述存储器阵列读取的所述低位字的二进制值的情况下,将从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字写入到所述存储器阵列;和在从所述冗余存储器阵列读取的所述低位字的二进制值低于从所述存储器阵列读取的所述低位字的二进制值的情况下,将从所述存储器阵列读取的所述低位字写入到所述冗余存储器阵列。6.一种非易失性存储器,其特征在于,包括:存储器控制器;至少一个存储器页面,其电耦接到所述存储器控制器;以及存储器阵列,其电耦接到所述存储器控制器;其中所述存储器控制器被配置成通过将数据的低位字存储在所述存储器阵列中以及通过将所述数据的另外字节存储在所述至少一个存储器页面中,管理数据到所述非易失性存储器的流动;且其中将所述低位字存储在基于所述另外字节确定的所述存储器阵列中的部位处。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:亚当·杰里姆·怀特
申请(专利权)人:恩智浦有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰,NL

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