The semiconductor device includes a gate and an insulating layer, the insulating layer is arranged on the surface of the gate, a first carbon nanotube and a second carbon nanotube, the first carbon nanotube and the second carbon nanotube are spaced on the surface of the insulating layer, a P-type semiconductor layer and a N-type semiconductor layer, the P-type semiconductor layer. The N-type semiconductor layer covers the first carbon nanotube and is arranged on the surface of the insulation layer. The N-type semiconductor layer covers the second carbon nanotube and is arranged on the surface of the insulation layer. A conductive film is arranged on the surface of the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, in which the P-type semiconductor layer is located on the conductive film and the first carbon nanometer. The N-type semiconductor layer is located between the conductive film and the second carbon nanotube.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
近年来,范德华异质结是最近两年的新兴研究领域。范德华异质结通过将具有不同性质(电学以及光学等)的二维材料堆到一起,可以实现对组合而成的“新”材料的性质进行人工调控;由于层间弱的范德华作用力,相邻的层间不再受晶格必须相匹配的限制;并且,由于没有成分过渡,所形成的异质结具有原子级陡峭的载流子(势场)梯度;由于以过渡金属双硫族化物为代表的非石墨烯二维层状材料通常可以形成二类能带关系,因此以它们为基础搭建的异质结具有非常强的载流子分离能力;此外,由于超薄的厚度以及特殊的二维结构,使其具有强的栅极响应能力,以及与传统微电子加工工艺和柔性基底相兼容的特性。
技术实现思路
本专利技术提供了新型的含有范德华异质结的半导体器件。一半导体器件,该半导体器件包括:一栅极,该栅极为一层状结构;一绝缘层,所述绝缘层设置于栅极的表面;一第一碳纳米管及一第二碳纳米管,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面;一P型半导体层及一N型半导体层,所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管,并设置于绝缘层的表面,所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管,并设置于绝缘层的表面;一导电膜,所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面,其中,P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间,N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间;一第一电极,该第一电极与第一碳纳米管电连接;一第二电极,该第二电极与第二碳纳米管电连接;以及一第三电极,该第三电极与导电膜电连接。相较于现有技术,本专利技术提供了一种新型的半导体器件,该半导体器件在未来的纳米电子学和纳米光电子学领域 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其包括:一栅极,该栅极为一层状结构;一绝缘层,所述绝缘层设置于栅极的表面;一第一碳纳米管及一第二碳纳米管,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面;一P型半导体层及一N型半导体层,所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管,并设置于绝缘层的表面,所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管,并设置于绝缘层的表面;一导电膜,所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面,其中,P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间,N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间;一第一电极,该第一电极与第一碳纳米管电连接;一第二电极,该第二电极与第二碳纳米管电连接;以及一第三电极,该第三电极与导电膜电连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其包括:一栅极,该栅极为一层状结构;一绝缘层,所述绝缘层设置于栅极的表面;一第一碳纳米管及一第二碳纳米管,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面;一P型半导体层及一N型半导体层,所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管,并设置于绝缘层的表面,所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管,并设置于绝缘层的表面;一导电膜,所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面,其中,P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间,N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间;一第一电极,该第一电极与第一碳纳米管电连接;一第二电极,该第二电极与第二碳纳米管电连接;以及一第三电极,该第三电极与导电膜电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管为金属型碳纳米管。3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管为单壁碳纳米管。4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一碳纳米管、P型半导体层及导电膜相互叠加形成一第一多层立体...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金,魏洋,姜开利,范守善,
申请(专利权)人:清华大学,鸿富锦精密工业深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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