液晶显示装置制造方法及图纸

一种液晶显示装置包括：第一基板；在第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，第一电极具有板形状、接触薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于第一电极上的钝化层；和位于钝化层上的第二电极，其中第二电极具有对应于第一电极的开口。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0061552的权益，在此通过引用将该专利申请的全部内容并入本申请中。
本专利技术涉及一种液晶显示装置，更具体地，涉及一种能够有效提高响应速度和透射率的液晶显示装置。
技术介绍
一般来说，通过使用液晶的光学各向异性和偏振特性驱动液晶显示装置(LCD)。由于液晶具有细长结构，所以液晶分子具有取向方向。可通过人为地向液晶施加电场来控制液晶分子的取向方向。因此，当任意调整液晶分子的取向方向时，液晶分子的取向可发生变化。因此，由于光学各向异性，光可在液晶分子的取向方向上折射，从而显示图像信息。当前，由于高分辨率和显示运动图像的出色表现，有源矩阵LCD(下文中简称为LCD)(其中薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的像素电极以矩阵形式布置)正引起更多关注。LCD包括其上形成公共电极的滤色器基板、其上形成像素电极的阵列基板、以及夹在这两个基板之间的液晶。由于通过公共电极与像素电极之间感生的电场驱动液晶，所以LCD具有出色的特性，比如高透射率和开口率。此外，近来，已开发了面内切换(IPS)模式LCD，其中电极交替设置在上基板和下基板中的一个基板上并且液晶设置在上基板和下基板之间以显示图像。通常，IPS模式LCD通过使用电场调整具有介电各向异性(Δε)的液晶的光透射率来显示图像。主要通过贴附其上形成有滤色器的滤色器基板和其上形成有薄膜晶体管的阵列基板并且在它们之间插入液晶来形成IPS模式LCD。在此，阵列基板包括形成在每个像素区域中的薄膜晶体管、像素电极和公共电极，每个像素区域通过栅极线和数据线的交叉而限定在阵列基板上。薄膜晶体管响应于来自栅极线的栅极信号将来自数据线的数据信号提供至像素电极。像素电极从薄膜晶体管接收数据信号，以使得液晶被驱动，并且公共电极接收当液晶被驱动时作为基准的公共电压。液晶根据通过像素电极的数据信号和公共电极的公共电压产生的电场进行旋转，使得光透射率被调整，以实现灰度级。近来，已提出了比IPS模式LCD具有更佳视角特性的边缘场切换(FFS)模式LCD。图1是显示相关技术的FFS模式LCD的示意图。如图1中所示，FFS模式LCD10包括在一个方向上具有线形状的栅极线43、以及具有与栅极线43交叉的线形状以限定像素区域P的数据线51。此外，开关元件，即，薄膜晶体管Tr形成在像素区域P中。薄膜晶体管Tr连接至数据线51和栅极线43并且包括栅极电极(未示出)、栅极绝缘层(未示出)、半导体层(未示出)、源极电极55和漏极电极58。板形公共电极60和与板形公共电极60交叠的像素电极70形成在像素区域P中。像素电极70具有多个条形开口op。在这种情形中，板形公共电极60形成在显示区域的整个表面上，但板形公共电极60的与一个像素区域P对应的部分由虚线表示。具有这种构造的FFS模式LCD10通过向板形公共电极60和在每个像素区域P中具有多个条形开口的像素电极70施加电压产生边缘场。同时，近来，为了提高显示器的实用性，已积极研究了LCD的高响应速度。在此，响应速度(下文中，称为GTG(greytogrey))表示从浅灰色到深灰色所花费的时间。就是说，响应速度是通过测量亮度从10％变到90％的时间而获得的值。例如，在虚拟现实(VR)装置的情形中，由于在眼睛靠近屏幕的情况下观看图像，所以LCD的高响应速度变得非常重要。然而，由于FFS模式LCD10使用流体(即液晶)的电光效应，所以由于液晶的行为，响应速度受到限制。因此，导致由于闪烁而引起的残像。在相关技术的FFS模式LCD10的情形中，视角特性得到改善，但响应速度的提高存在限制。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的液晶显示装置。本专利技术的目的是提供一种能够同时有效实现高响应速度和提高透射率的液晶显示装置。在下面的描述中将阐述本专利技术的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的，或者可通过本专利技术的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本专利技术的这些目的和其他优点。为了实现所述目的，本专利技术提供了一种液晶显示装置，包括：第一基板；在所述第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极具有板形状、接触所述薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于所述第一电极上的钝化层；和位于所述钝化层上的第二电极，其中所述第二电极具有对应于所述第一电极的开口。应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明被包括用来提供对本专利技术的进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的实施方式的原理。图1是显示相关技术的边缘场切换(FFS)模式液晶显示装置(LCD)的示意图。图2是显示根据本专利技术第一实施方式的LCD的构造的示意图。图3是显示根据本专利技术第一实施方式的阵列基板的一部分的平面图。图4是显示根据本专利技术第二实施方式的LCD的构造的示意图。图5是显示根据本专利技术第二实施方式的阵列基板的一部分的平面图。图6A是显示根据本专利技术第二实施方式的阵列基板的一个像素区域的平面图。图6B是显示根据本专利技术第二实施方式的LCD的液晶分子的初始取向状态的示意图。图6C是显示根据本专利技术第二实施方式的液晶分子的运动的示意性图像。图7A和7B是显示根据本专利技术第二实施方式的LCD的变型例的示意图。图8A是显示根据本专利技术第二实施方式的LCD的透射率变化与相关技术的LCD的透射率变化之间的对比的图表。图8B是显示根据本专利技术第二实施方式的LCD的响应速度与相关技术的LCD的响应速度之间的对比的图表。具体实施方式下文中，将参照附图描述根据本专利技术示例性实施方式的LCD。[第一实施方式]图2是显示根据本专利技术第一实施方式的液晶显示装置(LCD)的构造的示意图。如图2中所示，半导体层115可形成在第一基板110上的每个像素区域P中的、形成有薄膜晶体管Tr的元件区域TrA中。栅极绝缘层118可形成在半导体层115和第一基板110的整个表面上。栅极电极112可形成在栅极绝缘层118上从而与半导体层115的中央部分115a对应。此外，具有半导体接触孔125的层间绝缘膜123可形成在栅极电极112和第一基板110的整个表面上。半导体接触孔125分别暴露半导体层115中的暴露到栅极电极112外部的高掺杂的源极区域115b和漏极区域115c。在前面的描述中，作为示例描述了具有共面结构的薄膜晶体管Tr，但本专利技术不限于此。例如，可使用具有底栅结构的薄膜晶体管。源极电极155和漏极电极158可形成在层间绝缘膜123上，从而分别通过半导体接触孔125与源极区域115b和漏极区域115c接触并且彼此分隔开。第一钝化层150和第二钝化层180可形成在源极电极155和漏极电极158上，第一钝化层150和第二钝化层180具有配置成暴露漏极电极158的漏极接触孔153。在此，公共电极160可设置在第一钝化层150与第二钝化层180之间，并且像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，包括：第一基板；在所述第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极具有板形状、接触所述薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于所述第一电极上的钝化层；和位于所述钝化层上的第二电极，其中所述第二电极具有对应于所述第一电极的开口。

【技术特征摘要】
2017.05.18 KR 10-2017-00615521.一种液晶显示装置，包括：第一基板；在所述第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极具有板形状、接触所述薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于所述第一电极上的钝化层；和位于所述钝化层上的第二电极，其中所述第二电极具有对应于所述第一电极的开口。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述开口具有梯形形状。3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述梯形形状具有短边、平行于所述短边的长边、以及连接所述短边和所述长边的第一边和第二边，并且所述短边的长度是所述第一电极的宽度的0.15倍到0.3倍。4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述长边...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晙豪，尹湘淳，赵秀仁，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR