The present invention provides a thin film transistor and its fabrication method. The fabrication method includes: forming a gate, a gate insulating layer, a source and a drain in turn on the substrate; forming a flat layer on the source, the drain and the gate insulating layer, and patterning the flat layer to form the first part and the second part. The first part is between the source and the drain, the second part is on the side of the source and the third part is on the side of the drain, and the upper surfaces of the first part, the second part and the third part are all on the top of the source and the drain. An active layer is formed on the flat layer, the source pole and the drain pole, the active layer is used to form a channel, and a passivation layer is formed on the channel, the second part and the third part. The thin film transistor and its fabrication method can improve the performance of the thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
现有的薄膜晶体管的结构包括基板、第一金属层(形成栅极)、绝缘层、有源层、第二金属层(形成源漏极)等。也即现有的薄膜晶体管,在制备完有源层后才进行第二金属层的沉积。有源层的材料通常为石墨烯、碳纳米管、碳化硅、二硫化钼、有机化合物等在内的新型半导体材料。但是由于第二金属层的沉积过程通常是采用物理气相沉积工艺,而物理气相沉积工艺会对具有新型半导体材料造成损伤,且由于新型半导体材料对金属及玻璃基板的粘附力有限,因而在制备上述新型半导体材料的晶体管时,降低了薄膜晶体管的性能。因此,有必要提供一种薄膜晶体管及其制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法,能够提高薄膜晶体管的性能。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种薄膜晶体管的制作方法,其包括:在基板上形成第一导电层,对所述第一导电层进行图案化处理形成栅极;在所述栅极和所述基板上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成第二导电层,对所述第二导电层进行图案化处理形成源极和漏极;在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化处理,以形成第一部分、第二部分和第三部分;所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧,所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平,以将部分所述源极和所述漏极裸露在外;在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一导电层,对所述第一导电层进行图案化处理形成栅极;在所述栅极和所述基板上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成第二导电层,对所述第二导电层进行图案化处理形成源极和漏极;在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化处理,以形成第一部分、第二部分和第三部分;所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧,所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平,以将部分所述源极和所述漏极裸露在外;在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成有源层,所述有源层用于形成沟道;在所述沟道、所述第二部分和所述第三部分上形成钝化层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一导电层,对所述第一导电层进行图案化处理形成栅极;在所述栅极和所述基板上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成第二导电层,对所述第二导电层进行图案化处理形成源极和漏极;在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化处理,以形成第一部分、第二部分和第三部分;所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧,所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平,以将部分所述源极和所述漏极裸露在外;在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成有源层,所述有源层用于形成沟道;在所述沟道、所述第二部分和所述第三部分上形成钝化层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述平坦层的材料为具有感光性的绝缘树脂材料。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述对所述平坦层进行图案化处理,以形成第一部分、第二部分、第三部分的步骤包括:通过等离子体处理法对所述平坦层进行刻蚀,以形成第一部分、第二部分、第三部分。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在所述源极、所述漏极和栅极绝缘层上形成平坦层的步骤包括:在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上涂布平坦层的材料;对所述平坦层的材料进行固化处理,以形成平坦层。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢华飞,陈书志,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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