The present application discloses a semiconductor packaging structure, which includes: a power module with power pins extending from the surface of the package; and a current measurement module, which is located near the power pins and separated from the power pins. The current measurement module is used to detect the current flowing through the power pins. The current measurement module includes: a magnetic element, which is a semi-enclosed structure with an opening and a middle area. The magnetic element surrounds the power pin and is used to collect the flux generated by the current around the power pin; and a detection element, which is located at the opening of the magnetic element, is used to generate the current detection signal according to the flux. The semiconductor packaging structure ensures the safety of the semiconductor packaging structure by installing a current measurement module near the power pin, reduces the signal interference between the power pin and the current measurement module, improves the measurement accuracy, and achieves the purpose of accurately measuring the signal of the power module.
【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装领域，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其制造方法。
技术介绍
随着新能源技术地不断发展，功率集成模块作为新能源技术的核心部件，已经被广泛地应用到了新能源汽车、光伏发电、变频以及逆变等自动化工业领域中。尤其是在新能源汽车领域中，功率集成模块得到了更广泛的应用。功率集成模块在应用的过程中，并不是独立运行的，需要配合控制系统来实现，当功率集成模块处于工作状态时，功率集成模块所控制的电流需要被检测。在现有技术中，通过将多个电流传感器串接到相应的功率集成模块的输出端子上，从而实现了检测功率集成模块所控制的电流的目的。在现有技术中，由于功率集成模块生产厂家和电流传感器生产厂家在生产制造中，都是基于各自的需求对产品进行设计与制造的，而每个电流传感器需要独立的固定空间被单独固定，同时，功率集成模块和电流传感器之间需要一定的安装空间余量，因此，安装功率集成模块与电流传感器的空间较大。然而，作为新能源技术的核心部件，功率集成模块与电流传感器的安装空间相当有限，在安装或更换功率集成模块、电流传感器时比较麻烦。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种半导体封装结构及其制造方法，通过将功率模块与电流测量模块封装在一起，减少了功率模块与电流测量模块的占用空间。根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：功率模块，所述功率模块具有从封装体表面伸出的功率引脚；以及电流测量模块，位于所述功率引脚附近且与所述功率引脚隔开，所述电流测量模块用于检测流过所述功率引脚的电流，其中，所述电流测量模块包括：磁性元件，其为具有开口与中间...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，包括：功率模块，所述功率模块具有从封装体表面伸出的功率引脚；以及电流测量模块，位于所述功率引脚附近且与所述功率引脚隔开，所述电流测量模块用于检测流过所述功率引脚的电流，其中，所述电流测量模块包括：磁性元件，其为具有开口与中间区域的半包围结构，所述磁性元件围绕所述功率引脚，用于聚集在所述功率引脚周围由所述电流产生的磁通；以及检测元件，位于所述磁性元件的开口处，用于根据所述磁通产生所述电流的检测信号。
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括：功率模块，所述功率模块具有从封装体表面伸出的功率引脚；以及电流测量模块，位于所述功率引脚附近且与所述功率引脚隔开，所述电流测量模块用于检测流过所述功率引脚的电流，其中，所述电流测量模块包括：磁性元件，其为具有开口与中间区域的半包围结构，所述磁性元件围绕所述功率引脚，用于聚集在所述功率引脚周围由所述电流产生的磁通；以及检测元件，位于所述磁性元件的开口处，用于根据所述磁通产生所述电流的检测信号。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述电流测量模块还包括：测量引脚，所述测量引脚具有与所述检测元件电相连的第一端以及伸出所述半导体封装结构的主面的第二端，用于输出所述电流的检测信号。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述磁性元件的中间区域的高度大于所述功率引脚的厚度，所述功率引脚穿过所述磁性元件的中间区域。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述功率引脚的厚度范围包括0.5至3.0mm。5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述功率引脚的宽度范围包括6.0至18.0mm。6.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中，所述检测元件位于所述磁性元件的开口的间隙中，所述磁性元件的开口的间隙范围根据所述电流与所述检测元件的种类进行相应的调节。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其中，所述磁性元件的厚度大于所述检测元件的长度，所述开口的间隙大于所述检测元件的厚度。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其中，所述磁性元件的厚度范围包括3.4至8.0mm。9.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其中，所述间隙的范围包括1.5至5.0mm。10.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其中，所述磁性元件的形状大致呈U型或C型。11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，呈U型的所述磁性元件的开口与中间区域横向连通。12.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，呈C型的所述磁性元件的开口与中间区域垂直连通。13.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中，呈U型的所述磁性元件包括多个硅钢片，每个所述硅钢片通过串孔固定。14.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中，呈U型的所述磁性元件的材料包括软磁材料。15.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中，所述电流测量模块还包括电流测量模块主体，所述电流测量模块主体包括磁性元件安装槽，其形状与所述磁性元件匹配，且包围所述功率引脚。16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其中，所述电流测量模块主体还包括导线槽，所述导线槽用于将所述检测元件固定在所述磁性元件的开口处，并且将所述测量引脚引出所述半导体封装结构的主面。17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中，所述电流测量模块还包括固定结构，分别与所述测量引脚以及所述电流测量模块主体相连，用于将所述测量引脚固定在所述导线槽中。18.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中，所述固定结构的材料包括弹性橡胶或环氧树脂。19.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中，所述电流测量模块还包括：盖板结构，其上设有第一安装孔，所述第一安装孔的形状与所述功率引脚相匹配，所述盖板结构覆盖所述磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴欢欢，陈向东，杨晶，柯樊，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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