银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法技术

技术编号:19644187 阅读:25 留言:0更新日期:2018-12-05 19:21
本发明专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物及利用该银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法和金属图案的形成方法,上述银薄膜蚀刻液组合物的特征在于,相对于组合物总重量,包含(A)无机酸1~15重量%、(B)有机酸30~73重量%、(C)无机盐0.5~15重量%和(D)余量的水。银薄膜蚀刻液组合物用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻,提供不发生残渣和银再吸附问题的效果。

Composition of silver film etching solution, etching method and forming method of metal pattern

The invention provides a silver film etching solution composition and an etching method and a metal pattern forming method utilizing the silver film etching solution composition. The silver film etching solution composition is characterized in that, relative to the total weight of the composition, it contains (A) 1-15 weight percent of inorganic acid, (B) 30-73 weight percent of organic acid, (C) 0.5 percent of inorganic salt. Water of 15 wt% and (D) margin. The silver film etching solution composition is used for etching a single layer film composed of silver (Ag) or silver alloy and a multilayer film composed of the above monolayer film and transparent conductive film, providing the effect of no residue and silver re-adsorption problem.

【技术实现步骤摘要】
银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法
本专利技术涉及银薄膜蚀刻液组合物、利用其的蚀刻方法和金属图案的形成方法。
技术介绍
随着真正步入信息化时代,处理及显示大量的信息的显示器领域发展迅速,针对于此大量的平板显示器得到开发并受到关注。作为这样的平板显示装置的例子,可以举出液晶显示装置(Liquidcrystaldisplaydevice:LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice:PDP)、场发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice:FED)、电致发光显示装置(ElectroluminescenceDisplaydevice:ELD)、有机发光显示器(OrganicLightEmittingDiodes:OLED)等,这样的平板显示装置不仅应用于电视或录像机等家电领域,还以多种多样的用途应用于笔记本之类的电脑和手机等中。由于这些平板显示装置的薄型化、轻量化以及低耗电化等优异的性能,实际情况是其正在快速替代以往使用的布劳恩管(阴极射线管(CathodeRayTube:NIT))。特别是,OLED由于元件本身发光且在低电压下也能够驱动,因此近年来在便携设备等小型显示器市场得到快速应用。另外,OLED的目前状态是从小型显示器跨越到了大型TV的商用化。另一方面,氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)和氧化铟锌(IndiumZincOxide,IZO)之类的导电性金属对于光的透过率相对优异,且具有导电性,因此广泛用于平板显示装置中所使用的滤色器的电极。但是,这些金属由于还具有高电阻,因此阻碍通过改善响应速度的平板显示装置来实现大型化和高分辨率。此外,对于反射板而言,以往主要将铝(Al)反射板用于制品,但为了通过亮度提高来实现低耗电,目前正在探索将材料变更为反射率更高的金属。为此,想要将与应用在平板显示装置中的金属相比具有更低的电阻率和更高的亮度的银(Ag:电阻率约为1.59μΩ㎝)膜、银合金或包含其的多层膜应用于滤色器的电极、LCD或OLED配线及反射板,实现平板显示装置的大型化和高分辨率及低耗电等,从而需要开发用于该材料的应用的蚀刻液。然而,银(Ag)对于玻璃等绝缘基板或者由本征非晶硅或掺杂非晶硅等构成的半导体基板等下部基板的粘接性(adhesion)极其不良而不易蒸镀,容易诱发配线的翘起(lifting)或剥落(Peeling)。另外,在将银(Ag)导电层蒸镀于基板的情况下,为了将其图案化,会使用蚀刻液。在使用以往的蚀刻液作为这样的蚀刻液的情况下,银(Ag)会被过度蚀刻或不均匀蚀刻而发生配线的翘起或剥落,从配线方面来看轮廓会发生不良。另外,用于实现高分辨率的低偏斜(LOWSkew)呈现从工序方面考虑存在困难。特别是,银(Ag)是容易被还原的金属,只有蚀刻速度快才能无残渣诱发地进行蚀刻,此时,由于蚀刻速度快而上下部间不产生蚀刻速度的差异,蚀刻后难以形成锥角(taperangle),且不易确保蚀刻图案的直进性,因此在形成配线和图案时存在许多限制。在金属膜无锥角(taperangle)地直立的情况下,在后续工序中形成绝缘膜或配线时,在银(Ag)和绝缘膜或配线之间可能产生空隙,这样的空隙产生会成为发生电短路等不良的原因。韩国公开专利第10-2013-0130515号涉及一种含银图案的蚀刻液,公开了能够将由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜同时蚀刻的蚀刻液组合物,但实际情况是无法完全解决本
中作为主要问题的残渣和银再吸附问题。韩国注册专利第10-0579421号公开了将磷酸、硝酸、乙酸、硫酸等无机系强酸用作基础成分的蚀刻液组合物,但实际情况是在将无机系强酸用作基础成分的情况下,无法完全解决异种的导电膜的蚀刻率差异导致的不均匀的蚀刻轮廓、过蚀刻(over-etch)、溢悬(over-hang)等不良问题。现有技术文献专利文献韩国公开专利第10-2013-0130515号韩国注册专利第10-0579421号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术是为了改善上述的以往技术问题而提出的,其目的在于,提供一种以用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻且不发生残渣(例如,银残渣和/或透明导电膜残渣等)和银再吸附问题为特征的银薄膜蚀刻液组合物。此外,本专利技术的目的在于,提供能够将上述单层膜和上述多层膜同时蚀刻的银薄膜蚀刻液组合物。此外,本专利技术的目的在于,提供通过控制蚀刻速度而能够调节侧蚀(sideetch)的银薄膜蚀刻液组合物。此外,本专利技术的目的在于,提供能够没有下部膜的损伤地有效用于表现蚀刻均匀性的湿式蚀刻的银薄膜蚀刻液组合物。此外,本专利技术的目的在于,提供利用上述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外,本专利技术的目的在于,提供利用上述银薄膜蚀刻液组合物的金属图案的形成方法。解决课题的方法为了实现上述目的,本专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含(A)无机酸1~15重量%、(B)有机酸30~73重量%、(C)无机盐0.5~15重量%和(D)余量的水。此外,本专利技术提供使用上述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外,本专利技术提供使用上述银薄膜蚀刻液组合物的金属图案的形成方法。专利技术效果本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻,提供不发生残渣(例如,银残渣和/或透明导电膜残渣等)和银再吸附问题的效果。此外,本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物通过将上述单层膜和上述多层膜同时蚀刻,从而提供使蚀刻效率提高的效果。此外,本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物通过引发蚀刻终止(etchstop)现象,从而提供能够控制蚀刻速度,调节侧蚀的效果。此外,本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物能够没有下部膜的损伤地有效用于表现蚀刻均匀性的湿式蚀刻。具体实施方式本专利技术提供一种银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含(A)无机酸1~15重量%、(B)有机酸30~73重量%、(C)无机盐0.5~15重量%和(D)余量的水。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物的特征在于,可以用于由银(Ag)或银合金构成的单层膜及由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻,且不发生残渣(例如,银残渣和/或透明导电膜残渣等)和银再吸附问题。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物可以将上述单层膜和上述多层膜同时蚀刻。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物通过引发蚀刻终止现象,从而能够提供控制蚀刻速度,调节侧蚀的效果。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物没有下部膜损伤,因而能够有效用于表现蚀刻均匀性的湿式蚀刻。上述银合金可以包含以银为主成分且包含Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、Pa和Ti等其他金属的合金形态;以及银的氮化物、硅化物、碳化物、氧化物等,但并不限定于此。上述透明导电膜可以包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的一种以上。上述多层膜可以包含由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。本专利技术的银薄膜蚀刻液组合物可以用于反射膜用OLEDTFT本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含:(A)无机酸1~15重量%;(B)有机酸30~73重量%;(C)无机盐0.5~15重量%;和(D)余量的水。

【技术特征摘要】
2017.05.22 KR 10-2017-0062800;2017.12.15 KR 10-2011.一种银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,相对于组合物总重量,包含:(A)无机酸1~15重量%;(B)有机酸30~73重量%;(C)无机盐0.5~15重量%;和(D)余量的水。2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(A)无机酸包含选自由硝酸、硫酸和盐酸组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(A)无机酸为硝酸。4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(B)有机酸包含选自由甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、乙酸、柠檬酸、丙二酸、丁酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的一种以上。5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述无机盐为选自硝酸盐和硫酸盐中的一种。6.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述硝酸盐包含选自由硝酸铵、硝酸钠、硝酸钾和硝酸钙组成的组中的一种以上。7.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:南基龙尹暎晋李原昊金童基朴英哲张晌勋
申请(专利权)人:东友精细化工有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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