【技术实现步骤摘要】
显示装置及其像素电路和驱动方法
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种显示装置及其像素电路和驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示因具有高亮度、高发光效率、宽视角和低功耗等优点,近年来被人们广泛研究,并迅速应用到新一代的显示器件当中。OLED显示的驱动方式可以为无源矩阵驱动(PassiveMatrixOLED,PMOLED)和有源矩阵驱动(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两种。无源矩阵驱动虽然成本低廉,但是存在交叉串扰现象不能实现高分辨率的显示,且无源矩阵驱动电流大,降低了OLED的使用寿命。相比之下,有源矩阵驱动方式在每个像素上设置数目不同的晶体管作为电流源,避免了交叉串扰,所需的驱动电流较小,功耗较低,使OLED的寿命增加,可以实现高分辨的显示,同时,有源矩阵驱动更容易满足大面积和高灰度级显示的需要。AMOLED显示阵列是由简单的两薄膜晶体管(Thinfilmtransistor,TFT)及有机发光元件的像素构成,这种电路虽然结构简单,但是不能补偿驱动晶体管T1和OLED阈值电压漂移或因TFT器件采用多晶材料制成而导致面板各处TFT器件的阈值电压不均匀性。当驱动晶体管T1阈值电压、OLED阈值电压发生漂移或在面板上各处的值不一致时,驱动电流IDS就会改变,并且面板上不同的像素因偏置电压的不同漂移情况也不一样,这样就会造成面板显示的不均匀性。低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)TFT是迄今为止使得AMOLED实现大规模商业化应用的 ...
【技术保护点】
1.一种像素电路,其特征在于,包括驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第二电容和发光器件;其中:所述驱动晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接,用于驱动发光器件发光;所述驱动晶体管的控制极与第五晶体管的第二极连接;所述第二晶体管的第一极与第四晶体管的第一极连接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极连接;所述第二晶体管的控制极连接到所述像素电路的下一行的扫描线,或者连接到所述像素电路所在行的控制线;所述第三晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的发光控制信号线,所述第三晶体管的第二电极与所述发光器件的阳极连接,所述发光器件的阴极接地;所述第四晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线;所述第五晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线;所述第二电容连接在驱动晶体管的控制极与第二晶体管的第一极之间,用于当所述第二晶体管导通时提取所述驱动晶体管的老化信息;其中:所述驱动晶体管的第一极连接到电源线,所述第四晶体管的第二极连接到所述像素电路所在列的数据线,所述第五晶体管的第一极连接到参考电压线;或,所述驱动晶体管的第一极连接到电源线,所述第四晶体管的 ...
【技术特征摘要】
1.一种像素电路,其特征在于,包括驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第二电容和发光器件;其中:所述驱动晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接,用于驱动发光器件发光;所述驱动晶体管的控制极与第五晶体管的第二极连接;所述第二晶体管的第一极与第四晶体管的第一极连接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极连接;所述第二晶体管的控制极连接到所述像素电路的下一行的扫描线,或者连接到所述像素电路所在行的控制线;所述第三晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的发光控制信号线,所述第三晶体管的第二电极与所述发光器件的阳极连接,所述发光器件的阴极接地;所述第四晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线;所述第五晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线;所述第二电容连接在驱动晶体管的控制极与第二晶体管的第一极之间,用于当所述第二晶体管导通时提取所述驱动晶体管的老化信息;其中:所述驱动晶体管的第一极连接到电源线,所述第四晶体管的第二极连接到所述像素电路所在列的数据线,所述第五晶体管的第一极连接到参考电压线;或,所述驱动晶体管的第一极连接到电源线,所述第四晶体管的第二极接地,所述第五晶体管的第一极连接到所述像素电路所在列的数据线;或,所述驱动晶体管的第一极连接到所述像素电路所在行的扫描线,所述第四晶体管的第二极连接到所述像素电路所在列的数据线,所述第五晶体管的第一极连接到参考电压线。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第六晶体管,其控制极连接到所述像素电路所在行的发光控制信号线,所述第六晶体管的第一极和第二电极分别连接在所述第二电容的两端,用于控制所述第二电容的短接状态。3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,还包括:第一电容,用于向驱动晶体管控制端提供与发光器件的发光亮度相对应的驱动电压。4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第一电容的一端连接到所述电源线,另一端与所述第二晶体管的第一极连接。5.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第一电容的一端连接到所述参考电压线,另一端与所述第二晶体管的第一极连接。6.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述老化信息包括阈值电压信息和/或迁移率信息。7.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路包括编程阶段、补偿阶段和发光阶段;其中:当所述像素电路处于编程阶段时,所述像素电路所在行的扫描线是低电位,所述像素电路的下一行扫描线是高电位,所述像素电路所在行的发光控制信号线是高电位;所述像素电路工作在补偿阶段时,所述像素电路所在行的扫描线是高电位,所述像素电路的下一行扫描线是低电位,所述像素电路所在行的发光控制信号线是高电位;所述像素电路工作在发光阶段时,所述像素电路所在行的扫描线是高电位,所述像素电路的下一行扫描线是高电位,所述像素电路所在行的发光控制信号线是低电位;或者,当所述像素电路处于编程阶...
【专利技术属性】
技术研发人员:张盛东,吴继祥,廖聪维,王莹,霍新新,易水平,谢锐彬,
申请(专利权)人:北京大学深圳研究生院,
类型:发明
国别省市:广东,44
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