存储器操作方法及存储器操作装置制造方法及图纸

一种存储器操作方法及存储器操作装置。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。

【技术实现步骤摘要】
存储器操作方法及存储器操作装置
本专利技术涉及一种操作方法及操作装置，且特别是涉及一种存储器操作方法及存储器操作装置。
技术介绍
随着存储器技术的发展，各种存储器不断推陈出新。可变电阻式存储器(ResistiveRandom-AccessMemory，ReRAM)及相变化存储器(Phase-ChangeMemory，PCM)为非易失性存储器(non-volatilerandom-accessmemories)。可变电阻式存储器的运作通过改变介电固态材质的电阻来操作。相变化存储器的运作则是通过改变相位(phase)的方式来操作。在可变电阻式存储器及相变化存储器中，存储单元需要良好的写入控制能力来避免过度写入(over-writing)的问题。然而，若采用过多的操作步骤，将会影响到操作速度。
技术实现思路
本专利技术有关于一种存储器操作方法及存储器操作装置，其利用执行一第一步进循环(firststeppingloop)及一第二步进循环(secondsteppingloop)的方式，使得操作速度得以加快。根据本专利技术的一方面，提出一种存储器操作方法。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。根据本专利技术的另一方面，提出一种存储器操作装置。存储器操作装置包括一第一控制器、一第二控制器及一处理器。第一控制器用以控制施加于一第一控制线的一第一控制电压。第二控制器用以控制施加于第二控制线的一第二控制电压。处理器用以执行一第一步进循环(firststeppingloop)及一第二步进循环(secondsteppingloop)。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于该第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。为了对本专利技术上述及其他方面有更佳的了解，下文特列举实施例，并配合所附图式详细说明如下：附图说明图1绘示存储器操作装置的示意图。图2A～2B绘示根据一实施例的存储器操作方法的流程图。图3为总枪数的分布图。图4为根据本实施例的阻抗分布图。图5A～5B绘示根据另一实施例的存储器操作方法的流程图。【符号说明】100：存储器操作装置110：第一控制器120：第二控制器130：处理器200：存储器C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7：曲线CL1：第一控制线CL2：第二控制线CV1：第一控制电压CV2：第二控制电压S211、S212、S221、S222、S223、S224、S225、S231、S232、S233、S234、S235、S531：步骤SL21、SL51：第一步进循环SL22、SL52：第二步进循环W1：窗口具体实施方式请参照图1，其绘示存储器操作装置100的示意图。存储器操作装置100用以操作一存储器200。存储器操作装置100例如是一计算机、一处理设备、一电路板、一电路、一芯片或储存数组程序代码的储存装置。存储器200例如是一可变电阻式存储器(ResistiveRandom-AccessMemory，ReRAM)及相变化存储器(Phase-ChangeMemory，PCM)。存储器200包括数条第一控制线CL1及数条第二控制线CL2。在一实施例中，各个第一控制线CL1可以是一位线(bitline)或一源极线(sourceline)，且各个第二控制线CL2可以是一字线。在另一实施例中，各个第一控制线CL1可以是一字线，且各个第二控制线CL2可以是一位线或一源极线。存储器操作装置100包括一第一控制器110、一第二控制器120及一处理器130。第一控制器110用以控制第一控制线CL1，第二控制器120用以控制第二控制线CL2。请参照图2A～2B，其绘示根据一实施例的存储器操作方法的流程图。存储器操作方法用以执行FORM、SET或RESET等操作程序。对这些操作程序而言，必须改善操作速度，以符合各种应用。在此实施例中，操作方法包括两个步进循环，例如是一第一步进循环(firststeppingloop)SL21及一第二步进循环(secondsteppingloop)SL22。在第一步进循环SL21中，施加于第一控制线CL1的第一控制电压CV1逐渐增加，施加于第二控制线CL2的第二控制电压CV2则被固定。在第二步进循环SL22中，施加于第一控制线CL1的第一控制电压CV1被固定，施加于第二控制线CL2的第二控制电压CV2则被逐渐增加。第二步进循环SL22执行于第一步进循环SL21之后。当第一步进循环SL21完成时，流程进入第二步进循环SL22，而不会回头执行第一步进循环SL21。就由执行第一步进循环SL21及第二步进循环SL22，操作速度得以有效改善。更详细来说，存储器操作方法包括以下步骤。在步骤S211中，处理器130加载存储器200的相关信息，以定义出第一控制电压CV1的一第一起始值。在步骤S212中，处理器130加载存储器200的相关信息，以定义出第二控制电压CV2的一第二起始值。第一起始值为写入(形成)电流能够通过存储器200的第一控制线CL1，而不会造成过度写入(over-writing)的适当值。通常，第一起始值接近于但小于存储器200的动态阻值图的转折点(switchpoint)。举例来说，第一起始值例如是2V。同样地，第二起始值为写入(形成)电流能够通过存储器200的第二控制线CL2，而不会造成过度写入(over-writing)的适当值。通常，第二起始值接近于但小于存储器200的动态阻值图的转折点。举例来说，第二起始值例如是2V。请参照表1，在第一步进循环SL21及第二步进循环SL22中，第一控制电压CV1及第二控制电压CV2根据表1进行设定。表1接着，在步骤S221中，第一控制器110设定第一控制电压CV1且第二控制器120设定第二控制电压CV2。在步骤S222中，根据第一控制电压CV1及第二控制电压CV2对存储器200进行FORM、SET、RESET等操作程序。接着，在步骤S223中，处理器130判断FORM、RESET、SET等操作程序是否已完成。若FORM、SET、RESET等操作程序已完成，则结束本流程；若FORM、SET、RESET等操作程序未完成，则进入步骤S224。在步骤S224中，处理器130判断第一控制电压CV1是否已达到第一最终值。举例来说，第一最终值可以是5V。若第一控制电压CV1达到第一最终值，则进入步骤S231；若第一控制电压CV1尚未达到第一最终值，则进入步骤S225。在步骤S225中，第一控制电压CV1被增加一预定值(例如是1V)。接着，流程回至步骤S221及步骤S222，以再次执行存储器200本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器操作方法，包括：执行一第一步进循环，其中在该第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，该第一最终值高于该第一起始值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值；以及执行一第二步进循环，其中在该第二步进循环，施加于该第一控制线的该第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的该第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值，该第二最终值高于该第二起始值。

【技术特征摘要】
1.一种存储器操作方法，包括：执行一第一步进循环，其中在该第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，该第一最终值高于该第一起始值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值；以及执行一第二步进循环，其中在该第二步进循环，施加于该第一控制线的该第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的该第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值，该第二最终值高于该第二起始值。2.如权利要求1所述的存储器操作方法，其中该中介值高于该第二起始值。3.如权利要求1所述的存储器操作方法，其中该固定值等于该第一最终值或低于该第一最终值。4.如权利要求3所述的存储器操作方法，其中该固定值与该第一最终值的一比率高于0.8。5.如权利要求1所述的存储器操作方法，其中该第二步进循环执行于该第一步进循环之后。6.一种存储器操作装置，包括：一第一控制器，用以控制施加于一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林榆瑄，吴昭谊，李岱萤，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71