磁头以及具备该磁头的盘装置制造方法及图纸

技术编号:19648028 阅读:17 留言:0更新日期:2018-12-05 20:52
本发明专利技术的实施方式提供抑制再现信号品质的劣化、能够实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。实施方式的磁头具备:磁阻效应元件(55);第1磁屏蔽件(56)和第2磁屏蔽件(57),在沿磁道方向,设置于磁阻效应元件的尾随侧和前导侧;以及侧屏蔽件(80a、80b),在磁道宽度方向,分别设置于磁阻效应元件的两侧。至少一方的侧屏蔽件在尾随侧部分和前导侧部分具有不同的导磁率。

The magnetic head and the disk device with the magnetic head

The embodiment of the present invention provides a magnetic head capable of suppressing degradation of reproduction signal quality, realizing high recording density and a disk device with the magnetic head. The magnetic head of the embodiment comprises: a magnetoresistive effect element (55); a first magnetic shield element (56) and a second magnetic shield element (57), which are arranged on the tail side and the front side of the magnetoresistive effect element along the magnetic track direction; and a side shield element (80a, 80b), which are respectively arranged on both sides of the magnetoresistive effect element in the direction of track width. At least one side shield has different permeability in the trailing side and the leading side.

【技术实现步骤摘要】
磁头以及具备该磁头的盘装置本申请以日本专利申请2017-101910号(申请日:2017年5月23日)为在先申请而享有优先权。本申请通过参照该在先申请而包括该在先申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁头以及具备该磁头的盘装置。
技术介绍
作为盘装置,磁盘驱动器具备:配设在壳体内的盘状的记录介质、即磁盘;以及对磁盘进行信息的读取/写入的磁头。磁头例如包括记录头以及再现头(再现元件)。起因于记录头的主磁极的形状,主磁极的在边缘邻近的磁场分布不与沿磁道(downtrack)方向垂直而是弯曲着。即,在磁记录时,从记录头产生的磁场强度、倾度在磁道边缘部出现劣化,因此磁盘上的记录磁化图形(pattern)的转移形状成为弯曲的形状。在通过再现头再现了这种弯曲的转移形状的记录磁化图形的情况下,由于再现头的再现灵敏度的分布与磁盘上的磁化图形的形状不同,因此再现信号产生品质劣化。由于磁化图形的高线密度、高磁道间距化,再现时的品质劣化进一步受到大的影响。虽然考虑缩小再现头的再现元件的尺寸以使得不到达弯曲部的方法,但从制造工艺、输出劣化的观点出发,再现元件的尺寸缩小也存在限度。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供抑制再现信号品质的劣化、能够实现高记录密度化的磁头以及具备该磁头的盘装置。根据实施方式,磁头具备:磁阻效应元件;第1磁屏蔽件和第2磁屏蔽件,在沿磁道方向,设置于所述磁阻效应元件的尾随(trailing)侧和前导(leading)侧;以及侧屏蔽件,在磁道宽度方向,分别设置于所述磁阻效应元件的两侧,所述侧屏蔽件的至少一方在尾随侧部分和前导侧部分具有不同的导磁率。附图说明图1是概略性地表示实施方式所涉及的硬盘驱动器(HDD)的框图。图2是表示所述HDD中的磁头、悬架、磁盘的侧视图。图3是放大表示所述磁头的头部的剖视图。图4是从ABS一侧观察所述磁头的头部的俯视图。图5是放大表示所述磁头的再现头的剖视图。图6是表示磁盘上的记录图形的一例的图。图7是表示实施方式所涉及的再现头的再现灵敏度分布和比较例所涉及的再现头的再现灵敏度分布的图。图8是比较实施方式所涉及的再现头的再现信号的SN比和比较例所涉及的再现头的再现信号的SN比而示出的图。具体实施方式下面,参照附图,对实施方式所涉及的盘装置进行说明。此外,公开只不过是一例,对于本领域技术人员而言能够容易想到的保留专利技术宗旨的适当变更的内容,当然包含在本专利技术的范围内。另外,为了更加明确地进行说明,与实际的方式相比,附图有时会对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性地表示,但仅为一例,并不限定本专利技术的解释。另外,在本说明书和各图中,有时对与关于已示出的图在之前已经说明了的内容相同的要素赋予相同的附图标记、并适当省略详细说明。(实施方式)作为盘装置,对实施方式所涉及的硬盘驱动器(HDD)详细地进行说明。图1是概略性地表示实施方式所涉及的HDD的框图,图2是表示上浮状态的磁头以及磁盘的侧视图。如图1所示,HDD10具备:矩形形状的壳体11;配设在壳体11内的作为记录介质的磁盘12;支承磁盘12及使磁盘12旋转的主轴马达21;以及对磁盘12进行数据的写入(write,写)、读出(read,读)的多个磁头16。另外,HDD10具备将磁头16移动到磁盘12上的任意磁道上并且定位的头致动器18。头致动器18包括可移动地支承磁头16的滑架组件20以及使该滑架组件20转动的音圈马达(VCM)22。HDD10具备头放大器IC30、主控制器40以及驱动器IC48。头放大器IC30例如设置于滑架组件20,电连接于磁头16。主控制器40以及驱动器IC48例如由设置在壳体11的背面侧的未图示的控制电路基板构成。主控制器40具备R/W通道42、硬盘控制器(HDC)44以及微处理器(MPU)46。主控制器40经由头放大器IC30电连接于磁头16。另外,主控制器40经由驱动器IC48,电连接于VCM22以及主轴马达21。HDC44能够与主机45连接。如图1以及图2所示,磁盘12构成为垂直磁记录介质。磁盘12例如具有形成为直径约2.5英寸(6.35cm)的圆板状且由非磁性体形成的基板101。在基板101的各个表面依次层叠有:作为基底层的、由表现出软磁特性的材料形成的软磁性层102;在其上层部在相对于磁盘12的表面垂直的方向上具有磁各向异性的垂直磁记录层103;以及保护膜104。磁盘12以彼此同轴的方式嵌合在主轴马达21的轮毂上。磁盘12通过主轴马达21而以预定速度沿箭头B的方向旋转。滑架组件20具有:转动自如地固定于壳体11的轴承部24;以及从轴承部24延伸出的多个悬架26。如图2所示,磁头16被支承于各悬架26的延伸端。磁头16经由设置于滑架组件20的布线部件28,电连接于头放大器IC30。如图2所示,磁头16构成为上浮型的头,具有形成为大致长方体形状的滑块15和形成在滑块15的流出端(尾随)侧的端部的头部17。滑块15例如由氧化铝和碳化钛的烧制体(AlTiC)形成,头部17由多层薄膜形成。滑块15具有与磁盘12的表面对置的矩形形状的盘对置面(介质对置面、空气支承面(ABS))13。滑块15利用因磁盘12的旋转而在盘表面与ABS13之间产生的空气流C,维持为从磁盘12的表面上浮预定量的状态。空气流C的方向与磁盘12的旋转方向B一致。滑块15具有位于空气流C的流入侧的前导端15a以及位于空气流C的流出侧的尾随端15b。随着磁盘12的旋转,磁头16相对于磁盘12在箭头A方向(头移动方向)、即与盘的旋转方向B相反的方向上移动。图3是放大表示头部17的剖视图,图4是放大表示从ABS一侧观察到的磁头的头部的俯视图。磁头16的头部17具有在滑块15的尾随端15b通过薄膜加工而形成的再现头(读取头)54以及记录头58,形成为分离型的磁头。再现头54以及记录头58除了在滑块15的ABS13露出的部分之外,由非磁性的保护绝缘膜53覆盖。保护绝缘膜53构成了头部14的外形。相对于再现头54,记录头58设置在滑块15的尾随端15b侧。记录头58具备:产生相对于ABS13垂直的方向的记录磁场的包括高导磁率材料的主磁极60;相对于该主磁极60隔着写入间隙WG而对置的写入屏蔽件62;将主磁极60的上部物理性接合于写入屏蔽件62的接合部63;以及卷附于由主磁极60和写入屏蔽件62构成的磁芯的记录线圈64等。主磁极60由具有高导磁率、高饱和磁通密度的软磁性材料形成,其前端60a在ABS13露出。写入屏蔽件62由软磁性材料形成,其前端部62a在ABS13露出。主磁极60以及写入屏蔽件62配置在滑块15的长轴(中心轴C)上,并且沿头移动方向A排列。如图4所示,主磁极60的前端部60a的宽度(沿磁道宽度方向TW的宽度)W1相对于磁盘12中的磁道的宽度T,设定为等同或小于。如图3以及图4所示,再现头54设置在记录头58的前导侧、即流入侧。再现头54具备:磁阻效应元件55;在沿磁道方向DT,以夹着磁阻效应元件55的方式配置在磁阻效应元件55的尾随侧(流出侧)和前导侧(流入侧)的第1磁屏蔽膜56和第2磁屏蔽膜57;以及侧屏蔽件80a、80b。磁阻效应元件55、第1和第2磁屏蔽膜56、57以及侧屏蔽件80a、80b相对于ABS13大致垂直地延伸。磁阻效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁头,具备:磁阻效应元件;第1磁屏蔽件和第2磁屏蔽件,在沿磁道方向设置于所述磁阻效应元件的尾随侧和前导侧;以及侧屏蔽件,在磁道宽度方向分别设置于所述磁阻效应元件的两侧,所述侧屏蔽件的至少一方在尾随侧部分和前导侧部分具有不同的导磁率。

【技术特征摘要】
2017.05.23 JP 2017-1019101.一种磁头,具备:磁阻效应元件;第1磁屏蔽件和第2磁屏蔽件,在沿磁道方向设置于所述磁阻效应元件的尾随侧和前导侧;以及侧屏蔽件,在磁道宽度方向分别设置于所述磁阻效应元件的两侧,所述侧屏蔽件的至少一方在尾随侧部分和前导侧部分具有不同的导磁率。2.根据权利要求1所述的磁头,所述磁阻效应元件包括:与所述第2磁屏蔽件相邻设置的、磁化方向固定的第1磁性体层;和设置在所述第1磁性体层的尾随侧的、磁化方向可变的第2磁性体层。3.根据权利要求2所述的磁头,所述侧屏蔽件的尾随侧部分具有第1导磁率,所述前导侧部分具有比所述第1导磁率高的第2导磁率。4.根据权利要求2所述的磁头,所述侧屏蔽件各自包括设置在所述第1磁屏蔽件侧的第1侧屏蔽件层和设置在所述第2磁...

【专利技术属性】
技术研发人员:松本拓也
申请(专利权)人:株式会社东芝东芝电子元件及存储装置株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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